一种晶体硅太阳电池及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种晶体硅太阳电池，其特征在于，包括：第一导电类型晶体硅层(1)；覆盖所述第一导电类型晶体硅层(1)正面的第二导电类型晶体硅层(2)；覆盖所述第二导电类型晶体硅层(2)的遂穿介质膜层(3)；位于遂穿介质膜层(3)上的至少一个金属前电极(4)和减反射膜层(5)；其中，所述遂穿介质膜层(3)的厚度范围为0.1nm～10nm；该晶体硅太阳电池，还包括：依次覆盖所述第一导电类型晶体硅层(1)背面的第一导电类型非晶硅层(6)、透明导电膜层(7)和金属背电极(8)；所述遂穿介质膜层(3)的材质为非掺杂的或掺杂的a-AlOx:H、Al2O3、In2O3、SnO2、TiO2、ZnO中的任意一种或几种的组合。2.如权利要求1所述的晶体硅太阳电池，其特征在于，所述遂穿介质膜层(3)的厚度范围为1.5nm～3nm。3.如权利要求1所述的晶体硅太阳电池，其特征在于，所述第一导电类型晶体硅层(1)的材质为p型单晶硅、p型多晶硅、n型单晶硅或n型多晶硅，电阻率范围为0.5～50Ω/cm，厚度范围为25um～250um。4.如权利要求1所述的晶体硅太阳电池，其特征在于，所述第二导电类型晶体硅层(2)的方块电阻的范围为30～150Ω/sq，厚度范围为0.15um～1.5um。5.如权利要求1所述的晶体硅太阳电池，其特征在于，所述第一导电类型晶体硅层(1)和第二导电类型晶体硅层(2)的导电类型相反，所述第一导电类型非晶硅层(6)和第二导电类型晶体硅层(2)的导电类型相反。6.如权利要求1所述的晶体硅太阳电池，其特征在于，所述第一导电类型的非晶硅层(6)为掺杂非晶硅层的单层结构，或缓冲过渡层与掺杂非晶硅层形成的双层结构。7.如权利要求6所述的晶体硅太阳电池，其特征在于，所述缓冲过渡层材质为a-Si:H、a-SiC:H、a-SiO:H、uc-Si:H、uc-SiC:H、uc-SiO:H、a-AlOx:H、SiO2或Al2O3，所述掺杂非晶硅层的材质为掺杂第一导电类型离子的a-Si:H、a-SiC:H、a-SiO:H、uc-Si:H、uc-SiC:H、uc-SiO:H中的任意一种或几种组合。8.如权利要求1所述的晶体硅太阳电池，其特征在于，所述透明导电膜层(7)的材质为掺杂锡的氧化铟、掺杂氟的二氧化锡、掺杂铝的氧化锌中的任意一种或几种的组合，厚度范围为50nm～500nm。9.如权利要求1所述的晶体硅太阳电池，其特征在于，所述金属前电极(4)材质为Al、Ag、Au、Ni、Cu/Ni、Al/Ni或Ti/Pd/Ag，厚度范围为100nm～100um；所述金属背电极(8)的材质为Al、Ag、Au、Ni、Cu/Ni、Al/Ni或Ti/Pd/Ag，厚度范围为100nm～100um。10.一种晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括：对硅片表面进行制绒清洗，所述硅片为第一导电类型晶体硅；在所述硅片正面依次形成第二导电类型晶体硅层、遂穿介质膜层、金属前电极以及覆盖金属前电极和遂穿介质膜层的减反射膜层；刻蚀掉金属前电极表面的减反射膜层；在所述刻蚀掉金属前电极表面的减反射膜层之前，还包括：在所述硅片背面依次形成第一导电类型非晶硅层、透明导电膜层和金属背电极；所述遂穿介质膜层(3)的材质为非掺杂的或掺杂的a-AlOx:H、Al2O3、In2O3、SnO2、TiO2、ZnO中的任意一种或几种的组合。11.如权利要求10所述的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，所述在所述硅片正面形成第二导电类型晶体硅层，具体为：在所述硅片正面和背面掺杂分别形成第二导电类型晶体硅层；去除所述硅片背面的第二导电类型晶体硅层。