包括只读存储器（ROM）阵列的第一存储单元晶体管的集成电路（IC）及其制作方法与流程

技术特征：
1.一种集成电路(IC)，包括：只读存储器(ROM)阵列的第一存储单元晶体管，所述第一存储单元晶体管包括第一功函的第一金属栅极并具有第一阈值电压；所述只读存储器阵列的第二存储单元晶体管，所述第二存储单元晶体管包括第二功函的第二金属栅极并具有比所述第一阈值电压大的第二阈值电压；第一逻辑晶体管，所述第一逻辑晶体管具有所述第一功函的第三金属栅极并具有第三阈值电压；以及上覆栅极部分位于所述第一存储单元晶体管的所述第一金属栅极和所述第一逻辑晶体管的所述第三金属栅极之上，其中，所述第一功函不同于所述第二功函。2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一存储单元晶体管包括第一高-k栅极电介质而所述第二存储单元晶体管包括第二高-k栅极电介质。3.根据权利要求1所述的集成电路，包括第二逻辑晶体管，所述第二逻辑晶体管具有所述第二功函的第四金属栅极并具有第四阈值电压。4.一种用于制作集成电路(IC)的方法，所述方法包括：由第一金属栅极层形成只读存储器(ROM)阵列的第一存储单元晶体管的第一金属栅极，所述第一金属栅极具有第一功函，且所述第一存储单元晶体管具有第一阈值电压；由第二金属栅极层形成所述只读存储器阵列的第二存储单元晶体管的第二金属栅极，所述第二金属栅极具有第二功函，且所述第二存储单元晶体管具有第二阈值电压，其中，所述第二阈值电压大于所述第一阈值电压；由所述第一金属栅极层形成第一逻辑晶体管的第三金属栅极，所述第三金属栅极具有所述第一功函，且所述第一逻辑晶体管具有第三阈值电压；以及在所述第一存储单元晶体管的第一金属栅极之上形成上覆栅极部分，并且在所述第一逻辑晶体管的所述第三金属栅极之上形成上覆栅极部分，其中，所述第一功函不同于所述第二功函。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一存储单元晶体管和所述第二存储单元晶体管都属于第一电导率类型。6.根据权利要求4所述的方法，包括在所述第二金属栅极层上形成金属填充层。7.一种制作集成电路(IC)的方法，所述方法包括：由第一金属栅极层形成只读存储器(ROM)阵列的第一N型存储单元晶体管的第一金属栅极，所述第一金属栅极具有第一功函，且所述第一N型存储单元晶体管具有第一阈值电压；由第二金属栅极层形成所述只读存储器阵列的第二N型存储单元晶体管的第二金属栅极，所述第二金属栅极具有第二功函，且所述第二N型存储单元晶体管具有第二阈值电压，所述第二阈值电压大于所述第一阈值电压；由所述第一金属栅极层形成第一P型逻辑晶体管的第三金属栅极，所述第三金属栅极具有所述第一功函，且具有第三阈值电压；以及在所述第一N型存储单元晶体管的第一金属栅极之上形成上覆栅极部分，并且在所述第一P型逻辑晶体管的所述第三金属栅极之上形成上覆栅极部分，其中，所述第一功函不同于所述第二功函。