导电薄膜的消影方法与流程

技术特征：
1.一种导电薄膜的消影方法，所述导电薄膜包括基板、位于基板上的电极区及位于基板上的非电极区，所述电极区形成所述导电薄膜的图案，所述电极区包括基质及纳米金属，其特征在于，在形成所述导电薄膜的过程中，所述消影方法包括如下步骤：(a).利用光刻胶保护膜来保护所述电极区；(b).将填充液涂布于非电极区后，进行固化；所述填充液包括溶剂、基质物及纳米颗粒；所述溶剂为水或乙醇；所述基质物为聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯酸酯和聚丙烯腈、聚乙烯醇、聚酯、聚氯乙烯、羟丙基甲基纤维素、或羧甲基纤维素钠；所述纳米颗粒为金属氧化物颗粒或金属纳米颗粒；所述纳米颗粒的大小为0.1μm~100μm；(c).用腐蚀液去除所述光刻胶保护膜，使所述非电极区和所述电极区的折射率相同或相近、雾度相差≤3%、透过率相差≤1%。2.如权利要求1所述的导电薄膜的消影方法，其特征在于：所述溶剂的含量为95%~99%，所述基质物的含量为0.01%~3%。3.如权利要求2所述的导电薄膜的消影方法，其特征在于：所述基质物的含量为0.05%~1%。4.如权利要求1所述的导电薄膜的消影方法，其特征在于：所述金属氧化物颗粒为二氧化钛、氧化铁或氧化锌。5.如权利要求1所述的导电薄膜的消影方法，其特征在于：所述纳米颗粒的大小为1μm~20μm。6.如权利要求1所述的导电薄膜的消影方法，其特征在于：经过步骤(c)之后，所述非电极区具有与所述电极区同种基质的绝缘纳米金属网格。7.如权利要求6所述的导电薄膜的消影方法，其特征在于：所述纳米金属网格的方阻大于106Ω/□。8.如权利要求1所述的导电薄膜的消影方法，其特征在于：所述填充液的配制在室温下进行，将大小为1μm~10μm、含量为10%的纳米银颗粒水溶液，取X1*20g溶于去离子水的混合溶液中，搅拌，再将X1*3g聚乙烯醇添加至上述溶液中，搅拌；所述X1为比例系数且数值相同。9.如权利要求1所述的导电薄膜的消影方法，其特征在于：所述填充液的配制在室温下进行，将大小为1μm~10μm、含量为10%的纳米银颗粒水溶液，取X2*20g溶于去离子水的混合溶液中，搅拌，再将X2*0.1g羟丙基甲基纤维素(HPMC)添加至上述溶液中，搅拌；所述X2为比例系数且数值相同。10.如权利要求1至9项中任意一项所述的导电薄膜的消影方法，其特征在于：步骤(b)中，将填充液涂布于非电极区后，在100℃的温度下烘烤10分钟进行固化；步骤(c)中，所述腐蚀液为5%的氢氧化钠的溶液，在去除所述光刻胶保护膜之后，在100℃的温度下烘烤10分钟。