光写入只读存储器及其写入方法和数据固化方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及存储器领域，特别涉及一种光写入只读存储器及其写入方法和数据固化方法。
【背景技术】
[0002]有机非只读存储器由于其低成本、柔性和可溶液法加工等优势已经取得了广泛的关注。有机只读存储器是很重要的一种有机非易失性存储器，由于其一旦写入即无法擦除的特性，有机只读存储器可以应用于很多如防伪等低成本领域。
[0003]目前为止，大量有机只读存储器的结构为两端结构，导线结构或者金属/绝缘层/金属结构，工作机制为利用两端结构在一定外加电流作用下熔断造成电阻率的不可逆变化来实现只读存储器的功能。然而，由于其无源特性，这种基于两端结构的有机只读存储器有一个很大的弊端在于很难实现高密度集成。
[0004]为此，高密度集成且数据有效保持时间长的有机只读存储器结构成为现在亟待突破的研究热点。
【发明内容】
[0005]本发明解决的问题是提供一种能够高密度集成的有机只读存储器。
[0006]为解决上述问题，本发明提供一种光写入只读存储器，包括，衬底；位于衬底表面的栅极；位于衬底表面且覆盖所述栅极的掺杂有离子化合物的可光交联绝缘层；位于绝缘层表面的缓冲层；位于缓冲层表面的半导体层；位于半导体层表面的源极和漏极。
[0007]可选的，所述掺杂有离子化合物的可光交联绝缘层适于接受紫外固化光源的固化。
[0008]可选的，还包括:适于光写入的紫外固化光源。
[0009]可选的，所述衬底为适于完全或部分透过固化光源的光线的材料。
[0010]可选的，所述衬底为玻璃、硅片、塑料或聚合物薄膜。
[0011]可选的，所述绝缘层为适于紫外固化的聚合物绝缘层材料。
[0012]可选的，所述绝缘层为至少包括丙烯酸酯化硝基纤维素、聚氨酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、丙烯酸酯化丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯化的磷酸酯、聚乙烯醇、聚肉桂酸乙烯酯中的一种或多种的材料。
[0013]可选的，所述栅极、源极或漏极的材料为导电材料。
[0014]可选的，所述栅极、源极或漏极的材料为金属或导电聚合物。
[0015]可选的，所述半导体层材料为有机半导体材料。
[0016]本发明还提供一种之前任一项所述的光写入只读存储器的写入方法，其特征在于，包括:在栅极与源极和/或漏极之间施加写入电压。
[0017]本发明还提供一种之前任一项所述的光写入只读存储器的数据固化方法，其特征在于，包括:在栅极与源极和/或漏极之间施加写入电压，对可光交联绝缘层进行固化。
[0018]与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点:本发明的实施例可以采用光写入的方式来固定存储数据，从而使得数据保持时间长，器件性能高。
[0019]进一步地，通过改变外加电压的大小和时间来控制极化强度，可实现多位存储。
【附图说明】
[0020]图1是本发明一实施例的有机只读存储器示意图；
[0021]图2是本发明一实施例的有机只读存储器写入操作示意图；
[0022]图3是本发明一实施例的有机只读存储器数据固化示意图。
【具体实施方式】
[0023]如【背景技术】所述，大量有机只读存储器的结构为两端结构，导线结构或者金属/绝缘层/金属结构，工作机制为利用两端结构在一定外加电流作用下熔断造成电阻率的不可逆变化来实现只读存储器的功能。
[0024]对此，本发明的发明人针对上述缺陷，进行了大量的研究，提出一种新的能够高密度集成的有机只读存储器，包括，衬底；位于衬底表面的栅极；位于衬底表面且覆盖所述栅极的掺杂有离子化合物的可光交联绝缘层；位于绝缘层表面的缓冲层；位于缓冲层表面的半导体层；位于半导体层表面的源极和漏极。
[0025]本发明的实施例通过提供位于衬底表面且覆盖所述栅极的掺杂有离子化合物的可光交联绝缘层，并且能够通过外加电压造成掺杂离子的移动从而产生极化，并控制外加电压方向和时间确定极化方向和极化大小，以完成数据的写入。完成数据写入后将绝缘层UV固化，固化后离子无法移动，从而极化得以保持。本发明采用栅源漏极的设计能够高密度集成。
[0026]进一步地，通过改变外加电压的大小和时间来控制极化强度，可实现多位存储。
[0027]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
[0028]本发明提供一实施例的有机只读存储器，请参考图1，包括，衬底100 ;位于衬底100表面的栅极101 ;位于衬底100表面且覆盖所述栅极101的掺杂有离子化合物102的可光交联绝缘层110 ;位于绝缘层110表面的缓冲层120 ;位于缓冲层120表面的半导体层130 ;位于半导体层130表面的源极131和漏极132。
[0029]在一些实施例中，所述衬底100用于为所述有机只读存储器提供工作平台。所述衬底为玻璃、硅片、塑料或聚合物薄膜。
[0030]在一些实施例中，为了使得便于光固化所述绝缘层110，所述衬底100的材料可以为适于完全或部分透过固化光源的光线的材料。例如，所述衬底100的材料可以为适于完全或部分透过固化光源的光线的玻璃、硅片、塑料或聚合物薄膜。
[0031]需要说明的是，所述衬底100采用适于完全或部分透过固化光源的光线的材料可以便于光固化的光线从衬底100完全或部分透过，并有效率地光固化位于衬底100表面的绝缘层100。在其他实施例中，光固化的光线也可以从其他方向对绝缘层100进行固化，从而使得衬底100并不需要采用适于完全或部分透过固化光源的光线的材料。
[0032]所述栅极101用于写入数据，在一些实施例中，写入电压施加在所述栅极101和源极和/或漏极之间，造成掺杂离子的移动从而产生极化。极化方向和极化大小由外加电压方向和时间确定。极化会影响晶体管的电学特性，从而改变在固定栅源和漏源电压下的漏极电流，以写入数据。
[0033]所