具有偏向堆栈元件的封装模块的制作方法
【专利摘要】本发明关于一种具有偏向堆栈元件的封装模块，包括一堆栈元件群组、一载具及一基板，堆栈元件群组以偏向的方式堆栈并置入载具中，并将基板配置于载具下方；基板和载具相接的一面有电性接点，另一面配置有与电性接点电性连接的外接点；堆栈元件群组和载具之间以金属接点和焊垫电性连接，金属接点延伸到载具的下方形成其它的金属接点，并且和基板的电性接点电性连接。
【专利说明】具有偏向堆栈元件的封装模块
【技术领域】
[0001]本发明是有关于一种芯片偏向堆栈的封装模块，特别是有关于一种使用立体载具进行多个芯片的堆栈式封装技术所形成的封装模块。
【背景技术】
[0002]现代人的生活已离不开大量的电子产品，因此对于半导体产业的需求也越来越多，半导体产业也就不断的发展以满足市场对于各种不同产品的需求，其中最普遍的需求便是希望能用更小的空间制造出相同甚至功能更好的产品。
[0003]其中，堆栈式芯片封装(Stacked Die Package)是一种能减少产品空间的封装方式，这是一种把多个不同功能的芯片配置在同一封装模块内的技术，除了可以达到功能整合的目的外，更可有效节省电路板的面积，且能减少芯片所占据的空间，进一步能够降低整体制造成本。另外，堆栈式芯片封装可将封装内多颗芯片之间的电路距离变短，以便提供较佳的电性效能，并能有效减少信号在电路传导中被干扰的问题。
[0004]目前，采用堆栈式芯片封装较多的是存储器的封装，例如闪存与静态随机存取存储器之间的堆栈；还有部分的通讯芯片也是采用堆栈式芯片级封装，例如将基频、闪存与静态随机存取存储器等不同的芯片配置到同一个封装模块之内。
[0005]但是，目前在使用的堆栈式芯片封装有一些缺点，例如芯片在彼此互相堆栈的制程中，由于芯片上的焊垫(pad)较多，使得芯片与基板(substrate)上的电性接点对准不易，容易产生良率下降的问题；此外，为增加芯片间的连接效果，最普遍的手段便是在各个芯片之间增加封胶制程，但过多的封胶，除了会增加整个封装成品的厚度，也会产生溢胶的情形，不但会增加封装的成本，也降低了封装成品的可靠度；另外，要在彼此堆栈的芯片上，各自打上金属导线也是很麻烦的制程。此外，芯片封装完成以后的成品，需要再安装到其它电子产品上(例如，电路板)，需要经过对准校正使接点和垫片对齐，这也会使封装的成本增加。对于上述缺点，本发明认为有改善的必要。
【发明内容】
[0006]为了解决上述所提到的问题，本发明的一主要目的在于提供一种具有偏向堆栈元件的封装模块，透过立体的载具设计，使封装堆栈元件的流程得以简化，并且也能提高封装成品的可靠度。
[0007]依据上述目的，本发明提出一种具有偏向堆栈元件的封装模块，包括:一载具，具有一第一面及与第一面相对的一第二面，第一面形成有一凹槽及一环绕凹槽的边缘部，凹槽中形成有一第一芯片配置区，且于凹槽底部上配置多个第一金属接点，一第一平台部，相邻配置于第一芯片配置区一侧边上，且曝露第一金属接点，第一平台部高于第一芯片配置区，第一平台部上配置多个第二金属接点，其中，每一第一金属接点皆和第二金属的其中之一相对应，且相对应的第一金属接点和第二金属接点之间以一第一金属线电性连接；一第一芯片，具有一上端及一下端，且于下端上配置多个第一焊垫，第一芯片以覆晶配置于第一芯片配置区中，使第一焊垫与第一金属接点电性连接；一第二芯片，具有一上端及一下端，且于下端上配置多个第二焊垫，第二芯片以覆晶配置于第一芯片的上端，使第二焊垫与第一平台部上的第二金属接点电性连接，并曝露出部份第一芯片的上端；一胶体，充填于载具的凹槽中，以覆盖曝露的第一芯片的上端及第二芯片的上端；其中，每一第二金属接点进一步和多个第二金属线电性连接，第二金属线自载具的第一平台部经由边缘部延伸配置到载具的第二面，并于每一第二金属线位于第二面的一端上，形成一金属接点。
[0008]本发明另外提出一种具有偏向堆栈元件的封装模块，包括:
[0009]一载具，具有一第一面及与第一面相对的一第二面,并有多个载具穿孔自第一面贯穿至第二面，第一面形成有一凹槽及一环绕凹槽的边缘部，凹槽中形成有一第一芯片配置区，且于凹槽底部上配置多个第一金属接点，一第一平台部，相邻配置于第一芯片配置区一侧边上，且曝露第一金属接点，第一平台部高于第一芯片配置区，第一平台部上配置多个第二金属接点；一第一芯片，具有一上端及一下端，且于下端上配置多个第一焊垫，第一芯片以覆晶配置于第一芯片配置区中，使第一焊垫与第一金属接点电性连接；一第二芯片，具有一上端及一下端，且于下端上配置多个第二焊垫，第二芯片以覆晶配置于第一芯片的上端，使第二焊垫与第一平台部上的第二金属接点电性连接，并曝露出部份第一芯片的上端；一胶体，充填于载具的凹槽中，以覆盖曝露的第一芯片的上端及第二芯片的上端；其中，第一金属接点及第二金属接点皆经由载具穿孔延伸至载具的第二面，并于每一第一金属接点及每一第二金属接点位于第二面的一端各自形成一金属接点。
[0010]本发明又提出一种具有偏向堆栈元件的封装模块，包括:
[0011]一载具，具有一第一面及与第一面相对的一第二面，并有多个载具穿孔自第一面贯穿至第二面，第一面形成有一凹槽及一环绕凹槽的边缘部，凹槽中形成有一第一芯片配置区，且于凹槽底部上配置多个第一金属接点，一第一平台部，相邻配置于第一芯片配置区一侧边上，且曝露第一金属接点，第一平台部高于第一芯片配置区，第一平台部上配置多个第二金属接点，其中，每一第一金属接点皆和第二金属的其中之一相对应，且相对应的第一金属接点和第二金属接点之间以一金属线电性连接；一第一芯片，具有一上端及一下端，且于下端上配置多个第一焊垫，第一芯片以覆晶配置于第一芯片配置区中，使第一焊垫与第一金属接点电性连接；一第二芯片，具有一上端及一下端，且于下端上配置多个第二焊垫，第二芯片以覆晶配置于第一芯片的上端，使第二焊垫与第一平台部上的第二金属接点电性连接，并曝露出部份第一芯片的上端；一胶体，充填于载具的凹槽中，以覆盖曝露的第一芯片的上端及第二芯片的上端；其中，第一金属接点及第二金属接点皆经由载具穿孔延伸至载具的第二面，并于每一第一金属接点及每一第二金属接点位于第二面的一端各自形成一金属接点。
[0012]本发明又提出一种具有偏向堆栈兀件的封装模块，包括:一载具，具有一第一面及与第一面相对的一第二面，并有多个载具穿孔自第一面贯穿至第二面，第一面形成有一凹槽及一环绕凹槽的边缘部，凹槽中形成有一第一芯片配置区，且于凹槽底部上配置多个第一金属接点，一第一平台部，相邻配置于第一芯片配置区一侧边上，且曝露第一金属接点，第一平台部高于第一芯片配置区，第一平台部上配置多个第二金属接点，其中，每一第一金属接点皆和第二金属的其中之一相对应，且相对应的第一金属接点和第二金属接点之间以一金属线电性连接；一第一芯片，具有一上端及一下端，且于下端上配置多个第一焊垫，第一芯片以覆晶配置于第一芯片配置区中，使第一焊垫与第一金属接点电性连接；一第二芯片，具有一上端及一下端，且于下端上配置多个第二焊垫，第二芯片以覆晶配置于第一芯片的上端，使第二焊垫与第一平台部上的第二金属接点电性连接，并曝露出部份第一芯片的上端；一胶体，充填于载具的凹槽中，以覆盖曝露的第一芯片的上端及第二芯片的上端；其中，第一金属接点经由载具穿孔延伸至载具的第二面，并于每一第一金属接点位于第二面的一端形成一金属接点。
[0013]本发明又提出一种具有偏向堆栈兀件的封装模块，包括:一载具，具有一第一面及与第一面相对的一第二面，并有多个载具穿孔自第一面贯穿至第二面，第一面形成有一凹槽及一环绕凹槽的边缘部，凹槽中形成有一第一芯片配置区及一控制芯片配置区，其中，第一芯片配置区围绕控制芯片配置区并高于控制芯片配置区，且于控制芯片配置区上配置多个第一金属接点，并于第一芯片配置区上配置多个第二金属接点，一第一平台部，相邻配置于第一芯片配置区一侧边上，且曝露第二金属接点，第一平台部高于第一芯片配置区，第一平台部上配置多个第三金属接点；一控制芯片，具有一上端及一下端，且于下端上配置多个第一焊垫，控制芯片以覆晶配置于控制芯片配置区中，使第一焊垫与第一金属接点电性连接；一第一芯片，具有一上端及一下端，且于下端上配置多个第二焊垫，第一芯片以覆晶配置于第一芯片配置区中并覆盖控制芯片，使第二焊垫与第二金属接点电性连接；一第二芯片，具有一上端及一下端，且于下端上配置多个第三焊垫，第二芯片以覆晶配置于第一芯片的上端，使第三焊垫与第一平台部上的第三金属接点电性连接，并曝露出部份第一芯片的上端；一胶体，充填于载具的凹槽中，以覆盖曝露的第一芯片的上端及第二芯片的上端；其中，第一金属接点、第二金属接点及第三金属接点皆经由载具穿孔分别延伸至载具的第二面，并于每一第一金属接点、每一第二金属接点及每一第三金属接点位于第二面的一端各自形成一金属接点。
[0014]本发明又提出一种具有偏向堆栈兀件的封装模块，包括:一载具，具有一第一面及与第一面相对的一第二面，第一面形成有一凹槽及一环绕凹槽的边缘部，凹槽中形成有一第一芯片配置区，且于凹槽底部上配置多个第一金属接点，一第一平台部，相邻配置于第一芯片配置区一侧边上，并且曝露第一金属接点，第一平台部高于第一芯片配置区，同时，第一平台部与第一芯片配置区之间为一第一凹槽壁，第一凹槽壁与第一芯片配置区的夹角在90度到135度之间，第一面与第一平台部之间为一第二凹槽壁，第二凹槽壁与第一平台部的夹角在90度到135度之间，第一面与第一芯片配置区之间有一第三凹槽壁，第三凹槽壁与第一芯片配置区的夹角在90度到135度之间，第一平台部上配置多个第二金属接点，其中，每一第一金属接点皆和第二金属接点的其中之一相对应，且相对应的第一金属接点和第二金属接点之间以一第一金属线电性连接，第一金属线位于第一凹槽壁；一第一芯片，具有一上端及一下端，且于下端上配置多个第一焊垫，第一芯片以覆晶配置于第一芯片配置区中，使第一焊垫与第一金属接点电性连接；一第二芯片，具有一上端及一下端，且于下端上配置多个第二焊垫，第二芯片以覆晶配置于第一芯片的上端，使第二焊垫与第一平台部上的第二金属接点电性连接，并曝露出部份第一芯片的上端；一胶体，充填于载具的凹槽中，以覆盖曝露的第一芯片的上端及第二芯片的上端；其中，每一第二金属接点进一步和多个第二金属线电性连接，第二金属线自载具的第一平台部经由第二凹槽壁及边缘部延伸配置到载具的第二面，并于每一第二金属线位于第二面的一端上，形成一金属接点。
[0015]经由本发明所提出的具有偏向堆栈元件的封装模块，封装厂仅需在封装时结合堆栈元件模块及载具，并结合载具和基板即能完成封装，其中载具和基板皆可透过标准化的流程由其它厂商生产，如此便能有效降低封装时所需的成本。
[0016]经由本发明所提出的具有偏向堆栈元件的封装模块，封装后的堆栈元件群组因为完全位于载具之中，不会受到外界物质的影响，因此能有效提高可靠度。
[0017]经由本发明所提出的具有偏向堆栈元件的封装模块，由于载具和基板皆可透过标准化流程生产，因此封装后的成品大小也很容易标准化，减少了打线和对准校正所需要的时间，能进一步增加封装厂及后续应用到封装成品的厂商的工作效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0018]图1本发明的载具上视示意图；
[0019]图2A本发明第一实施例的载具上视示意图；
[0020]图2B本发明第一实施例的载具下视示意图；
[0021]图3本发明的第一芯片下视示意图；
[0022]图4A本发明具有偏向堆栈元件的封装模块第一实施例的剖视示意图；
[0023]图4B本发明具有偏向堆栈元件的封装模块第一实施例的另一实施状态剖视示意图；
[0024]图5A本发明的基板上视不意图；
[0025]图5B本发明的基板下视示意图；
[0026]图6本发明具有基板封装模块第二实施例的剖视示意图；
[0027]图7A本发明第三实施例载具上视示意图；
[0028]图7B本发明第三实施例载具下视示意图；
[0029]图8本发明第二实施例基板上视不意图；
[0030]图9本发明具有偏向堆栈元件的封装模块的第三实施例剖视示意图；
[0031]图1OA本发明第四实施例的载具上视示意图；
[0032]图1OB本发明第四实施例的载具下视示意图；
[0033]图11本发明具有偏向堆栈元件的封装模块的第四实施例剖视示意图；
[0034]图12A本发明第五实施例的载具上视示意图；
[0035]图12B本发明第五实施例的载具下视示意图；
[0036]图13本发明第五实施例的基板上视示意图；
[0037]图14本发明具有偏向堆栈元件的封装模块的第五实施例剖视示意图；
[0038]图15A本发明第六实施例的载具上视示意图；
[0039]图15B本发明第六实施例的载具下视示意图；
[0040]图16本发明具有偏向堆栈元件的封装模块的第六实施例剖视示意图。
[0041]符号说明
[0042]载具I 金属线182
[0043]载具Ia 金属线184
[0044]载具Ib 金属线186
[0045]载具Ic 金属线188
[0046]载具 Ic ’缓冲材料19
[0047]载具 Id基板2
[0048]第一面 12第三面22
[0049]边缘部 121金属线23
[0050]凹槽 13第四面24
[0051]凹槽 130电性接点25
[0052]第一芯片配置区 131外接点26
[0053]金属接点 132基板穿孔28
[0054]金属接点 132a堆栈元件群组3
[0055]第一平台部 133堆栈元件群组3a
[0056]金属接点 134控制芯片30
[0057]金属接点 134a焊垫300
[0058]第二平台部 135上端301
[0059]金属接点 136下端302
[0060]金属接点 136a第一芯片31
[0061]控制芯片配置区 137焊垫310
[0062]金属接点 138上端311
[0063]金属接点 139下端312
[0064]金属接点 139a第二芯片32
[0065]第二面 14焊垫320
[0066]凹槽壁 15a上端321
[0067]凹槽壁 15b下端322
[0068]凹槽壁 15c第三芯片33
[0069]凹槽壁 15d焊垫330
[0070]间隙 150上端331
[0071]填合胶 16下端332
[0072]胶膜层17
[0073]载具穿孔18
[0074]具有偏向堆栈元件的封装模块4
[0075]具有偏向堆栈元件的封装模块4’
[0076]具有偏向堆栈元件的封装模块4a
[0077]具有偏向堆栈元件的封装模块4b
[0078]具有偏向堆栈元件的封装模块4c
[0079]具有偏向堆栈元件的封装模块4c’
[0080]具有偏向堆栈元件的封装模块4d
[0081]夹角Θ
【具体实施方式】
[0082]为使本发明的目的、技术特征及优点，能更为相关【技术领域】人员所了解并得以实施本发明，在此配合所附图式，于后续的说明书阐明本发明的技术特征与实施方式，并列举较佳实施例进一步说明，然以下实施例说明并非用以限定本发明，且以下文中所对照的图式，是表达与本发明特征有关的示意。
[0083]请先参阅图1，为本发明的载具上视示意图。如图1所示，载具I可以是以高分子材料射出成形方式形成，而此高分子材料可以选择一种聚亚酰铵；载具I并具有第一面12以及与第一面12相对的第二面14，第一面12上形成有凹槽13以及环绕此凹槽13的边缘部121，此凹槽13的底部为第一芯片配置区131，同时，位于凹槽13内的一侧边上，还配置有第一平台部133及第二平台部135 ;第一平台部133相邻于第一芯片配置区131，同时，第一平台部133较第一芯片配置区131高，在一较佳实施例中，此第一平台部133的高度可以设计成与要进行封装的芯片的高度相同；接着，第二平台部135相邻于第一平台部133，同样地，第二平台部135较第一平台部133高，在一较佳实施例中，此第二平台部135的高度可以设计成与要进行封装的芯片的高度相同。根据上述说明，很明显地，第一芯片配置区
131、第一平台部133及第二平台部135可以于凹槽13的一侧边上形成阶梯状的结构。此夕卜，在一较佳的实施状态下，本发明可以使在第一芯片配置区131及第一平台部133之间的凹槽壁15a、在第一平台部133及第二平台部135之间的凹槽壁15b、在第二平台部135及第一面12之间的凹槽壁15c与在第一面12及第一芯片配置区131之间的凹槽壁15d皆为斜面，而各凹槽壁面和各平面的夹角为Θ，其中，90° ( Θ彡135°，也就是说，各凹槽壁15a、15b、15c、15d也可以是垂直面；要说明的是，本发明并不限定凹槽壁15a、15b、15c及15d和载具I中各平面的夹角Θ的大小，而设置此些凹槽壁的主要目的，是在于帮助芯片定位与对准。
[0084]接着，请一并参阅图2A及图2B，分别为本发明第一实施例的载具上视示意图及本发明第一实施例的载具下视示意图。首先，如图2A所示，本发明的载具Ia在第一芯片配置区131以及在相邻第一平台部133的一侧边上，配置有多个金属接点132 ;而在第一平台部133上，配置有多个金属接点134，以及在第二平台部135上，也配置有多个金属接点136 ；同时，每个金属接点132、每个金属接点134及每个金属接点136的数量相同，且在这些每个金属接点132、134及136之间的位置是相对应的。此外，前述每个金属接点132与每个金属接点134之间皆各自透过金属线182电性连接，而每个金属接点134及每个金属接点136之间皆各自透过金属线184电性连接，每个金属接点136另有与多个金属线186电性连接，其中，金属线186并自第二平台部135经凹槽壁15c及第一面12的边缘部121延伸至载具Ia的第二面14，且多个金属线186可以经过适当的排列并在每一金属线186的一端上，形成一金属接点138，使得在载具Ia的第二面14形成有多个排列整齐的金属接点138，并形成如图2B所示的排列整齐的配置方式，然而本发明并不限制金属接点138及金属线186在第二面14上的配置情况；例如，可以将金属接点138相邻配置于第二面14的外围上。
[0085]接着，本实施例的金属线182、184及186形成的过程可以是先用激光雕出金属线182、184及186的位置，再以电镀形成，例如在金属接点132及金属接点134之间的凹槽壁15a雕出金属线182的位置，再以电镀形成金属线182 ;在较佳的实施状态下，因为凹槽壁15a、15b、15c可以为斜面，故可以有效地提高金属线182、184、186的易镀性。
[0086]接着，请参阅图3，为本发明的第一芯片下视示意图。如图3所示，第一芯片31是由一个完成半导体制程后的硅片(wafer)，经过切割程序后所形成。此第一芯片31具有上端311及与上端311相对的下端312，下端312上有多个焊垫(pad) 310 ;在本发明中，第一芯片31可以为一种存储器，特别是一种NAND闪存(NAND Flash);当第一芯片31为NAND闪存时，第一芯片31下端312上会有48个焊垫310，相对的，载具I中会有48个金属接点132,48个金属接点134、48个金属接点136及48个金属接点138，同时也会有对应数量的金属线182、184及186，其中，多个金属接点之间是将每一相应的金属接点以金属线电性连接；然而，本发明并不对第一芯片31的焊垫310数目作出限制，同理，金属接点132、134、136、138及金属线182、184、186也会因焊垫310的数目不同而有对应的数目。
[0087]接着，请参阅图4A，为本发明具有偏向堆栈元件的封装模块第一实施例的剖视示意图。如图4A所示，具有偏向堆栈元件的封装模块4包括:如图2A所示的载具Ia及堆栈元件群组3 ;载具Ia的凹槽13中配置有第一芯片31、第二芯片32及第三芯片33所组成的堆栈元件群组3，其中，第二芯片32及第三芯片33的外观与第一芯片31相似，故不再赘述，至于堆栈元件群组3与凹槽13的连接关系会在后文描述。
[0088]首先，在第一芯片配置区131上形成一缓冲材料19，再将第一芯片31放置在第一芯片配置区131，其中，第一芯片31是以覆晶(flip chip)方式将其下端312上的焊垫310与金属接点132电性连接，使缓冲材料19位于第一芯片31与第一芯片配置区131之间；其中，上述的缓冲材料19可以是一种具有黏性的软膏(paste);接着，在第一芯片31的上端311形成一缓冲材料19，再将第二芯片32以覆晶(flip chip)方式，将其下端322与第一芯片31的上端311相接，并使第二芯片32的下端322上的焊垫320与第一平台部133的金属接点134电性连接，同时，使缓冲材料19位于第二芯片32与第一芯片31之间；此外，当第二芯片32的下端322与第一芯片31的上端311相叠后,仍会有一部份的第一芯片31上端311曝露而未被第二芯片32覆盖；再接着，在第二芯片32的上端321形成一缓冲材料19，再将第三芯片33以覆晶(flip chip)方式将其下端332与第二芯片32的上端321相接，并使第三芯片33的下端332上的焊垫330与第二平台部135的金属接点136电性连接，同时，使缓冲材料19位于第三芯片33与第二芯片32之间；此外，当第三芯片33的下端332与第二芯片32的上端321相叠后，仍会有一部份的第二芯片32上端321曝露而未被第三芯片33覆盖；故当本实施例中的多个芯片在载具Ia中完成堆栈后，此多个芯片会在与第一平台部133及在第二平台部135相对的另一侧边形成一阶梯状的结构。此外，要强调的是，堆栈后的第三芯片33的上端331不超过载具Ia第一面12的高度；如上所述，第一芯片31、第二芯片32及第三芯片33可以是透过覆晶(flip chip)的方式与载具Ia完成电性连接；此外，在本实施例中的图4所示的凹槽壁15a、15b、15c，是为垂直面，故在将多个芯片进行封装时，可以透过定位的方式使每一个芯片紧贴壁面；在将多个芯片在载具Ia的凹槽13中形成堆栈元件群组3后，接着，可以选择性地，将一胶体16充填至在载具Ia的凹槽13中，使得此胶体16将第一芯片31曝露的部份上端311、第二芯片32曝露的部份上端321及第二芯片33的上端331 —并覆盖；在本实施例中，此I父体16可以是环氧树脂(Epoxy);此夕卜，本实施例可以选择性的，进一步在载具Ia的第一面加上胶膜层17，胶膜层17会将第三芯片33、边缘部121及在边缘部121上的金属线186 —并覆盖。
[0089]请再参阅图4B，为本发明具有偏向堆栈元件的封装模块第一实施例的另一实施状态剖视示意图。在此较佳的实施状态下，本发明的凹槽壁15a、15b、15c可以设计为具有夹角Θ的斜面，故即使芯片放入至载具Ia中的定位稍有误差时，也能使各芯片透过为斜面的凹槽壁15a、15b、15c滑到适合的位置。此外，在较佳的实施状态下，在将多个芯片在载具la的凹槽13中形成堆栈元件群组3后，会在每一芯片与具有斜面的凹槽壁15a、15b、15c间形成一间隙150，接着，可以选择性地以缓冲材料19来充填至间隙中，间隙150所形成的空间，能有效的避免缓冲材料19发生溢胶的问题；此外,本实施例还可以选择性地,将一胶体16充填至在载具Ia的凹槽13中，使得此胶体16将第一芯片31曝露的部份上端311、第二芯片32曝露的部份上端321及第三芯片33的上端331 —并覆盖；在本实施例中，此胶体16可以是环氧树脂(Epoxy);此外,本实施例可以选择性的,进一步在载具Ia的第一面加上胶膜层17，胶膜层17会将第三芯片33、边缘部121及在边缘部121上的金属线186 —并覆盖，以达到保护堆栈元件群组3及金属线186的效果。
[0090]接着，请参阅图5A，为本发明的基板上视示意图，而图5B，为本发明的基板下视示意图。如图5A所示，基板2有一第三面22及与第三面22相对的第四面24，并有多个由第三面22贯穿至第四面24的基板穿孔28 ;第三面22上形成有多个电性接点25，每一电性接点25皆由基板穿孔28延伸到第四面24并形成多个外接点26 ;此外，在一较佳实施例中，第四面24上的多个外接点26，可以再经由一配置好的金属线23形成扇出(fan out)的配置，可以将多个外接点26配置于基板2的第四面24的外围区域，并且可以使得多个外接点26之间的距离及尺寸增加。
[0091]接着，请参阅图6，为本发明具有基板封装模块第二实施例的剖视示意图。如图6所示，是将完成封装程序后的具有偏向堆栈元件的封装模块4中的载具Ia的第二面14与基板2的第三面22相对并相接，并形成具有偏向堆栈元件的封装模块4a ;其中，在载具Ia的第二面14和基板2的第三面22接合处，是通过每一金属接点138与多个电性接点25相对并相接，使得载具Ia的第二面14上的每一金属接点138与基板2第四面24上的多个外接点26形成电性连接。很明显地；与具有偏向堆栈元件的封装模块4a相较，具有偏向堆栈元件的封装模块4缺少基板2，但是其仍可通过载具Ia的第二面14上的多个金属接点138与另一基座上的连接端(未图式)电性连接；很明显地，此时在基座上的连接端必须与多个金属接点138相对应。在本实施例中，凹槽壁15a、15b、15c为垂直面，而在其它实施状态中，凹槽壁15a、15b、15c也可以是斜面，其优点如前所述；此外，当具有偏向堆栈元件的封装模块4的金属接点138，其要与具有不同于多个金属接点138的连接端(未图式)的基座(未图式)进行电性连接时，就需要有将载具Ia的第二面14上的多个金属接点138做不同的配置方式，因而会造成载具Ia无法进行模块化的生产，进而增加制作成本。而对本发明的具有偏向堆栈元件的封装模块4a而言，只需要改变基板2的外接点26的扇出配置方式，就能配合不同的连接端(未图式)，载具Ia也可以进行模块化生产，如此便能有效减少封装所需的成本。
[0092]接着，请一并参阅图7A及图7B，分别为本发明第三实施例载具上视示意图及本发明第三实施例载具下视示意图。如图7A所示，本发明的载具Ib在第一芯片配置区131以及在相邻第一平台部133的一侧边上，配置有多个金属接点132 ;而在第一平台部133上，配置有多个金属接点134，在第二平台部135配置有多个金属接点136 ;同时，每个金属接点
132、每个金属接点134及每个金属接点136的数量相同，且在这些每个金属接点之间的位置是相对应的。此外，前述每个金属接点132及每个金属接点134之间皆各自透过金属线182电性连接，而每个金属接点134及每个金属接点136之间皆各自透过金属线184电性连接，其中，一部份的金属接点132进一步与多个金属线188电性连接，金属线188经第一芯片配置区131、凹槽壁15d及载具Ib的边缘部121延伸到载具Ib的第二面14 ;同时，与另一部份未和金属线188电性连接的金属接点132电性连接的金属接点136，进一步有与多个金属线186电性连接，其中，金属线186并自第二平台部135经凹槽壁15c及边缘部121延伸至载具Ib的第二面14，且多个金属线186及多个金属线188可以经过适当的排列并在每一金属线186及188的一端上,形成一个金属接点138,使得在载具Ib的第二面14形成有多个排列整齐的金属接点138，并形成如图7B所示的配置方式，然而本发明并不限制金属接点138及金属线186、188在第二面14上的配置情况；例如，可以将金属接点138相邻配置于第二面14的外围上；在此实施状态下，每一金属线186彼此之间会有更大的间距，因此制作起来较为容易，同样的，金属线188的配置亦有相同的优点。
[0093]金属线182、184、186、188的形成过程与图2A相似，故不再赘述，在较佳的实施状态下，因为凹槽壁15a、15b、15c、15d可以为斜面，较容易镀上金属线182、184、186、188，故可以提高封装制程的良率及封装模块的可靠度。
[0094]接着,请参阅图8,为本发明第三实施例基板上视示意图。如图8所示,基板2a具有第三面22及相对应的第四面24，并有从第三面22贯穿至第四面24的基板穿孔28，且第三面22上有多个电性接点25，电性接点并透过基板穿孔28延伸到第四面24并形成多个外接点26，与基板2不同之处在于，基板2a的电性接点25及外接点26的排列方式，系配合如图7B所示，金属接点138于载具Ib第二面14的排列方式，而使电性接点25及外接点26形成如图8所示的整齐排列。
[0095]接着，请参阅图9，为本发明具有偏向堆栈元件的封装模块的第三实施例剖视示意图。如图9所示，具有偏向堆栈元件的封装模块4b包括如图7A、图7B所示的载具lb、图8所示的基板2a及堆栈元件群组3 ;在具有偏向堆栈元件的封装模块4b中，堆栈元件群组3的配置方式与图4A所示的具有偏向堆栈元件的封装模块4相似，故不再赘述；在本实施例中，凹槽壁15a、15b、15c为垂直面，而在其它实施状态中，凹槽壁15a、15b、15c也可以是斜面，其优点如前所述；基板2的第三面22与载具Ib的第二面14相接，同时，在第三面22的多个电性接点25各别与每一在载具Ib第二面14的金属接点138相对并相接；另外，具有偏向堆栈元件的封装模块4b也可以不加装基板2而形成另一个封装模块。
[0096]如上所述的具有偏向堆栈元件的封装模块4、4’、4a、4b于封装完成后，皆可置于其它的基座(未图式)并经由金属接点138或外接点26与基座(未图式)连接端(未图式)电性连接，同时，因为金属线186或金属线188也是曝露于具有偏向堆栈元件的封装模块4、4’、4a、4b的外部，因此具有偏向堆栈元件的封装模块4、4’、4a、4b也能经由金属线186、188与连接端(未图式)电性连接，如此除了能减少因电路短路所造成的故障，也能增加电路传输的效率。
[0097]接着,请同时参阅图1OA及图10B,为本发明第四实施例的载具上视示意图及本发明第四实施例的载具下视示意图。如图1OA所示，在本实施状态下，载具Ic的第一面12配置有多个载具穿孔18贯穿至载具Ic的第二面14，第一芯片配置区131配置有多个金属接点132，每一金属接点132各自沿着载具穿孔18延伸至载具Ic的第二面14，同时，第一平台部133配置有多个金属接点134，第二平台部135配置有多个金属接点136，每一金属接点134、136各自沿着载具穿孔18延伸至第二面14，延伸到第二面14的金属接点132、134、136分别形成金属接点132a、134a、136a，并形成如图1OB所示的排列整齐的配置方式，然而本发明并不限制金属接点132a、134a、136a在第二面14上的配置情况。
[0098]接着，请参阅图11，为本发明具有偏向堆栈元件的封装模块的第四实施例剖视示意图。如图11所示，具有偏向堆栈元件的封装模块4c包括如图10A、图1OB所示的载具lc、图8所示的基板2a及堆栈元件群组3 ;在具有偏向堆栈元件的封装模块4c中，载具Ic的第二面14和基板2a的第三面22相接，载具Ic的第二面14上的金属接点132a、134a、136a的位置皆和基板2a的第三面12上的电性接点25相对并相互电性连接；凹槽13中有堆栈元件群组3及胶体16，其配置方式和图4A所示，具有偏向堆栈元件的封装模块4相似，故不再赘述；在较佳的实施状态下，载具Ic的第一面12进一步有一胶膜层17，将第一面12及凹槽13覆盖；在本实施例中，凹槽壁15a、15b、15c为垂直面，而在其它实施状态中，凹槽壁15a、15b、15c也可以是斜面，其优点如前所述；封装完成的具有偏向堆栈元件的封装模块4c能以基板2第四面24的外接点26，与一基座(未图式)上的连接端(未图式)电性连接；另夕卜，具有偏向堆栈元件的封装模块4c也可以不加装基板2而形成另一个封装模块，并以金属接点132a、132b、132c作为接点和一基座(未图式)上的连接端(未图式)电性连接。
[0099]接着,请同时参阅图12A及图12B,分别为本发明第五实施例的载具上视示意图及本发明第五实施例的载具下视示意图。如图12A所示，载具lc’与图1OA及图1OB所示的载具Ic最大的差别在于，在载具lc’的第一芯片配置区131上的每一金属接点132透过金属线182，皆各自和第一平台部133的一金属接点134电性连接，同时，每一金属接点134也透过金属线184，各自和第二平台部135的一金属接点136电性连接，并且，在金属接点132、134、136之中，只有金属接点132透过载具穿孔18延伸到载具lc’的第二面14形成整齐排列的金属接点132a，如图12B所示；至于载具lc’的其它元件及配置方式皆和载具Ic相同，故不再赘述。
[0100]接着，请参阅图13，为本发明第五实施例的基板上视示意图。如图13所示，基板2b具有第三面22及与第三面22相对的第四面24，且有多个自第三面22贯穿到第四面24的基板穿孔28，第三面22上有排列整齐的电性接点25，其中，电性接点25的排列可和图12B所不的于载具lc’第二面14的金属接点132a的排列相对应；每一电性接点25都和一金属线23电性连接，金属线23向第三面22的两侧扇出，并经由基板穿孔28延伸到第四面24，延伸到第四面24的每一金属线23皆形成一外接点26,外接点26并整齐排列在基板2b第四面24的两侧，如图13所示。
[0101]接着，请参阅图14，为本发明具有偏向堆栈元件的封装模块的第五实施例剖视示意图。如图14所示，具有偏向堆栈元件的封装模块4c’包括如图12A及图12B所示的载具lc’、图13所示的基板2b及堆栈元件群组3 ;具有偏向堆栈元件的封装模块4c’与具有偏向堆栈元件的封装模块4c相较，除了载具lc’与载具Ic不同、及基板2b与基板2不同之夕卜，具有偏向堆栈元件的封装模块4c’其它元件及配置方式俱与具有偏向堆栈元件的封装模块4c相似，故不再赘述；封装完成的具有偏向堆栈元件的封装模块4c’能以基板2b第四面24的外接点26，与一基座(未图式)上的连接端(未图式)电性连接；在本实施例中，凹槽壁15a、15b、15c为垂直面，而在其它实施状态中，凹槽壁15a、15b、15c也可以是斜面，其优点如前所述；另外，具有偏向堆栈元件的封装模块4c’也可以不加装基板2b而形成另一个封装模块，并以金属接点132a作为接点和一基座(未图式)上的连接端(未图式)电性连接。
[0102]接着，请同时参阅图15A及图15B，分别为本发明第六实施例的载具上视示意图及本发明第TK实施例的载具下视不意图。如图15A所不，载具Id与图10A、图1OB所不的载具Ic的差别在于，在凹槽13中有另一凹槽130，凹槽130之中，进一步配置有一控制芯片配置区137，第一芯片配置区131在控制芯片配置区137的周围，且控制芯片配置区137的高度较第一芯片配置区131为低，在一较佳实施例中，控制芯片配置区137的高度可以设计成与准备放置的芯片高度相同；控制芯片配置区137上配置有多个金属接点139，每一金属接点139皆沿着载具穿孔18延伸到载具Id的第二面14形成多个排列整齐的金属接点139a，金属接点132a、134a、136a和139a在载具Id的第二面14整齐排列如图12B所示;至于载具Id其它结构皆与图10A、图1OB所示的载具Ic相似，故不再赘述。
[0103]接着，请参阅图16，为本发明具有偏向堆栈元件的封装模块的第六实施例剖视示意图。如图16所示，具有偏向堆栈元件的封装模块4d包括如图15A、图15B所示的载具Id、如图2所示的基板2及堆栈元件群组3a ;堆栈元件群组3a包括控制芯片30、第一芯片31、第二芯片32及第三芯片33，其中，控制芯片30的外形与图3所示的第一芯片31相似；首先，在控制芯片配置区137上形成一缓冲材料19，再将控制芯片30放置在控制芯片配置区137，控制芯片30是以覆晶方式将其下端302上的焊垫300和控制芯片配置区137上的金属接点139电性连接，使缓冲材料19位于控制芯片30与控制芯片配置区137之间，至于其它芯片的配置方式与图4A所示的具有偏向堆栈元件的封装模块4类似，故不再赘述，另外，配置于第一芯片配置区131的第一芯片31会将控制芯片30的上端301完全覆盖；基板2的第三面22和载具Id的第二面14相接，同时，金属接点139a和基板2第三面22的电性接点25相对并相互电性连接;第一芯片31、第二芯片32及第三芯片33及具有偏向堆栈元件的封装模块4d的其它元件配置方式，皆与具有偏向堆栈元件的封装模块4c相似，故不再赘述；封装完成的具有偏向堆栈元件的封装模块4d能以基板2第四面24的外接点26，与一基座(未图式)上的连接端(未图式)电性连接；在本实施例中，凹槽壁15a、15b、15c为垂直面，而在其它实施状态中，凹槽壁15a、15b、15c也可以是斜面，其优点如前所述；另外，具有偏向堆栈元件的封装模块4d也可以不加装基板2而形成另一个封装模块，并以金属接点132a、134a、136a及139a作为接点和一基座(未图式)上的连接端(未图式)电性连接。
[0104]本发明的载具1、1&、113、1(:、1(3’、1(1并不限定其平台部的数目，也就是说，依据不同的需求，载具1、la、lb、lc、lc’、ld上除了第一平台部133、第二平台部135之外，可以加上第三平台部(未图式)、第四平台部(未图式)或更多的平台部，以便在载具l、la、lb、lc、lc’、ld中封装更多个芯片，同理，本发明并不限制堆栈元件模块3、3a中的芯片数目；本发明也不限定第一芯片31、第二芯片32及第三芯片33的型态和大小，第一芯片31、第二芯片32及第三芯片33可以是相同或不同的芯片，也可以有一样的尺寸或不一样的尺寸。
[0105]如前所述，本发明的载具1、la、Ib、Ic、Ic’、Id及基板2、2a、2b均可经由标准化流程的设置而让封装厂以外的厂商生产，能有效降低生产的成本；且透过标准化的设定使得封装产品的大小也能标准化，因此，本发明只有在将堆栈元件群组3、3a组装到载具l、la、lb、lc、lc’、ld之中时需要进行对准的步骤，而在组装其它各组件时则能省去对准的步骤，如此便增加封装厂及使用封装成品的厂商的工作效率，且模块化的设定也能确保各个焊点与接点彼此确实连接，而能增加可靠度；同时，因为堆栈元件群组3、3a完全被置于载具1、la、lb、Ic、Ic’、Id之中，故能有效提升封装成品的可靠度。
[0106]虽然本发明以前述的较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉本领域技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的专利保护范围须视本说明书所附的申请专利范围所界定的为准。
【权利要求】
1.一种具有偏向堆栈元件的封装模块，其特征在于，包括: 一载具，具有一第一面及与该第一面相对的一第二面，该第一面形成有一凹槽及一环绕该凹槽的边缘部，使得该凹槽中形成有一第一芯片配置区，且于该凹槽底部上配置多个第一金属接点，以及一平台部，相邻配置于该第一芯片配置区一侧边上，使得该平台部与该第一芯片配置区之间为一凹槽壁，且曝露该多个第一金属接点，该平台部高于该第一芯片配置区，该平台部上配置多个第二金属接点，其中，每一该多个第一金属接点皆和该多个第二金属接点的其中之一相对应，且每一相对应的该第一金属接点和该第二金属接点之间以一第一金属线电性连接； 一第一芯片，具有一上端及一下端，且于该下端上配置多个第一焊垫，该第一芯片以覆晶配置于该第一芯片配置区中，并使该多个第一焊垫与该多个第一金属接点电性连接； 一第二芯片，具有一上端及一下端，且于该下端上配置多个第二焊垫，该第二芯片以覆晶配置于该第一芯片的该上端，使该多个第二焊垫与该平台部上的该多个第二金属接点电性连接，并曝露出部份该第一芯片的该上端； 一胶体，充填于该载具的该凹槽中，以覆盖曝露的该第一芯片的该上端及该第二芯片的该上端； 其中，每一该多个第二金属接点进一步和多个第二金属线电性连接，该多个第二金属线自该载具的该平台部经由该边缘部延伸配置到该载具的该第二面，并于每一该第二金属线位于该第二面的一端上，形成一第三金属接点。
2.根据权利要求1所述的具有偏向堆栈元件的封装模块，其特征在于，该具有偏向堆栈元件的封装模块进一步具有一基板，该基板具有一第三面及与该第三面相对的一第四面，该基板并有多个基板穿孔自该第三面贯穿至该第四面，该第三面具有多个电性接点，该第四面具有多个外接点，每一该多个电性接点皆经由该多个基板穿孔延伸到该第四面并分别与该多个外接点的其中之一电性连接； 其中，该基板的该第三面与该载具的该第二面相叠合，且该多个电性接点皆分别和该第二面上的该多个第三金属接点的其中之一电性连接。
3.根据权利要求1所述的具有偏向堆栈元件的封装模块，其特征在于，该凹槽壁与该第一芯片配置区的夹角在90度到135度之间。
4.一种具有偏向堆栈元件的封装模块，其特征在于，包括: 一载具，具有一第一面及与该第一面相对的一第二面，该第一面形成有一凹槽及一环绕该凹槽的边缘部，该凹槽中形成有一第一芯片配置区，且于该凹槽底部上配置多个第一金属接点，一平台部，相邻配置于该第一芯片配置区一侧边上，使得该平台部与该第一芯片配置区之间为一凹槽壁，且曝露该多个第一金属接点，该平台部高于该第一芯片配置区，该平台部上配置多个第二金属接点，其中，每一该多个第一金属接点皆和该多个第二金属接点的其中之一相对应，且相对应的该第一金属接点和该第二金属接点之间以一第一金属线电性连接； 一第一芯片，具有一上端及一下端，且于该下端上配置多个第一焊垫，该第一芯片以覆晶配置于该第一芯片配置区中，使该多个第一焊垫与该多个第一金属接点电性连接； 一第二芯片，具有一上端及一下端，且于该下端上配置多个第二焊垫，该第二芯片以覆晶配置于该第一芯片的该上端，使该多个第二焊垫与该平台部上的该多个第二金属接点电性连接，并曝露出部份该第一芯片的该上端； 一胶体，充填于该载具的该凹槽中，以覆盖曝露的该第一芯片的该上端及该第二芯片的该上端； 其中，该多个第一金属接点中的一部份进一步与多个第二金属线电性连接，而与剩余的该多个第一金属接点电性连接的该多个第二金属接点进一步与多个第三金属线电性连接，每一该多个第二金属线皆自该第一芯片配置区延伸到该边缘部，该多个第二金属线在该边缘部的一端并形成多个第三金属接点，同时，每一该第三金属线皆自该平台部延伸到该边缘部，该多个第三金属线在该边缘部的一端并形成多个第四金属接点。
5.根据权利要求4所述的具有偏向堆栈元件的封装模块，其特征在于，该具有偏向堆栈元件的封装模块进一步具有一基板，该基板具有一第三面及与该第三面相对的一第四面，该基板并有多个基板穿孔自该第三面贯穿至该第四面，该第三面具有多个电性接点，该第四面具有多个外接点，每一该多个电性接点皆经由该多个基板穿孔延伸到该第四面并分别与该多个外接点的其中之一电性连接； 其中，该基板的该第三面与该载具的该第二面相叠合，且该多个电性接点皆分别和该第二面上的该多个第三金属接点及第四金属接点的其中之一电性连接。
6.根据权利要求4所述的具有偏向堆栈元件的封装模块，其特征在于，该凹槽壁与该第一芯片配置区的夹角在90度到135度之间。
7.一种具有偏向堆栈元件的封装模块，其特征在于，包括: 一载具，具有一第一面及与该第一面相对的一第二面，并有多个载具穿孔自该第一面贯穿至该第二面，该第一面形成有一凹槽及一环绕该凹槽的边缘部，该凹槽中形成有一第一芯片配置区，且于该凹槽底部上配置多个第一金属接点，一平台部，相邻配置于该第一芯片配置区一侧边上，使得该平台部与该第一芯片配置区之间为一凹槽壁，且曝露该多个第一金属接点，该平台部高于该第一芯片配置区，该平台部上配置多个第二金属接点； 一第一芯片，具有一上端及一下端，且于该下端上配置多个第一焊垫，该第一芯片以覆晶配置于该第一芯片配置区中，使该多个第一焊垫与该多个第一金属接点电性连接； 一第二芯片，具有一上端及一下端，且于该下端上配置多个第二焊垫，该第二芯片以覆晶配置于该第一芯片的该上端，使该多个第二焊垫与该平台部上的该多个第二金属接点电性连接，并曝露出部份该第一芯片的该上端； 一胶体，充填于该载具的该凹槽中，以覆盖曝露的该第一芯片的该上端及该第二芯片的该上端； 其中，该多个第一金属接点及该多个第二金属接点皆经由该多个载具穿孔延伸至该载具的该第二面，并于每一该第一金属接点及每一该第二金属接点位于该第二面的一端各自形成一第三金属接点。
8.根据权利要求7所述的具有偏向堆栈元件的封装模块，其特征在于，该具有偏向堆栈元件的封装模块进一步具有一基板，该基板具有一第三面及与该第三面相对的一第四面，该基板并有多个基板穿孔自该第三面贯穿至该第四面，该第三面具有多个电性接点，该第四面具有多个外接点，每一该多个电性接点皆经由该多个基板穿孔延伸到该第四面并分别与该多个外接点的其中之一电性连接； 其中，该基板的该第三面与该载具的该第二面相叠合，且该多个电性接点皆分别和该第二面上的该多个第三金属接点的其中之一电性连接。
9.根据权利要求7所述的具有偏向堆栈元件的封装模块，其特征在于，该具有偏向堆栈元件的封装模块进一步具有一胶膜层，该胶膜层位于该载具的该第一面，将该第一面、该凹槽及该第二芯片的该上端一并覆盖。
10.根据权利要求7所述的具有偏向堆栈元件的封装模块，其特征在于，该凹槽壁与该第一芯片配置区的夹角在90度到135度之间。
11.一种具有偏向堆栈元件的封装模块，其特征在于，包括: 一载具，具有一第一面及与该第一面相对的一第二面，并有多个载具穿孔自该第一面贯穿至该第二面，该第一面形成有一凹槽及一环绕该凹槽的边缘部，该凹槽中形成有一第一芯片配置区，且于该凹槽底部上配置多个第一金属接点，一平台部，相邻配置于该第一芯片配置区一侧边上，使得该平台部与该第一芯片配置区之间为一凹槽壁，且曝露该多个第一金属接点，该平台部高于该第一芯片配置区，该平台部上配置多个第二金属接点，其中，每一该多个第一金属接点皆和该多个第二金属接点的其中之一相对应，且相对应的该第一金属接点和该第二金属接点之间以一金属线电性连接； 一第一芯片，具有一上端及一下端，且于该下端上配置多个第一焊垫，该第一芯片以覆晶配置于该第一芯片配置区中，使该多个第一焊垫与该多个第一金属接点电性连接； 一第二芯片，具有一上端及一下端，且于该下端上配置多个第二焊垫，该第二芯片以覆晶配置于该第一芯片的该上端，使该多个第二焊垫与该平台部上的该多个第二金属接点电性连接，并曝露出部份该第一芯片的该上端； 一胶体，充填于该载具的该凹槽中，以覆盖曝露的该第一芯片的该上端及该第二芯片的该上端； 其中，该多个第一金属接点经由该多个载具穿孔延伸至该载具的该第二面，并于每一该第一金属接点位于该第二面的一端形成一第三金属接点。
12.根据权利要求11所述的具有偏向堆栈元件的封装模块，其特征在于，该具有偏向堆栈元件的封装模块进一步具有一基板，该基板具有一第三面及与该第三面相对的一第四面，该基板并有多个基板穿孔自该第三面贯穿至该第四面，该第三面具有多个电性接点，该第四面具有多个外接点，每一该多个电性接点皆经由该多个基板穿孔延伸到该第四面并分别与该多个外接点的其中之一电性连接； 其中，该基板的该第三面与该载具的该第二面相叠合，且所述电性接点皆分别和该第二面上的该多个第三金属接点的其中之一电性连接。
13.根据权利要求11所述的具有偏向堆栈元件的封装模块，其特征在于，该具有偏向堆栈元件的封装模块进一步具有一胶膜层，该胶膜层位于该载具的该第一面，将该第一面、该凹槽及该第二芯片的该上端一并覆盖。
14.根据权利要求11所述的具有偏向堆栈元件的封装模块，其特征在于，该凹槽壁与该第一芯片配置区的夹角在90度到135度之间。
15.一种具有偏向堆栈元件的封装模块，其特征在于，包括: 一载具，具有一第一面及与该第一面相对的一第二面，并有多个载具穿孔自该第一面贯穿至该第二面，该第一面形成有一第一凹槽及一环绕该第一凹槽的边缘部，该第一凹槽中形成有一第一芯片配置区，及一第二凹槽配置于该第一凹槽中，以形成一控制芯片配置区，其中，该第一凹槽所形成的该第一芯片配置区围绕该第二凹槽所形成的该控制芯片配置区并高于该第二凹槽，且于该控制芯片配置区上配置多个第一金属接点，并于该第一芯片配置区上配置多个第二金属接点，以及一平台部，相邻配置于该第一芯片配置区一侧边上，使得该平台部与该第一芯片配置区之间为一凹槽壁，且曝露该多个第二金属接点，该平台部高于该第一芯片配置区，该平台部上配置多个第三金属接点； 一控制芯片，具有一上端及一下端，且于该下端上配置多个第一焊垫，该控制芯片以覆晶配置于该控制芯片配置区中，使该多个第一焊垫与该多个第一金属接点电性连接； 一第一芯片，具有一上端及一下端，且于该下端上配置多个第二焊垫，该第一芯片以覆晶配置于该第一芯片配置区中并覆盖该控制芯片，使该多个第二焊垫与该多个第二金属接点电性连接； 一第二芯片，具有一上端及一下端，且于该下端上配置多个第三焊垫，该第二芯片以覆晶配置于该第一芯片的该上端，使该多个第三焊垫与该平台部上的该多个第三金属接点电性连接，并曝露出部份该第一芯片的该上端； 一胶体，充填于该载具的该凹槽中，以覆盖曝露的该第一芯片的该上端及该第二芯片的该上端； 其中，该多个第一金属接点、该多个第二金属接点及该多个第三金属接点皆经由该多个载具穿孔分别延伸至该载具的该第二面，并于每一该第一金属接点、每一该第二金属接点及每一该第三金属接点位于该第二面的一端各自形成一第四金属接点。
16.根据权利要求15所述的具有偏向堆栈元件的封装模块，其特征在于，该具有偏向堆栈元件的封装模块进一步具有一基板，该基板具有一第三面及与该第三面相对的一第四面，该基板并有多个基板穿孔自该第三面贯穿至该第四面，该第三面具有多个电性接点，该第四面具有多个外接点，每一该多个电性接点皆经由该多个基板穿孔延伸到该第四面并分别与该多个外接点的其中之一电性连接； 其中，该基板的该第三面与该载具的该第二面相叠合，且该多个电性接点皆分别和该第二面上的该多个第四金属接点的其中之一电性连接。
17.根据权利要求15所述的具有偏向堆栈元件的封装模块，其特征在于，该具有偏向堆栈元件的封装模块进一步具有一胶膜层，该胶膜层位于该载具的该第一面，将该第一面、该凹槽及该第二芯片的该上端一并覆盖。
18.根据权利要求15所述的具有偏向堆栈元件的封装模块，其特征在于，该凹槽壁与该第一芯片配置区的夹角在90度到135度之间。
19.一种具有偏向堆栈元件的封装模块，其特征在于，包括: 一载具，具有一第一面及与该第一面相对的一第二面，该第一面形成有一凹槽及一环绕该凹槽的边缘部，该凹槽中形成有一第一芯片配置区，且于该凹槽底部上配置多个第一金属接点，一平台部，相邻配置于该第一芯片配置区一侧边上，并且曝露该多个第一金属接点，该平台部高于该第一芯片配置区，同时，该平台部与该第一芯片配置区之间为一第一凹槽壁，该第一凹槽壁与该第一芯片配置区的夹角在90度到135度之间，该第一面与该平台部之间为一第二凹槽壁，该第二凹槽壁与该平台部的夹角在90度到135度之间，该边缘部与该第一芯片配置区之间有一第三凹槽壁，该第三凹槽壁与该第一芯片配置区的夹角在90度到135度之间，该平台部上配置有多个第二金属接点，其中，每一该多个第一金属接点皆和该多个第二金属接点的其中之一相对应，且相对应的该第一金属接点和该第二金属接点之间以一第一金属线电性连接，该多个第一金属线并位于该第一凹槽壁； 一第一芯片，具有一上端及一下端，且于该下端上配置多个第一焊垫，该第一芯片以覆晶配置于该第一芯片配置区中，使该多个第一焊垫与该多个第一金属接点电性连接； 一第二芯片，具有一上端及一下端，且于该下端上配置多个第二焊垫，该第二芯片以覆晶配置于该第一芯片的该上端，使该多个第二焊垫与该平台部上的该多个第二金属接点电性连接，并曝露出部份该第一芯片的该上端； 一胶体，充填于该载具的该凹槽中，以覆盖曝露的该第一芯片的该上端及该第二芯片的该上端； 其中，每一该多个第二金属接点进一步和多个第二金属线电性连接，该多个第二金属线自该载具的该平台部经由该第二凹槽壁及该边缘部延伸配置到该载具的该第二面，并于每一该第二金属线位于该第二面的一端上，形成一第三金属接点。
20.根据权利要求19所述的具有偏向堆栈元件的封装模块，其特征在于，该具有偏向堆栈元件的封装模块进一步具有一基板，该基板具有一第三面及与该第三面相对的一第四面，该基板并有多个基板穿孔自该第三面贯穿至该第四面，该第三面具有多个电性接点，该第四面具有多个外接点，每一该多个电性接点皆经由该多个基板穿孔延伸到该第四面并分别与该多个外接点的其中之一电性连接； 其中，该基板的该第三面与该载具的该第二面相叠合，且该多个电性接点皆分别和该第二面上的该多个第三金属接点的其中之一电性连接。
【文档编号】H01L25/065GK104425466SQ201310412207
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2013年9月11日 优先权日:2013年8月28日
【发明者】陈石矶 申请人:标准科技股份有限公司