专利名称：半导体发光器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体发光器件。更具体地，本发明涉及一种具有提高的发光量的半导体发光器件。
背景技术：
在半导体发光器件中，优选的是发光层的发光表面上的亮度分布是均匀的。当半导体层的发光表面上的电流密度不均匀时，在大电流流动的地方劣化发展迅速。而且，在发光表面上的电流密度越均匀，从半导体发光器件发射的光变得越亮。因此，已经开发了使发光表面上的亮度均匀的技术。例如，专利文献I公开了一种半导体发光器件，其包括具有布置在芯片表面的相等间隔处的线性部分的电极(参考专利文献I的
段和图2)。电极形成在芯片表面的整个面积上。相应地，形成了在彼此相对的线性电极之间平行地发光的多个发光部分，并且从而半导体发光器件的发光表面能够均匀地发光(参考专利文献I的
段)。而且，还公开了其中设置了用于向电极馈送电力的多个馈电器的半导体发光器件(参考专利文献I的图23和图24)。专利文献I JP-A-2002-31970
发明内容
然而，即使当如上所述布置电极和馈电器时，仍留下了发光表面在其中心附近最亮的事实。原因在于电流易于集中在中心附近。也就是说，电流密度在发光表面的中心附近较大。做出了本发明来解决上面的问题，其目的是提供一种发光量在发光表面上均匀的半导体发光器件。根据第一方面的半导体发光器件，包括:第一导电型半导体层；发光层；第二导电型半导体层；第一极性的导电部分，其电气连接到第一导电型半导体层；以及第二极性的导电部分，其电气连接到第二导电型半导体层。第一极性的导电部分和第二极性的导电部分中的至少之一包括布置在发光表面上的多个分开的电极部分。分开的电极部分的位置较靠近发光表面的中心点，分开的电极部分被稀疏地设置，分开的电极部分的位置较远离发光表面的中心点 ，分开的电极部分被密集地设置。第一导电型半导体层为P-型半导体层或η-型半导体层。第二导电型半导体层为P-型半导体层或η-型半导体层，但是为具有不同于第一导电型半导体层的导电类型的半导体层。第一极性为正极或负极。第二极性为不同于第一极性的正极或负极。导电部分包括点电极、布线和平头电极。在半导体发光器件中，馈电的分开的电极部分与中心部分相比更多地布置在发光表面的周围部分。因此，与传统的半导体发光器件比较，电流更易于在发光表面的周围部分流动。从而，与传统的半导体发光器件的发光强度分布比较，在半导体发光器件的发光表面上的发光强度分布更加均匀。在根据第二方面的半导体发光器件中，多个分开的电极部分包括:第一分开的电极部分；以及第二分开的电极部分，第二分开的电极部分位于比第一分开的电极部分更远离中心点的位置处。第二分开的电极部分包括具有小于第一分开的电极部分的第一最近电极间距离的第二最近电极间距离的电极部分。最近电极间距离为分开的电极部分和最靠近分开的电极部分的第一极性的导电部分或最靠近分开的电极部分的第二极性的导电部分之间的距离。相应地，与传统的半导体发光器件比较，留下了电流更易于在在发光表面的周围部分流动的事实。因此，与传统的半导体发光器件的发光强度分布比较，在半导体发光器件的发光表面上的发光强度分布更加均勻。在根据第三方面的半导体发光器件中，最近电极间距离是第一极性的分开的电极部分和第二极性的导电部分之间的距离。由于第一极性的分开的电极部分和第二极性的导电部分(其包括分开的电极部分、布线、平头电极等)之间的距离在周围部分较窄，所以与传统的半导体发光器件的发光强度分布比较，在半导体发光器件的发光表面上的发光强度分布更加均匀。在根据第四方面的半导体发光器件中，第一极性的导电部分和第二极性的导电部分中的每一个均包括多个分开的电极部分。最近电极间距离为第一极性的导电部分的分开的电极部分和第二极性的导电部分的分开的电极部分之间的距离。由于第一极性的分开的电极部分和第二极性的分开的电极部分之间的距离在周围部分较窄，因此与传统的半导体发光器件的发光强度分布比较，在半导体发光器件的发光表面上的发光强度分布更加均匀。在根据第五方面的半导体发光器件中，仅第一极性的导电部分包括多个分开的电极部分。最近电极间距离为第一极性的导电部分的分开的电极部分和第二极性的导电部分之间的距离。在这种情况 下，第二极性的导电部分不具有分开的电极部分。因此，第一极性的分开的电极部分和第二极性的导电部分(其包括布线、平头电极等)之间的距离在周围部分较窄。因此，与传统的半导体发光器件的发光强度分布比较，在半导体发光器件的发光表面上分布的发光强度更加均匀。在根据第六方面的半导体发光器件中，第一极性的导电部分包括使第一极性的分开的电极部分彼此电气连接的第一极性的梳状布线部分。第二极性的导电部分包括使第二极性的分开的电极部分彼此电气连接的第二极性的梳状布线部分。越远离发光表面的中心点，使得第一极性的梳状布线部分上的分开的电极部分和第二极性的梳状布线部分的分开的电极部分之间的距离越窄。因此，与传统的半导体发光器件的发光强度分布比较，在半导体发光器件的发光表面上的发光强度分布更加均匀。在根据第七方面的半导体发光器件中，第一极性的导电部分包括电气连接分开的电极部分的具有梳状形状的第一极性的梳状布线部分。第二极性的导电部分包括具有梳状形状的第二极性的梳状电极部分。最近电极间距离为连接到第一极性的梳状布线部分的第一极性的分开的电极部分和第二极性的梳状电极部分之间的距离。越远离发光表面的中心点，使得第一极性的梳状布线部分的分开的电极部分和第二极性的梳状电极部分之间的距离越窄。因此，与传统的半导体发光器件的发光强度分布比较，在半导体发光器件的发光表面上的发光强度分布更加均匀。
在根据第八方面的半导体发光器件中，比率b/a处于1.05 < b/a < 1.45的范围内，其中，“a”表不位于离发光表面的中心点最远的第一线路上的分开的电极部分和位于仅次于第一线路离发光表面的中心点最远的第二线路上的分开的电极部分之间的最近电极间距离，并且“b”表示位于最靠近发光表面的中心点的第三线路上的分开的电极部分和位于仅次于第三线路最靠近发光表面的中心点的第四线路的分开的电极部分之间的最近电极间距离。在发光表面中的发光强度分布变得更加均匀。在根据第九方面的半导体发光器件中，最近电极间距离b与最近电极间距离a的比b/a在1.15 ( b/a ( 1.35的范围内。在发光表面中的发光强度分布变得更加均匀。根据第十方面的半导体发光器件，第一极性的导电部分包括第一极性的分开的电极部分。最近电极间距离为第一极性的分开的电极部分之间的距离。原因如下:还是在具有平面形状的平面电极部分的倒装芯片中，使得相同的极性的分开的电极部分之间的距离在周围部分更窄，使得在发光表面中的发光强度分布变得更加均匀。根据本发明，设置了一种发光量在发光表面上均匀的半导体发光器件。
图1为用于图示根据第一示例性实施例的发光器件的平面图；图2为用于图示根据第一示例性实施例的发光器件的结构的示意配置图；图3为用于图示根据第一示例性实施例的发光器件中的点电极的布置位置的视图；图4为用于图示已经为根据第一示例性实施例的发光器件执行的测试方法的视·
图5为示出为根据第一示例性实施例的发光器件执行的测试的结果的曲线图；图6为用于图示根据第二示例性实施例的发光器件中的点电极的布置位置的视图；图7为用于图示根据第二示例性实施例的发光器件的结构的示意配置视图；图8为用于图示根据第三示例性实施例的发光器件中的点电极的布置位置的视图；图9为用于图示根据第三示例性实施例的发光器件的结构的示意配置视图；图10为用于图示根据第四示例性实施例的发光器件的结构的投影图；图11为用于图示根据第四示例性实施例的发光器件的结构的示意配置视图；图12为用于图示根据第四示例性实施例的发光器件中的点电极的布置位置的视图；以及图13为用于图示根据第五示例性实施例的发光器件中的点电极的布置位置的视图。
具体实施例方式下文中，将结合附图描述本发明的特定示例性实施例，同时举例说明半导体发光器件。然而，本发明不限于示例性实施例。也就是说，本发明可以应用于P辅助电极和η辅助电极中的至少一部分开(分离)布置的发光器件。而且，下面将要描述的各个层的堆叠结构和发光器件的电极结构仅为示例性的。堆叠结构是否不同于示例性实施例的堆叠结构是无关紧要的。在各个附图中，概念地示出了每层的厚度而不指示实际厚度。[第一示例性实施例]1.半导体发光器件描述了该示例性实施例的半导体发光器件。图1为从光抽取表面看到的该示例性实施例的发光器件100的平面图。为了理解电极结构，各个电极和布线被示出为可见的。发光器件100为面向上型发光器件。P平头电极(pad electrode) PX和η平头电极NX设置在存在于P-型层侧的光抽取表面上。也就是说，P平头电极PX和η平头电极NX被布置为使得它们被暴露于P-型层侧的表面。如图1所示，多个P点电极(PCl I等)和多个η点电极(NLl I等)被分开布置在该不例性实施例的发光器件100的一个表面上。而且,例如，P点电极(PC11等)和η点电极(NL11等)在平行于光抽取表面的截面中的截面形状为圆形。然而，截面形状可以是多边形。也可能是其它形状。P点电极(PCl I等)经由P布线(PKl等)电气连接到P平头电极ΡΧ。P点电极(PCl I等)和P布线(PKl等)为用于电气连接P-型层和P平头电极PX的P辅助电极。P点电极为分开地布置在发光表面上的正极的分开的电极部分。也就是说，P辅助电极具有分开的电极部分(P点电极)和布线(P布线)。也就是说，至少一部分P辅助电极具有分开的电极部分。 η点电极(NLlI等)经由η布线(NKl等)电气连接到η平头电极NX。η点电极(NLlI等)和η布线(NKl等)为用于电气连接η-型层和η平头电极NX的η辅助电极。η点电极为分开布置在发光表面上的负极的分开的电极部分。也就是说，η辅助电极具有分开的电极部分(η点电极)和布线(η布线)。也就是说，至少一部分η辅助电极具有分开的电极部分。如图1所示，P布线ΡΚ1、ΡΚ2、ΡΚ3为具有梳状形状的梳状P布线部分。η布线ΝΚ1，ΝΚ2也为具有梳状形状的梳状η布线部分。由P布线ΡΚ1、ΡΚ2、ΡΚ3构成的三条线的梳状P布线部分和由η布线ΝΚ1、ΝΚ2构成的两条线的梳状η布线部分被布置为使得各个线彼此啮合(engage)。p点电极(PL11等)沿着p布线的梳状p布线部分的线以线形布置。η点电极(NL11等)沿着η布线的梳状η布线部分的线以线形布置。P布线PKl使P点电极PCl1、PC12彼此电气连接，并且也将P点电极PCl1、PC12和P平头电极PX电气连接。而且对于其它的P布线ΡΚ2、ΡΚ3，P布线使P点电极彼此电气连接并且也将P点电极与P平头电极PX连接。η布线NKl使η点电极NL11、NL12、NL13彼此电气连接，并且也将η点电极NL11、NL12、NL13和η平头电极NX电气连接。还是对于η布线ΝΚ2，η布线使η点电极彼此电气连接并且连接η点电极和η平头电极NX。P点电极被布置在中心部分的第一 P区域以及其两侧的第二 P区域和第三P区域中。在第一 P区域中，P点电极PC11、PC12以线形布置。在第二 P区域，P点电极PL11、PL12、PL13、PL14以线形布置。在第三P区域，P点电极PR11、PR12、PR13、PR14以线形布置。P点电极用F1D共同表不。η点电极被布置在第一 η区域和第二 η区域中。在第一 η区域中，η点电极NLl1、NL12、NL13以线形布置。在第二 η区域中，η点电极NR11，NR12，NR13以线形布置。η点电极用ND共同表示。
同时，如图1所示，第一 η区域被布置在第一 p区域和第二 p区域之间。而且，第二 η区域被布置在第一 P区域和第三P区域之间。图2为示出沿图1的线Jl-Jl截取的发光器件100的截面结构的视图。在图2中，图1 中所示的 P 点电极 PC11、PC12、PL11、PL12、PL13、PL14、PR11、PR12、PR13、PR14 用 P 点电极H)共同表示。同样，图1所示的η点电极111、112、113、殿11、殿12、殿13用11点
电极ND共同表示。发光器件100具有蓝宝石基底10、半导体层20、透明导电膜40、绝缘层50、绝缘层60、P点电极PD、P布线ΡΚ、P平头电极ΡΧ、η点电极ND、η布线NK和η平头电极NX。半导体层20为由GaN基半导体制成的堆叠层。半导体层20具有n_型层、发光层和P-型层。η-型层具有η-型接触层、耐静电电压层和η-型镀层。发光层位于ρ_型层和η-型层之间。发光层为InGaN层和AlGaN层重复地堆叠的MQW层。而且，发光层可以为GaN层和AlGaN层重复地堆叠的层。也可能是其它MQW层。而且，发光层可以为SQW层。ρ-型层具有P-型镀层和P-型接触层。作为半导体层20，已经举例说明了 GaN基半导体。然而，本发明不限于此。也就是说，还可以是GaN基半导体之外的III族氮化物半导体。而且，可以是其它的半导体。透明导电膜40为接触半导体层20的ρ-型接触层的导电层。透明导电膜40由ITO制成。除此之外，还可以使用ICO、IZ0、Zn0、Ti02、NbTi02、TaTiO2等。绝缘层50、60为由绝缘材料制成的透明膜。例如，可以使用Si02。除此之外，也可采用其它的绝缘和透明材料。
此处，ρ点电极ro被形成为直接接触透明导电膜40。ρ点电极ro电气连接到ρ布线PK。像这样，半导体层20的P-型接触层经由透明导电膜40、p点电极ro和P布线PK电气连接到P平头电极ΡΧ。η点电极ND直接形成在半导体层20的η-型接触层上。为此，一部分η-型接触层暴露，并且η点电极ND形成在暴露的地方。η点电极ND电气连接到η布线ΝΚ。像这样，半导体层20的η-型接触层经由η点电极ND和η布线NK电气连接到η平头电极NX。同时，ρ点电极F1D和η点电极例如由Ni/Au/Al制成。而且，ρ布线PK和η布线NK可以由相同的材料制成。ρ平头电极PX和η平头电极NX也可以由相同的材料制成。如图1和图2所示，ρ平头电极PX和η平头电极NX从保护膜中暴露。因此，P平头电极PX可以与P布线整合。η平头电极NX可以与η布线整合。实际上，图1和2示出它们被整合。如上所述，P点电极ro、p布线PK和P平头电极PX彼此电气连接。它们经由透明导电膜40电气连接到P-型接触层。相应地，P点电极ro、p布线PK和P平头电极PX配置第一极性的导电部分。同时，η点电极ND、η布线NK和η平头电极NX彼此电气连接。它们电气连接到η-型接触层。相应地，η点电极ND、η布线NK和η平头电极NX配置第二极性的导电部分。同时，由于第一极性和第二极性为了方便而定义，所以极性可以相反。也就是说，当η点电极ND、η布线NK和η平头电极NX被定义为第一极性的导电部分时，ρ点电极H)、P布线PK和ρ平头电极PX配置第二极性的导电部分。2.点电极
2-1.点电极的布置位置图3示出P点电极H)和η点电极ND的平面布置。如图3所示，线L1、L2、L3、L4、L5彼此平行。线L3布置在将发光器件100 二等分的位置处。在图3中，点O设置在发光器件100的发光表面的中心处。虚构地示出点O。也就是说，实际上，发光器件100没有设置点O。在线LI上，P点电极PL11、PL12、PL13、PL14被以线形在相等间隔Dl处布置。在线L2上，η点电极NL11、NL12、NL13被以线形在相等间隔D2处布置。在线L3上，P点电极PC11、PC12被以线形在相等间隔Dl处布置。此处，间隔Dl和间隔D2相同。点O位于P点电极PCll和P点电极PC12之间的中途点(halfway point)处。η点电极NLl1、NL12在线方向上的位置与点O在线方向上的位置相同。也就是说，以线形在相等间隔Dl处布置的各P点电极之间的线方向上的中途点的位置与以线形在相等间隔D2处布置的线方向上的η点电极的位置相同。线L4与线L2关于作为对称轴的线L3对称。线L5与线LI关于作为对称轴的线L3对称。2-2.点电极间距离此处，描述了点电极间距离。在该示例性实施例中，点电极间距离意味着具有不同的极性的点电极之间的距离，即，最近电极间距离。也就是说，点电极间距离为P辅助电极的分开的电极部分(每个P点电极PD)和最靠近对应的分开的电极部分的η辅助电极的分开的电极部分(每个η点电极ND )之间的距离。P点电极PLll和最靠近P点电极PLll的η点电极NLll之间的点电极间距离为al。同样，布置在线LI上的P点电极PL11、PL12、PL13、PL14和布置在线L2上并且最靠近相应的P点电极的η点电极NLll、NL12、NL13之间的点电极间距离为al。P点电极PCll和最靠近P点电极PCll的η点电极NLll之间的点电极间距离为bl。同样，布置在线L3上的P点电极PC11，PC12和布置在线L2上并且最靠近相应的P点电极的η点电极NLll、NL12、NL13之间的点电极间距离为bl。2-3.线间距离此处，描述了线间距离。线LI为离点O最远的第一线。线L2为仅次于线LI离点O最远的第二线。线L3为最靠近点O的第三线。线L2也为仅次于线L最靠近点O的第四线。也就是说，线L2充当第二线和第四线二者。在该示例性实施例中，线LI和线L2之间的距离A小于线L2和线L3之间的距离B。因此，点电极间距离al小于点电极间距离bl。也就是说，远离发光器件100的中心点O的线和最靠近对应的线的线之间的距离较小。对于越远离发光器件100的中心点O的线的点电极，点电极间距离越小。相反，对于离发光器件100的中心点O越近的线的点电极，点电极间距离越大。也就是说，越远离发光器件100的中心点0，电极被密集设置。因此，越远离发光器件100的中心点0，点电极密度变得越高。相反，越靠近发光器件100的中心点0，点电极密度变得越低。因此，例如，P点电极PCll和η点电极NL11，NL12形成等腰三角形。其底的长度为D2并且其高为距离B。同时，η点电极NLll和P点电极PL11、PL12形成等腰三角形。其底的长度为Dl并且其高为距离Α。等腰三角形的底相同(D1=D2)。等腰三角形的高不同。
如上所述，在发光器件100中，在更靠近发光表面的中心点O的位置处松散地设置点电极，并且在更远离发光表面的中心点O的位置处密集地设置点电极。3.点电极间距离和发光趋势3-1.电流密度发光器件100的发光趋势取决于在发光表面上的电流密度的分布。从而,首先描述电流密度。此处,举例说明η点电极NLll和ρ点电极PCll之间的电流路径。电子被从η点电极NLll注入到η-型接触层并沿水平方向(发光表面方向)扩散到η-型接触层，并且一部分电子沿垂直方向(垂直于发光表面的方向)流动。也就是说，沿垂直方向流动的电子经由发光层、P-型接触层和透明导电膜40到达ρ点电极PClI。因此，电流密度取决于电子沿水平方向的阻抗，S卩，η-型接触层和透明导电膜40的电阻。从而，η点电极(NL11等)和ρ点电极(PL11等)之间的距离越近，电流越易于流动。3-2.在传统发光器件中的发光趋势同时，根据传统半导体发光器件，发光器件的中心部分较亮而其周围部分与中心部分相比较暗。原因是在发光器件中流动的电流集中在中心部分并且难以流至周围部分的趋势。这种趋势是由于电流难以充分扩散到发光层的发光表面引起的。因此，已经开发了使得电流能够通过点电极流至周围部分的技术。然而，留下了电流易于集中在中心部分的趋势。3-3.本示例性实施例的发光器件中的发光趋势相应地，当使得电流能够容易地在周围部分流动时，可以实现在发光表面上的基本均匀的发光趋势。也就是说，在该示例性实施例的发光器件100中，能够使得电流容易地在周围部分流动，从而使得发光表面的中心部分处输出的光发射基本与周围部分的光发射相同。`3-4.对发光趋势的控制能够通过设置相应的点电极的布置位置控制发光器件100的发光趋势。通过调整点电极间距离，可以调整电阻。通过适当地选择电极间距离，可以使得发光层的平面内电流密度均匀。4.测试4-1.测试方法下面，描述了已经对本示例性实施例的发光器件100执行的测试。在该测试中，在改变图3的点电极间距离al、bl的同时测量了发光器件100的亮度等。具体地，如图4所示，通过改变线LI和线L2之间的距离A和线L2和线L3之间的距离B的比调整点电极间距离。此处，可以使用al和bl表示距离A和B。也就是说，满足下面的数学式。A=al X cos ( θ I)B=blXcos ( θ 2)此处，角度Θ I为由连接η点电极NL12和ρ点电极PL12的线和线L6形成的角度。角度Θ 2为由连接η点电极NL12和ρ点电极PCll的线和线L6形成的角度。线L6为穿过P点电极PCl I和ρ点电极PL12的线。在测试中，用具有下列三个值的Β/Α测量亮度等。Β/Α和bl/al之间的对应关系如下。
权利要求
1.一种半导体发光器件，包括: 第一导电型半导体层； 发光层; 第二导电型半导体层； 第一极性的导电部分，其电气连接到所述第一导电型半导体层；以及 第二极性的导电部分，其电气连接到所述第二导电型半导体层， 其中，所述第一极性的导电部分和所述第二极性的导电部分中的至少之一包括布置在发光表面上的多个分开的电极部分，以及 其中，所述分开的电极部分的位置越靠近所述发光表面的中心点，所述分开的电极部分被越稀疏地设置，所述分开的电极部分的位置越远离所述发光表面的中心点，所述分开的电极部分被越密集地设置。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中， 所述多个分开的电极部分包括:第一分开的电极部分；以及第二分开的电极部分，所述第二分开的电极部分位于比所述第一分开的电极部分更远离所述中心点的位置处， 所述第二分开的电极部分包括具有小于所述第一分开的电极部分的第一最近电极间距离的第二最近电极间距离的电极部分，以及 所述最近电极间距离为所述分开的电极部分和最靠近所述分开的电极部分的所述第一极性的导电部分或最靠近所述分开的电极部分的所述第二极性的导电部分之间的距离。
3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中， 所述最近电极间距离是第一极性的分开的电极部分和所述第二极性的导电部分之间的距离。
4.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中， 所述第一极性的导电部分和所述第二极性的导电部分中的每一个均包括多个所述分开的电极部分，以及 所述最近电极间距离为所述第一极性的导电部分的分开的电极部分和所述第二极性的导电部分的分开的电极部分之间的距离。
5.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中， 仅所述第一极性的导电部分包括所述多个分开的电极部分，以及所述最近电极间距离为所述第一极性的导电部分的分开的电极部分和所述第二极性的导电部分之间的距离。
6.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其中， 所述第一极性的导电部分包括使所述第一极性的分开的电极部分彼此电气连接的所述第一极性的梳状布线部分，以及 所述第二极性的导电部分包括使所述第二极性的分开的电极部分彼此电气连接的第二极性的梳状布线部分。
7.根据权利要求5所述的半导体发光器件，其中， 所述第一极性的导电部分包括电气连接所述分开的电极部分的具有梳状形状的第一极性的梳状布线部分， 所述第二极性的导电部分包括具有梳状形状的第二极性的梳状电极部分，以及所述最近电极间距离为连接到所述第一极性的梳状布线部分的所述第一极性的分开的电极部分和所述第二极性的梳状电极部分之间的距离。
8.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其中， 比率b/a处于1.05 ( b/a ( 1.45的范围内， 其中， “a”表不位于离所述发光表面的中心点最远的第一线上的所述分开的电极部分和位于仅次于所述第一线离所述发光表面的中心点最远的第二线上的所述分开的电极部分之间的所述最近电极间距离，并且 “b”表示位于最靠近所述发光表面的中心点的第三线上的所述分开的电极部分和位于仅次于所述第三线最靠近所述发光表面的中心点的第四线的所述分开的电极部分之间的所述最近电极间距离。
9.根据权利要求8所述的半导体发光器件，其中， 所述最近电极间距离b与所述最近电极间距离a的所述比率b/a在1.15 ( b/a ( 1.35的范围内。
10.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中， 所述第一极性的导电部分包括所述第一极性的分开的电极部分，以及 所述最近电极间距离为所述 第一极性的所述分开的电极部分之间的距离。
全文摘要
提供一种半导体发光器件，包括第一导电型半导体层；发光层；第二导电型半导体层；第一极性的导电部分，其电气连接到第一导电型半导体层；以及第二极性的导电部分，其电气连接到第二导电型半导体层。第一极性的导电部分和第二极性的导电部分中的至少之一包括布置在发光表面上的多个分开的电极部分。分开的电极部分的位置越靠近发光表面的中心点，分开的电极部分被稀疏地设置，分开的电极部分的位置越远离发光表面的中心点，分开的电极部分被密集地设置。
文档编号H01L33/38GK103247734SQ20131005206
公开日2013年8月14日 申请日期2013年2月17日 优先权日2012年2月14日
发明者神谷真央, 柏本启佑, 斋藤仁美, 野田尚伸 申请人:丰田合成株式会社