一种用于提高led出光效率工艺的制作方法
【专利摘要】LED芯片发出的光在出射芯片的时候，有相当一部分被芯片与外界的界面反射，因此导致LED芯片光的损失；当芯片发出蓝光激发荧光粉，使荧光粉发出黄光，这些黄光很容易入射到芯片内部，芯片吸收黄光使芯片发出非蓝光的光。本发明提出一种用于提高LED芯片出光效率及防止黄光进入LED芯片产生干扰光的薄膜及制备薄膜的方法，薄膜沉积在LED芯片表面上，膜系为双层增透膜，厚度对蓝光来说是蓝光波长的四分之一倍；对黄光来说制作一定厚度的薄膜使黄光通过薄膜全部反射，无透射光。薄膜镀膜方法是采用电子枪蒸发沉积薄膜方法。在LED芯片上镀上该膜，使LED出光效率有效提高9％。
【专利说明】—种用于提高LED出光效率工艺
[0001]
【技术领域】
[0002]本发明专利涉及一种用于提高LED芯片出光效率及防止干扰光的薄膜和薄膜制备方法。
技术背景
[0003]半导体照明产业在全球已经兴起。在国家中长期科技规划战略研讨会议上，已将“新世纪照明工程”推荐为重大项目，发展半导体照明工程已经到了新时期。现在功率型白光LED的光效100~1201m/W，而真正能够取代白炽灯和荧光灯进入通用照明市场，其光效还有待提高。这一方面要求在芯片的制作上不断提高LED的量子效率，同时还要求在LED的封装及灯具的设计制作过程中尽可能提高出光效率。现有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率较高，LED发出的光在出射芯片的时候，有相当一部分光被芯片与外界(环氧树脂)的界面反射，因此导致LED芯片光的损失。蓝光芯片激发黄色荧光粉使荧光粉发出黄光，芯片吸收黄光光子，会使芯片发出杂光。
【发明内容】
[0004]为了克服上述缺点，本发明提出一种用于提高LED出光效率及防止干扰光的薄膜，该薄膜可以减少蓝光自LED芯片发出时的反射，提高LED芯片的出光效率；及防止荧光粉发出的黄光进入芯片，镀一层对黄光全反射膜。其基本原理是:LED芯片材料折射率很高，在可见光 折射率达到3.6， 如果芯片发出的光直接出射，则由于界面反射，损失的光能有:
【权利要求】
1.一种用于提高LED芯片出光效率及防止干扰光的薄膜，其特征在于:薄膜是沉积在LED芯片表面上，膜系为双层增透膜，材料选取对蓝光全透膜选TiO2作为膜材料；对黄光反射膜选ZnS MgF作为膜材料。厚度对蓝光来说是蓝光波长的四分之一倍；对黄光来说制作一定厚度的薄膜使黄光通过薄膜全部反射，无透射黄光。
2.一种用于提高LED芯片出光效率及防止干扰光的薄膜，其特征在于:采用电子枪蒸发沉积薄膜方法。
【文档编号】H01L33/44GK103811625SQ201210441734
【公开日】2014年5月21日 申请日期:2012年11月5日 优先权日:2012年11月5日
【发明者】朱忠才 申请人:江苏稳润光电有限公司