专利名称：电子部件用树脂片、电子部件用树脂片的制造方法、及半导体装置的制造方法
技术领域：
本发明涉及电子部件用树脂片、电子部件用树脂片的制造方法、及半导体装置的制造方法。
背景技术：
近年来，半导体封装、电子部件模块越来越小型化、高密度化、高性能化，由设备产生的噪音、热的问题变得显著。在这样的背景下，在半导体封装等制造工序中用树脂密封设备等后，为了确保电磁波屏蔽性、放热性，在上述密封树脂上形成金属膜的情况增多。在密封树脂上形成金属膜时，多采用非电解镀铜。在该非电解镀工序中，首先，在进行所要镀敷的表面的洗涤、粗化等前处理后，在树脂上形成作为镀敷的催化剂的金属核，然后实施非电解镀铜(例如参照非专利文献I及专利文献I)。现有技术文献非专利文献非专利文献I 镀敷教科书电镀研究会编”(「A -务教本电气鍍金研究会編」)、日刊工业新闻社、P207-218、P233-243 (1986.9)专利文献专利文献1:日本特开2011-77430号公报
发明内容
但是，上述方法中，在进行所要镀敷的表面的洗涤、粗化等前处理工序、在树脂上形成作为镀敷的催化剂的金属核的工序之后，实施非电解镀铜，因此存在工艺多等问题。本发明鉴于上述问题而作出，其目的在于，提供能够简便地形成非电解镀层的电子部件用树脂片、及该电子部件用树脂片的制造方法。为了解决上述以往的问题，本申请发明人等对电子部件用树脂片及该电子部件用树脂片的制造方法进行了研究。结果发现通过采用下述方案从而能够简便地形成非电解镀层，由此完成本发明。S卩，本发明的电子部件用树脂片，其特征在于，具有热固化型树脂膜和剥离膜，在上述热固化型树脂膜和上述剥离膜之间设置用于非电解镀法的催化剂层。根据上述方案，由于在热固化型树脂膜和剥离膜之间存在用于非电解镀法的催化剂层，因此只要剥离剥离膜即可形成非电解镀层而无需进行粗化等前处理工序和在树脂上形成作为镀敷的催化剂的金属核的工序等。因此，能够简便地形成非电解镀层。上述方案中，优选使上述剥离膜与水的接触角为90度以下。若上述剥离膜与水的接触角为90度以下，则在热固化型树脂膜和剥离膜之间可以良好地形成上述催化剂层。尤其是在将剥离膜浸溃于含催化剂的溶液而在剥离膜上形成催化剂层、并在形成有上述催化剂层的面上贴合热固化型树脂膜而制造电子部件用树脂片的情况下，若上述剥离膜与水的接触角为90度以下，则含催化剂的溶液良好地附着于剥离膜。因此，可以在剥离膜上更可靠地形成催化剂层。上述方案中，优选上述催化剂层含有钯催化剂。若上述催化剂层含有钯催化剂，则可以得到均匀且高品质的镀敷被膜，在这一点上是优选的。此外，本发明的电子部件用树脂片的制造方法，其特征在于，具备以下工序:在剥离膜上形成用于非电解镀法的催化剂层的工序；以及在形成有上述催化剂层的面上贴合热固化型树脂膜，得到依次层叠有剥离膜、催化剂层、及热固化型树脂膜的电子部件用树脂片的工序。根据上述方案，可在固化型树脂膜和剥离膜之间形成用于非电解镀法的催化剂层。因此，根据利用该方法制造的电子部件用树脂片，只要剥离剥离膜即可形成非电解镀层而无需进行粗化等前处理工序和在树脂上形成作为镀敷的催化剂的金属核的工序等。因此，能够简便地形成非电解镀层。此外，在剥离膜上形成催化剂层，在形成有上述催化剂层的面上贴合热固化型树脂膜而得到电子部件用树脂片，因此与在热固化型树脂膜上直接形成催化剂层性相比，能够降低在催化剂层形成时由树脂组合物等带来的药液槽的污染，在这一点上是优异的。在上述方案中，优选使上述剥离膜与水的接触角为90度以下。若上述剥离膜与水的接触角为90度以下，则在热固化型树脂膜和剥离膜之间可良好地形成上述催化剂层。尤其是在将剥离膜浸溃于含催化剂的溶液而在剥离膜上形成催化剂层的情况下，若上述剥离膜与水的接触角为90度以下，则含催化剂的溶液会良好地附着于剥离膜。因此，能够在剥离膜上更可靠地形成催化剂层。在上述方案中，优选使上述催化剂层含有钯催化剂。若上述催化剂层含有钯催化齐U，则可以得到均匀且高品质的镀敷被膜，在这一点上是优选的。此外，本发明的半导体装置的制造方法，其特征在于，具备以下工序:准备上述电子部件用树脂片的工序；对上述电子部件用树脂片进行成型的工序；对成型后的上述电子部件用树脂片进行加热，使上述热固化型树脂膜热固化的工序；使上述热固化型树脂膜热固化后，剥离上述剥离膜的工序；以及利用非电解镀法在上述催化剂层上形成非电解镀层的工序。根据上述方案，使用在热固化型树脂膜和剥离膜之间设置用于非电解镀法的催化剂层的电子部件用树脂片而制造半导体装置。由于在热固化型树脂膜和剥离膜之间设置用于非电解镀法的催化剂层，因此只要剥离剥离膜即可形成非电解镀层而无需进行粗化等前处理工序和在树脂上形成作为镀敷的催化剂的金属核的工序等。因此，能够简便地形成非电解镀层。
图1是本发明的一个实施方式的电子部件用树脂片的剖面示意图。图2是用于说明图1所示的电子部件用树脂片的一个制造方法的剖面示意图。图3是用于说明图1所示的电子部件用树脂片的一个制造方法的剖面示意图。图4是用于说明图1所示的电子部件用树脂片的一个制造方法的剖面示意图。图5是用于说明使用图1所示的电子部件用树脂片的半导体装置的制造方法的一个例子的剖面示意图。图6是用于说明使用图1所示的电子部件用树脂片的半导体装置的制造方法的一个例子的剖面示意图。图7是用于说明使用图1所示的电子部件用树脂片的半导体装置的制造方法的一个例子的剖面示意图。图8是用于说明使用图1所示的电子部件用树脂片的半导体装置的制造方法的一个例子的剖面示意图。
具体实施例方式(电子部件用树脂片)首先，在以下对本发明的一个实施方式的电子部件用树脂片进行说明。图1是本发明的一个实施方式的电子部件用树脂片的剖面示意图。如图1所示，电子部件用树脂片10具有热固化型树脂膜12和剥离膜16，在热固化型树脂膜12和剥离膜16之间设置用于非电解镀法的催化剂层14。催化剂层14具有在非电解镀液中用于诱发非电解镀层19(参照图8)析出的催化剂核。作为构成上述催化剂核的催化剂，例如可以使用钯、银、及金中的至少I种。催化剂层14可以含有催化剂以外的成分，例如可以含有作为来自催化剂溶液的成分的锡。催化剂层14的厚度没有特别的限定，在催化剂层14含有钯催化剂的情况下，优选为使钯吸附量达到0.1 10 μ g/cm2的程度的厚度，更优选为使钯吸附量达到0.5 5 μ g/cm2的程度的厚度。通过使催化剂层14的厚度在上述范围内，从而可以得到均匀的镀膜(催化剂层14)。另外，钯吸附量可以通过使其溶解于浓硝酸和浓盐酸的1: 3混合液后通过ICP发射光谱分析来进行分析。剥离膜16的与热固化型树脂膜12相对置的一侧的面与水的接触角优选为90度以下、更优选为75度以下。此外，上述接触角越小越优选，例如为15度以上、更优选为30度以上。若剥离膜16的与热固化型树脂膜12相对置的一侧的面与水的接触角为90度以下，则在热固化型树脂膜12和剥离膜16之间能良好地形成催化剂层14。尤其是在将剥离膜16浸溃于含催化剂的溶液而在剥离膜16上形成催化剂层14、并在形成有催化剂层14的面上贴合热固化型树脂膜12而制造电子部件用树脂片10的情况下，若剥离膜16的与热固化型树脂膜12相对置的一侧的面与水的接触角为90度以下，则含催化剂的溶液可良好地附着于剥离膜16。因此，可以在剥离膜16上更可靠地形成催化剂层14。上述接触角可以通过剥离膜的脱模剂处理、物理处理等表面处理来控制。剥离膜16具有在供于实用之前作为保护催化剂层14及热固化型树脂膜12的保护材的功能。在催化剂层14上形成非电解镀层19 (参照图8)时剥离剥离膜16。作为剥离膜16，可列举聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯等塑料膜、纸等。这些塑料膜、纸等可以利用氟系脱模剂、硅酮脱模剂、长链丙烯酸烷基酯系脱模剂等脱模剂进行表面涂布。但是，在表面涂布的情况下，优选使剥离膜16的与热固化型树脂膜12相对置的一侧的面与水的接触角为90度以下。剥离膜16的厚度没有特别的限定，例如优选为15 150 μ m的范围内、更优选为25 75ym的范围内。热固化型树脂膜12具有密封半导体芯片等电子部件的功能。作为热固化型树脂膜12的构成材料，可列举并用热可塑性树脂和热固化性树脂的材料。此外，也可以单独使用热固化性树脂。作为上述热塑性树脂，可列举:天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙、6，6_尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸树月旨、PET或PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、或氟树脂等。这些热塑性树脂可以单独使用或者并用两种以上。这些热塑性树脂中，特别优选离子性杂质少、耐热性高、且能够确保半导体芯片的可靠性的丙烯酸树脂。作为上述丙烯酸树脂，没有特别的限定，可列举以具有碳原子数为30以下、特别是碳原子数为4 18的直链或支链的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯中的一种或两种以上为成分的聚合物等。作为上述烷基，可列举例如:甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戍基、异戍基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或十二烷基等。此外，作为形成上述聚合物的其他单体，没有特别的限定，可列举例如:丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等各种含羧基单体；马来酸酐或衣康酸酐等各种酸酐单体；(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯或丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯等各种含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等各种含磺酸基单体；或者2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯等各种含磷酸基单体。作为上述热固化性树脂，可举出酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、硅酮树脂、或热固化性聚酰亚胺树脂等。这些树脂可以单独使用或并用两种以上。特别优选为腐蚀半导体元件的离子性杂质等的含量少的环氧树脂。此外，作为环氧树脂的固化剂，优选酚醛树脂。上述环氧树脂只要是通常用作胶黏剂组合物的环氧树脂，则没有特别的限定，可以使用例如双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟基苯基甲烷型、四羟苯基乙烷型等二官能环氧树脂或多官能环氧树脂、或者乙内酰脲型、三缩水甘油基异氰脲酸酯型或者缩水甘油基胺型等环氧树脂。这些环氧树脂可以单独使用或者并用两种以上。在这些环氧树脂中，特别优选酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型树脂或四苯基乙烷型环氧树脂。这是由于这些环氧树脂富有与作为固化剂的酚醛树脂的反应性且耐热性等优异。进而，上述酚醛树脂作为上述环氧树脂的固化剂发挥作用，可列举例如:苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基酚醛清漆树脂、壬基酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂、甲酚型酚醛树脂、聚对氧基苯乙烯等聚氧基苯乙烯等等。它们可以单独使用或并用两种以上。
有关上述环氧树脂与酚醛树脂的配合比例，例如优选以酚醛树脂中的羟基相对于上述环氧树脂成分中的每I当量环氧基为0.5 2.0当量的方式配合。更优选为0.8
1.2当量。即，这是由于若两者的配合比例在上述范围之外，则无法进行充分的固化反应，环氧树脂固化物的特性容易劣化。作为环氧树脂和酚醛树脂的热固化促进催化剂，没有特别限定，可适当从公知的热固化促进催化剂中加以选择使用。热固化促进催化剂可以单独使用或组合使用两种以上。作为热固化促进催化剂，可以使用例如胺系固化促进剂、磷系固化促进剂、咪唑系固化促进剂、硼系固化促进剂、磷-硼系固化促进剂等。此外，在热固化型树脂膜12中可以适当配合无机填充剂。无机填充剂的配合能够赋予导电性、提高热传导性、调节储存弹性模量等。作为上述无机填料，可列举例如:二氧化硅、粘土、石膏、碳酸钙、硫酸钡、氧化铝、氧化铍、碳化硅、氮化硅等陶瓷类，铝、铜、银、金、镍、铬、铅、锡、锌、钯、焊料等金属、或者合金类，以及其他的包含碳等的各种无机粉末等。这些无机填料可以单独使用或并用两种以上。其中，可以优选使用二氧化硅，特别优选使用熔融二氧化硅。无机填充剂的平均粒径优选在0.1 30 μ m的范围内，更优选在0.5 25 μ m的范围内。另外，本发明中可以组合使用平均粒径不同的无机填充剂。此外，平均粒径是利用分光光度式的粒度分布计(H0RIBA制、装置名；LA-910)求得的值。上述无机填充剂的配合量优选相对于有机树脂成分100重量份设定为100 1400重量份。特别优选为230 900重量份。在无机填充剂的配合量为100重量份以上时，耐热性、强度提高。此外，通过使无机填充剂的配合量为1400重量份以下，从而可以确保流动性。由此可以防止粘接性、埋入性降低。另外，热固化型树脂膜12中，除上述无机填充剂以外，还可以根据需要适当配合其他添加剂。作为其他添加剂，可列举例如阻燃剂、硅烷偶联剂、离子捕获剂、脱模剂、增塑剂等。作为上述阻燃剂，可以使用各种公知的阻燃剂成分，从降低环境负担的观点出发，优选使用氢氧化镁、氢氧化铝等金属氢氧化物、磷酸系化合物、磷腈(phosphazene)等有机磷系化合物等。它们可以单独使用或并用两种以上。作为上述硅烷偶联剂，可列举例如β -(3，4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷、Y -环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、Y -环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。这些化合物可以单独使用或并用两种以上。作为上述离子捕获齐U，可举出例如水滑石类、氢氧化铋等。它们可以单独使用或并用两种以上。作为上述脱模齐U，可以适当选择使用硅酮系脱模剂、长链烷基系脱模剂等一直以来使用的各种脱模剂。作为上述增塑剂，可列举例如单官能的丙烯酸类单体、单官能环氧树脂、液状环氧树脂、丙烯酸系树脂、环氧系稀释剂等。热固化型树脂膜12的粘度在成型温度下优选为IOOPa.s IOOOOPa.S、更优选为SOOPa.s 3000Pa.S。上述成型温度可以根据热固化型树脂膜12的组成等进行适当设定，例如为40 180°C、更优选为80 150°C。热固化型树脂膜12的厚度(在多层时为总厚度)没有特别的限定，但是若考虑电子部件的埋入性等，则优选100 μ m以上且1000 μ m以下。另外，热固化型树脂膜12的厚度可以考虑电子部件的厚度进行适当设定。电子部件用树脂片10中，可以在热固化型树脂膜12的与设置剥离膜16的一侧相反侧的面上设置覆盖膜(未图示)。作为上述覆盖膜，例如可以使用与剥离膜16同样的物质。在上述实施方式中对电子部件用树脂片由热固化型树脂膜12、剥离膜16和催化剂层14构成的的情况进行了说明。但是，本发明的电子部件用树脂片并不限定于该例，也可以具有其他的层。(电子部件用树脂片的制造方法)接着，对电子部件用树脂片10的一个制造方法进行说明。图2 图4是用于说明电子部件用树脂片的一个制造方法的剖面示意图。本实施方式的电子部件用树脂片的制造方法至少具备以下工序:在剥离膜16上形成用于非电解镀法的催化剂层14的工序；以及在形成有催化剂层14的面上贴合热固化型树脂膜12，得到依次层叠有剥离膜16、催化剂层14、及热固化型树脂膜12的电子部件用树脂片10的工序。作为剥离膜16的制膜方法，可例示出例如压延制膜法、有机溶剂中的浇注法、密闭体系中的吹塑挤出法、T模头挤出法、共挤出法、干式层压法等。作为催化剂层14的形成方法，可列举将剥离膜16浸溃于催化剂层形成用溶液18的方法(参照图2)。由此，得到带有催化剂层14的剥离膜16(参照图3)。作为催化剂层形成用溶液18，可列举例如锡-钯胶体溶液、钯离子络合物溶液等。作为浸溃时间，优选I 15分钟、更优选2 8分钟。此外，浸溃时的催化剂层形成用溶液18的温度优选20 70°C、更优选30 60°C。另外，优选的是，将剥离膜16浸溃于催化剂层形成用溶液18而形成催化剂层14后，对带有催化剂层14的剥离膜16进行水洗、及干燥。作为水洗的条件，可以设为以纯水洗涤3 10分钟。此外，作为干燥条件，可以设定为在70 130°C干燥5 10分钟。另一方面，准备热固化型树脂膜12。作为形成热固化型树脂膜12的工序，可以通过对热固化型树脂膜12的构成材料进行混炼、挤出从而得到热固化型树脂膜12。接着，在带有催化剂层14的剥离膜16的形成有催化剂层14的面上转印热固化型树脂膜12(参照图4)。该转印可以通过压接来进行。贴合温度优选为40 80°C、更优选为50 70°C。此外，贴合压力优选为0.1 0.6MPa、更优选为0.2 0.5MPa。由此，得到电子部件用树脂片10。在上述电子部件用树脂片的制造方法中对通过挤出成形来制造热固化型树脂膜的情况进行了说明。但是，本发明中，热固化型树脂膜的制造并不限定于该例，例如，还可以在进行在脱模膜上涂布作为热固化型树脂膜的构成材料的胶黏剂组合物溶液而形成涂布层的工序之后使上述涂布层干燥来制造热固化型树脂膜。在上述电子部件用树脂片的制造方法中对制作带有催化剂层的剥离膜并将其贴合于热固化型树脂膜而制造电子部件用树脂片的情况进行了说明。但是，本发明的电子部件用树脂片的制造方法并不限定于该例。例如还可以在制造热固化型树脂膜后将该热固化型树脂膜浸溃于催化剂层形成用溶液而在热固化型树脂膜上形成催化剂层、之后将剥离膜贴合于催化剂层上。(半导体装置的制造方法)接着，对使用电子部件用树脂片的半导体装置的一个制造方法进行说明。图5 图8是用于说明使用电子部件用树脂片的半导体装置的制造方法的一个例子的剖面示意图。本实施方式的电子部件用树脂片的制造方法至少具备以下工序:准备上述记载的电子部件用树脂片的工序；对上述电子部件用树脂片进行成型的工序；对成型后的上述电子部件用树脂片进行加热，使上述热固化型树脂膜热固化的工序；使上述热固化型树脂膜热固化后，剥离上述剥离膜的工序；以及利用非电解镀法在上述催化剂层上形成非电解镀层的工序。首先，准备上述记载的电子部件用树脂片10。接着，对电子部件用树脂片10进行成型。具体而言，将电子部件用树脂片10以设有半导体芯片42的基板40与热固化型树脂膜12相对置的方式按压，并以将半导体芯片42埋入热固化型树脂膜12的方式进行成型(参照图5)。由此，利用热固化型树脂膜12对半导体芯片42进行密封(参照图6)。埋入可以使用压制成型机、辊成型机并从电子部件用树脂片10的两侧施加压力来进行。由此，可以使半导体芯片42处于被热固化型树脂膜12密封的状态(参照图6)。埋入温度优选为60 150°C、更优选为80 120°C。此外，埋入压力优选为0.02 3MPa、更优选为0. 05 IMPa。接着，对成型后的电子部件用树脂片10进行加热，使热固化型树脂膜12热固化。热固化工序中的加热温度优选在90 200°C下进行、更优选在120 175°C下进行。此外，加热时间优选为30 240分钟、更优选为60 180分钟。使热固化型树脂膜12热固化后，接着，剥离剥离膜16(参照图7)。剥离可以使用以往公知的剥离装置来进行。接着，利用非电解镀法在催化剂层上形成非电解镀层19。具体而言，将层叠有具备半导体芯片42的基板40、热固化型树脂膜12和催化剂层14的层叠体浸溃于非电解镀液。作为非电解镀液的组成，可以根据所形成的非电解镀层19进行设定，可列举例如以硫酸铜水合物、EDTA(乙二胺四乙酸盐)为主成分的非电解镀液的组成。在非电解镀液中的浸溃时间可以根据所形成的非电解镀层19的厚度进行设定。例如，在形成膜厚(0.5μπι)的非电解镀层19的情况下，在非电解镀液中的浸溃时间可以为250 350秒左右。由此，可以在催化剂层14上形成非电解镀层19 (参照图8)。实施例以下，举例详细地说明本发明的优选的实施例。但是，该实施例中记载的材料、配合量等，只要没有特别的限定性的记载，则并不意味着将这些参数限定本发明的范围。另夕卜，以下“份”是指重量份。(实施例1)〈热固化型树脂膜的制作>将下述(a) (f)用双轴混炼机在120°C混炼5分钟并对其进行挤出，从而得到厚度为0.7 μ m的热固化型树脂膜A。(a)环氧树脂(新日铁化学公司制、YSLV-80XY)286份(b)酚醛树脂(明和化成公司制、MEH-7851-SS)303份(c)固化促进剂(四国化成工业公司制、2PHZ)6份(d) 二氧化硅填料(电气化学工业公司制、FB-9454-FC) 3695份(e)硅烷偶联剂(信越化学工业公司制、KBM-403)5份(f)作为填充剂的碳(三菱化学公司制、#20)5份
〈带有Pd核的剥离膜的制作>准备PET膜(三菱化学制MRF-50、厚度50 μ m、仅一面用硅酮处理的处理品)作为剥离膜。接着，在45°C的条件下将该PET膜在锡-钯胶体溶液(纯水、Rohm and Haas公司制CATAPREP404、CATAP0SIT44的混合液、混合比率为86: 10: 4)中浸溃4分钟。然后，在常温(23°C )下进行水洗。由此，得到在PET膜的非硅酮处理面侧形成有Pd (钯)核的带Pd核的剥离膜A。<电子部件用树脂片的制作>将带有Pd核的PET膜的非硅酮处理面与上述制作的热固化型树脂膜A贴合。此夕卜，准备未赋予催化剂核的PET膜(三菱化学制MRF-50、厚度50 μ m、仅一面用硅酮处理的处理品)作为覆盖膜A，在热固化型树脂膜A的未贴合带有Pd核的PET膜的面上贴合覆盖膜A。由此，得到本实施例1的电子部件用树脂片A。(实施例2)〈带有Pd核的剥离膜的制作>除了使用聚甲基戊烯膜(三井化学制、Opulent X-88BMT4、厚度50 μ m)作为剥离膜以外，与实施例1同样地得到带有Pd核的剥离膜B。<电子部件用树脂片的制作>除了使用上述带有Pd核的剥离膜B以外，与实施例1同样地得到本实施例2的电子部件用树脂片B。(实施例3)<电子部件用树脂片的制作>在45 V的条件下将热固化型树脂膜A在锡-钯胶体溶液(纯水、Rohm and Haas公司制CATAPREP404、CATAP0SIT44的混合液、混合比率为86: 10: 4)中浸溃4分钟。然后，在常温(23 °C)下进行水洗。接着，将作为剥离膜C而准备的PET膜(三菱化学制MRF-50、厚度50 μ m、仅一面用硅酮处理的处理品)的非硅酮处理面与热固化型树脂膜A贴合。此外，在热固化型树脂膜A的未贴合剥离膜C的面上贴合作为覆盖膜C而准备的PET膜(三菱化学制MRF-50、厚度50 μ m、仅一面用硅酮处理的处理品)的硅酮处理面。由此，得到本实施例3的电子部件用树脂片C。(接触角的测定)利用2/ Θ法对实施例1及实施例2中得到的带有Pd核的剥离膜与Pd核形成面的接触角进行了测定。结果如表I所示。(对剥离膜的镀层形成性的评价)在50°C下将实施例1的带有Pd核的剥离膜A及实施例2的带有Pd核的剥离膜B 在上述非电解镀液(纯水、Rohm and Haas 公司制、CIRCUP0SIT4500M、CIRCUP0SIT4500A、CIRCUP0SIT4500B的混合液、混合比率为72: 12: 6: 10)中浸溃4分钟，由此在带有Pd核的剥离膜表面形成镀铜层。通过目视观察树脂表面，将以带有Pd核的剥离膜表面整体设为100%时的、被镀敷的部分的面积的比例设为镀敷率。结果如表I所示。(对热固化型树脂膜的镀层形成性的评价)分别从实施例1 3的电子部件用树脂片剥离覆盖膜。接着，使热固化型树脂膜面与配置有多个半导体设备(例如半导体芯片等)的基板相对置，使用真空压力机在30torr、90°CUMPa的条件下进行成型。大气开放后，在150°C加热I小时，使树脂热固化。接着，剥离剥离膜，在50°C下将成型物在非电解镀液(纯水、Rohmand Haas公司制、CIRCUP0SIT4500M、CIRCUP0SIT4500A、CIRCUP0SIT4500B 的混合液、混合比率为72: 12: 6: 10)中浸溃4分钟，由此，在树脂表面形成镀铜层。通过目视观察树脂表面，将以树脂表面整体设为100%时的、被镀敷的部分的面积比例设为镀敷率。结果如表I所示。此外，将镀敷率为100%的情况评价为◎，将镀敷率为90%以上且小于100的情况评价为〇，将镀敷率小于90%的情况评价为X。结果如表I所示。表I
权利要求
1.一种电子部件用树脂片，其特征在于，具有热固化型树脂膜和剥离膜， 在所述热固化型树脂膜和所述剥离膜之间设置用于非电解镀法的催化剂层。
2.根据权利要求1所述的电子部件用树脂片，其特征在于，所述剥离膜的与所述热固化型树脂膜相对一侧的面与水的接触角为90度以下。
3.根据权利要求1所述的电子部件用树脂片，其特征在于，所述催化剂层含有钯催化剂。
4.一种电子部件用树脂片的制造方法，其特征在于，具备以下工序: 在剥离膜上形成用于非电解镀法的催化剂层的工序；以及 在形成有所述催化剂层的面上贴合热固化型树脂膜，得到依次层叠有剥离膜、催化剂层、及热固化型树脂膜的电子部件用树脂片的工序。
5.根据权利要求4所述的电子部件用树脂片的制造方法，其特征在于，所述剥离膜与水的接触角为90度以下。
6.根据权利要求4所述的电子部件用树脂片的制造方法，其特征在于，所述催化剂层含有钯催化剂。
7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备以下工序: 准备权利要求1 3中任一项所述的电子部件用树脂片的工序； 对所述电子部件用树脂片进行成型的工序； 对成型后的所述电子部件用树脂片进行加热，使所述热固化型树脂膜热固化的工序； 使所述热固化型树脂膜热固化后，剥离所述剥离膜的工序；以及 利用非电解镀法在所述催化剂层上形成非电解镀层。
全文摘要
本发明提供能够简便地形成非电解镀层的电子部件用树脂片。本发明的电子部件用树脂片，其具有热固化型树脂膜和剥离膜，在热固化型树脂膜和剥离膜之间设置用于非电解镀法的催化剂层。
文档编号H01L21/56GK103182817SQ20121055741
公开日2013年7月3日 申请日期2012年12月20日 优先权日2011年12月28日
发明者丰田英志, 山崎博司, 龟山工次郎, 松村健 申请人:日东电工株式会社