绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

绝缘栅双极型晶体管及其制造方法
【专利摘要】一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，该绝缘栅双极型晶体管制造方法在制造IGBT时先在N型衬底上注入一层N型离子形成N+载流子增强区，然后再形成IGBT正面结构和背面结构。通过在N型衬底上注入一层N型离子形成N+载流子增强区来减小高温漏电流。因此，该绝缘栅双极型晶体管具有高温漏电流小的优点。
【专利说明】绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体元件制造方法，特别是涉及一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。

【背景技术】
[0002]绝缘栅双极型晶体管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种常用的通过电压控制的功率开关器件。其具有输入电容大、输入阻抗高、驱动电流小、速度快、耐压高、热稳定性强、工作温度高、控制电路简单等特点，现阶段已经成为电力电子装置的主流器件。
[0003]IGBT器件从20世纪80年代发明至今，经历了 PT (punch-through，穿通)型，具有N+缓冲层的PT (punch-through,穿通)型，以及NPT (non-punch through非穿通)型等等一系列的演变。IGBT芯片的厚度也从初期的300 μ m减小至现在的70 μ m左右，芯片加工工艺，尤其薄片加工工艺要求越来越高。
[0004]IGBT器件作为现代电力电子装置的主流器件，在开关电源、整流器、照明电路、牵引传动以及感应加热等领域有着广泛的应用。现有的IGBT器件在使用时在集电极和发射极之间容易产生高温漏电。高温漏电流较大时，会导致IGBT器件的结温上升，导致器件发生失效。最常用的解决IGBT器件高温漏电流大的工艺方法是改变钝化层的结构。然而改变钝化层结构解决高温漏电的工艺复杂，成本高，且收效甚微。


【发明内容】

[0005]基于此，有必要提供一种绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管具有高温漏电流小的优点。
[0006]此外，还提供一种上述绝缘栅双极型晶体管的制造方法，绝缘栅双极型晶体管的制造方法制造的绝缘栅双极型晶体管具有高温漏电流小的优点。
[0007]—种绝缘栅双极型晶体管，包括N型衬底、IGBT正面结构、形成于N型衬底背面的P+层以及形成于P+层上远离N型衬底一侧的背面金属层，所述N型衬底和IGBT正面结构之间还具有一层N+载流子增强区，所述IGBT正面结构形成于所述N+载流子增强区上。
[0008]在其中一个实施例中，所述N+载流子增强区的掺杂浓度为1E15?lE16cm_3。
[0009]在其中一个实施例中，所述N+载流子增强区的厚度为8μπι?12 μ m。
[0010]在其中一个实施例中，所述IGBT正面结构包括MOS结构和形成于MOS结构周围的P环结构。
[0011]在其中一个实施例中，所述N型衬底的晶向为< 100 >。
[0012]一种绝缘栅双极型晶体管制造方法，所述绝缘栅双极型晶体管制造方法包括如下步骤:提供一个N型衬底；在所述N型衬底上注入一层N型离子形成N+载流子增强区；在所述N+载流子增强区上形成IGBT正面结构；减薄所述N型衬底，在所述N型衬底的背面上进行P型杂质注入形成P+层；在所述P+层上淀积金属，形成背面集电极的背面金属层。
[0013]在其中一个实施例中，所述N型离子为磷。
[0014]在其中一个实施例中，所述磷离子注入时的注入能量为40?160KeV，注入剂量为IEll ?lE13cm_2。
[0015]在其中一个实施例中，所述IGBT正面结构包括MOS结构和形成于MOS结构周围的P环结构。
[0016]在其中一个实施例中，所述N型衬底的晶向为< 100 >。
[0017]上述绝缘栅双极型晶体管制造方法在制造IGBT时先在N型衬底上注入一层N型离子形成N+载流子增强区，然后再形成IGBT正面结构和背面结构。N型衬底上注入的N型离子能够增加离子浓度和数量，从而相对缩小可动离子占全部离子的比例，可动离子占全部离子的比例下降了，高温漏电流也就减小了。

【专利附图】

【附图说明】
[0018]图1为一个实施例的绝缘栅双极型晶体管制造方法流程图；
[0019]图2为一个实施例的绝缘栅双极型晶体管正面结构制造流程图；
[0020]图3?17为一个实施例的绝缘栅双极型晶体管制造方法各个制造流程的绝缘栅双极型晶体管制造方法的结构图。

【具体实施方式】
[0021 ] 请参考图1，本发明的一个实施方式提供一种绝缘栅双极型晶体管制造方法。该绝缘栅双极型晶体管制造方法包括如下步骤:
[0022]步骤S110，提供一个N型衬底。该N型衬底的晶向为< 100 >并经过氧化工艺。另外，该N型衬底是直拉单晶法制造的。
[0023]步骤S120，在N型衬底上注入一层N型离子形成N+载流子增强区。如图3所示，N型衬底I上形成有N+载流子增强区21。在该实施例中，N型离子为磷。在进行磷离子注入工艺时，离子注入的注入能量为40?160KeV，注入剂量为IEll?lE13cm_2。
[0024]步骤S130，在N+载流子增强区21上形成IGBT正面结构。在该实施例中，IGBT正面结构包括 MOS (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属-氧化层-半导体-场效晶体管)结构和形成于MOS结构周围的P-ring (P环)结构。此处的MOS结构是指金属-氧化层-半导体-场效晶体管的结构。P-ring结构可以提高所形成的IGBT器件的耐压。
[0025]在该步骤S130中，IGBT正面结构的形成具体包括如下步骤。
[0026]请参考图2。步骤S131，场氧化。请参考图4，通过高温氧化工艺在N+载流子增强区21形成场氧层3。在高温氧化过程中，图4中的N+载流子增强区21是经过推阱后形成的N+载流子增强区21。
[0027]步骤S132，制备P-ring。请参考图5，采用P_ring光刻版进行光刻，并进行硼离子注入,形成P-ring41。然后在去除场氧层3上的光刻胶后对P_ring进行高温推结工艺,生成阱氧层。如图6所示，41为高温推结后的P-ring，5为高温推结时形成的阱氧层。
[0028]步骤S133，制备多晶硅栅。采用湿法刻蚀去除有源区氧化层，然后通过栅氧工艺、多晶硅淀积工艺、多晶硅掺杂工艺，并采用Poly (多晶硅)光刻版进行刻蚀形成MOS管的栅极。如图7所示，6为经刻蚀工艺后形成的栅氧层，此处是将氧氧化层和多晶硅层画在了一起，栅氧层6即为MOS管的栅极。
[0029]步骤S134，制备P本体。利用多晶硅栅进行自对准硼离子注入工艺形成P本体。如图8所示，71为硼离子注入后形成的P本体。在进行离子注入工艺后还要进行高温推结工艺。对多晶硅和P本体71进行杂质激活和推结。如图9所示，71为推阱后的P本体。
[0030]步骤S135，制备N+隐埋层。利用多晶硅栅进行自对准砷离子注入工艺，形成N+隐埋层。如图10所示，81为注入后的N+隐埋层。在进行离子注入工艺后还要进行高温推结工艺。对N+隐埋层81进行杂质激活和推结。如图11所示，81为经过杂质激活和推结后的N+隐埋层。
[0031 ] 步骤S136，制备P+隐埋层。首先淀积氧化层，然后进行隔离区腐蚀和硅刻蚀，接着进行硼离子注入，这样就可以形成P+隐埋层91。如图12所示，10为形成的隔离区，91为硼离子注入后的P+隐埋层，11为刻蚀硅，此处的硅被刻蚀掉了，所以此处为空的。在进行离子注入工艺后还要进行高温推结工艺。对P+隐埋层91进行杂质激活和推结，同时形成氧化层。如图13所示，91为退火后的P+隐埋层。另外，在该实施例中，被刻蚀掉的硅的厚度为
0.15 μ m?0.3 μ m。这样的厚度可以获得良好的杂质分布和更大的金属接触面积，从而提高IGBT器件的性能。
[0032]步骤S137,制备层间介质层。淀积硼磷娃玻璃(boro-phospho-silicate-glass,BPSG)并回流，形成层间介质层12。如图14所示，12为形成的层间介质层。
[0033]步骤S138，正面金属化。首先进行孔刻蚀工艺，然后溅射金属工艺，最后采用Metal (金属)光刻版刻蚀金属以形成金属引线，也就是形成正面金属区。如图15所不，13为形成的正面金属区。
[0034]步骤S140，减薄N型衬底，在N型衬底I的背面上进行P型杂质注入形成P+层。将N型衬底I减薄至所需厚度，然后在背面进行硼离子注入和退火工艺，形成衬底PN结。如图16所示，14为经背面减薄后、离子注入及退火工艺后形成的P+层。
[0035]步骤S150，在P+层上淀积金属，形成背面集电极的背面金属层。对背面溅射金属形成集电极金属引线。如图17所示，15为经过背面溅射金属工艺后形成的背面金属层。背面金属层15也就是集电极金属引线。这样，该绝缘栅双极型晶体管即制造完成了。
[0036]经过上述工艺过程，IGBT器件就制造完成了。该绝缘栅双极型晶体管制造方法在制造IGBT时先在N型衬底上注入一层N型离子形成N+载流子增强区，然后再形成IGBT正面结构和背面结构。N型衬底上注入的N型离子能够增加离子浓度和数量，从而相对缩小可动离子占全部离子的比例。可动离子占全部离子的比例下降了，高温漏电流也就减小了。因此，该绝缘栅双极型晶体管制造方法改善了高压功率器件IGBT的高温漏电流过大的现象。另外，从上述绝缘栅双极型晶体管制造工艺流程可以看出，该绝缘栅双极型晶体管制造方法与现有的工艺兼容性好，无需专用的设备。这样就可以大大降低工艺成本，减少特殊设备购买的费用。
[0037]本发明的另一个实施例提供一种绝缘栅双极型晶体管。该绝缘栅双极型晶体管采用上一个实施例的制造方法制造而成。请参考图17，该绝缘栅双极型晶体管包括N型衬底
1、形成于N型衬底I正面的IGBT正面结构、形成于N型衬底I背面的P+层14以及形成于P+层14上远离N型衬底I 一侧的背面金属层15。另外，N型衬底I和IGBT正面结构之间还具有一层N+载流子增强区21，IGBT正面结构形成于N+载流子增强区21上。
[0038]在该实施例中，该绝缘栅双极型晶体管的IGBT正面结构包括MOS结构和形成于MOS结构周围的P环结构。具体的，N+载流子增强区21上形成有P本体区71和P环41。P本体区71内形成有N+区81，N+区81内形成有P+区91。P本体区71、N+区81的上方形成有栅氧层6。栅氧层6形成MOS结构的栅极。栅氧层6的上方形成有正面金属区13。在N+区81上方并且在栅氧层6的侧方形成有隔离区10，也就是说隔离区10形成于P+区91的两侧。P环41的上方形成有阱氧层5。在阱氧层5的两侧形成有隔离区12。
[0039]其中，P本体区71、N+区81、P+区91以及栅氧层6等结构共同组成了 MOS结构。P环41、阱氧层5和隔离区12等结构共同组成了 P环结构。MOS结构和P环结构之间具有场氧层3。可以理解的是，上述IGBT正面结构以及组成IGBT正面结构的MOS结构和P环结构至少实现IGBT器件功能的结构中一种结构，本【技术领域】人员也可以采用其它合适的IGBT正面结构、MOS结构和P环结构来代替本实施例中的这些结构。
[0040]另外，在该实施例中，该绝缘栅双极型晶体管的N+载流子增强区的掺杂浓度为1E15?lE16cm_3。N+载流子增强区的厚度为8 μ m?12 μ m。N型衬底的晶向为< 100 >。N型衬底是直拉单晶法制造的。N型衬底是晶体硅。在其它实施例中，N型衬底也可以是碳化硅、砷化镓、磷化铟或锗硅等半导体材料。
[0041]该绝缘栅双极型晶体管的N型衬底上形成有N+载流子增强区，这样，N型衬底上的N型离子能够增加离子浓度和数量，从而相对缩小可动离子占全部离子的比例，可动离子占全部离子的比例下降了，高温漏电流也就减小了。因此，该绝缘栅双极型晶体管具有高温漏电流小的优点。
[0042]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【权利要求】
1.一种绝缘栅双极型晶体管，包括N型衬底、IGBT正面结构、形成于N型衬底背面的P+层以及形成于P+层上远离N型衬底一侧的背面金属层，其特征在于，所述N型衬底和IGBT正面结构之间还具有一层N+载流子增强区，所述IGBT正面结构形成于所述N+载流子增强区上。
2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述N+载流子增强区的惨杂浓度为1E15?lE16cm3。
3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述N+载流子增强区的厚度为8 μ m?12 μ m。
4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述IGBT正面结构包括MOS结构和形成于MOS结构周围的P环结构。
5.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述N型衬底的晶向为< 100 >。
6.一种绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管制造方法包括如下步骤: 提供一个N型衬底； 在所述N型衬底上注入一层N型离子形成N+载流子增强区； 在所述N+载流子增强区上形成IGBT正面结构； 减薄所述N型衬底，在所述N型衬底的背面上进行P型杂质注入形成P+层； 在所述P+层上淀积金属，形成背面集电极的背面金属层。
7.根据权利要求6所述的绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述N型离子为磷。
8.根据权利要求7所述的绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述磷离子注入时的注入能量为40?160KeV，注入剂量为IEll?lE13cnT2。
9.根据权利要求6所述的绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述IGBT正面结构包括MOS结构和形成于MOS结构周围的P环结构。
10.根据权利要求6所述的绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述N型衬底的晶向为< 100 >。
【文档编号】H01L21/331GK104299989SQ201310306115
【公开日】2015年1月21日 申请日期:2013年7月19日 优先权日:2013年7月19日
【发明者】邓小社, 钟圣荣, 周东飞, 王根毅 申请人:无锡华润上华半导体有限公司