Oled器件及其制备方法、显示装置制造方法
【专利摘要】本发明涉及显示【技术领域】，公开了一种OLED器件，其包括衬底基板、TFT开关、阴极、阳极、位于阳极和阴极之间的有机发光层，所述衬底基板和有机发光层之间设有光电薄膜层，所述光电薄膜层和有机发光层之间设有遮挡层，所述遮挡层与TFT开关的位置相对。本发明还提供一种上述OLED器件的制作方法和包括上述OLED器件的显示装置。本发明在衬底基板和有机发光层之间设置光电薄膜层，该光电薄膜层与TFT开关相对的部位被遮挡，使得光电薄膜层形成一个由TFT开关的源极到漏极方向的电场，由此，可降低TFT开关工作时源漏驱动电压的效果，从而降低了降低OLED器件驱动电源的能耗。
【专利说明】OLED器件及其制备方法、显不装直
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示【技术领域】，特别是涉及一种OLED器件及其制备方法、显示装置。【背景技术】
[0002]有机发光器件(0LED器件)包括衬底基板、驱动电路、阴极、阳极、位于阳极和阴极之间的有机发光层。OLED器件一般采用TFT (薄膜场效应晶体管)进行驱动，在现有TFT技术中，TFT正常工作时所需的栅极驱动电压较高，需要在源极和漏极之间的沟道方向加一个和沟道方向平行的电场以分担部分驱动电压，该外加的电场的电势降低的方向由源极指向漏极或由漏极指向源极，指向跟OLED的类型有关。
[0003]因此，单个TFT的部分功耗粗略的可以认为是源漏电压和沟道电流的乘积。这个功耗的提供在现有技术中是由驱动电源提供的，且要得到大的漏电流的话，相应的就要提高源漏电压，这势必导致功耗的进一步提升。
【发明内容】
[0004](一)要解决的技术问题
[0005]本发明要解决的技术问题是如何降低OLED器件驱动电源的功耗。
[0006](二)技术方案
[0007]为了解决上述技术问题，本发明提供的一种OLED器件，其包括衬底基板、TFT开关、阴极、阳极、位于阳极和阴极之间的有机发光层，所述衬底基板和有机发光层之间设有光电薄膜层，所述光电薄膜层和有机发光层之间设有遮挡层，所述遮挡层与TFT开关的位置相对。
[0008]进一步地，所述光电薄膜层远离所述衬底基板的一侧设有隔离层，所述隔离层和衬底基板将所述光电薄膜层完全包裹使得光电薄膜层与外界隔离。
[0009]进一步地，所述阳极和遮挡层同层设置。
[0010]进一步地，所述光电薄膜层由透明的光电材料制成。
[0011]进一步地，所述衬底基板和所述光电薄膜层之间设有缓冲层。
[0012]进一步地，所述缓冲层由透明不导电材料制成。
[0013]本发明还提供一种显示装置，其包括上述的OLED器件。
[0014]本发明还提供一种OLED器件的制备方法，其包括以下步骤:
[0015]在衬底基板上形成光电薄膜层；
[0016]在形成光电薄膜层的衬底基板上形成TFT开关，并在所述TFT开关的上方或下方相对的位置形成遮挡层；
[0017]在形成TFT开关后的衬底基板上依次形成阳极、有机发光层和阴极。
[0018]进一步地，在形成所述光电薄膜层后，在衬底基板上形成一隔离层将所述光电薄膜层包围隔离。
[0019]进一步地，在形成所述TFT开关后的衬底基板上形成一平坦层，并在所述平坦层上形成所述阳极和遮挡层。
[0020](三)有益效果
[0021]上述技术方案所提供的一种OLED器件及其制作方法、显示装置，在衬底基板和有机发光层之间设置光电薄膜层，该光电薄膜层与TFT开关相对的部位被遮挡,使得光电薄膜层形成一个由TFT开关的源极到漏极方向的电场，由此，可降低TFT开关工作时源漏驱动电压的效果，从而降低了降低OLED器件驱动电源的能耗。
【专利附图】
【附图说明】
[0022]图1-图6是本发明优选实施例OLED器件制作过程的不同工艺步骤的流程图；
[0023]图7是本发明OLED器件的发光原理图。
[0024]其中，1、衬底基板；2、缓冲层；3、光电薄膜层；4、隔离层；5、TFT开关；51、源极；52、漏极；53、栅极；54、有源层；55、栅绝缘层；56、栅隔离层；6、平坦层；7、阳极金属层；71、阳极；72、遮挡层；8、像素电极层；9、有机发光层；10、阴极。
【具体实施方式】
[0025]下面结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0026]如图6所示，本发明的优选实施例是针对P型导电的TFT开关所提供的一种OLED器件，其包括衬底基板1、TFT开关5、阴极10、阳极71、位于阳极71和阴极10之间的有机发光层9,衬底基板I和有机发光层之间设有光电薄膜层3,光电薄膜层3和有机发光层之间设有遮挡层72，该遮挡层72与TFT开关位置相对，由此，光电薄膜层3与TFT开关相对的位置的光线被该遮挡层72所遮挡。
[0027]一般来说，P型导电的TFT开关5包括源极51、漏极52、栅极53和有源层54，栅极53设于源极51和漏极52的上方，有源层54位于源极51和漏极52的下方，用于连通源极51和漏极52，其中，源极51用于与数据线连接，漏极52用于与像素电极连接，电场方向为从源极51到漏极52的方向。
[0028]优选地，本发明优选实施例的阳极71和遮挡层72同层设置，位于TFT开关5与有机发光层9之间，阳极71和遮挡层72共同构成了一阳极金属层7。并在阳极金属层7和TFT开关5之间设置平坦层6。
[0029]针对于P型导电的TFT开关5，光电薄膜层3选择漏光的部位为位于TFT开关的源极的一侧，因此，当TFT开关5驱动阳极和阴极，使得阳极和阴极之间电流导通，使得有机发光层发光时，有机发光层发光后可照射光电薄膜层未被遮挡的部位，使得该未被遮挡的部分带正电荷，而被遮挡的部位不带电或带负电荷，因此，该光电薄膜层上带电的部位与不带电的部位之间就会产生电场，由于该光电薄膜层被遮挡的部位与TFT开关位置相对，此时就会形成一个由TFT开关的源极到漏极方向的电场，如图7所示，由此，可降低TFT开关工作时源漏驱动电压的效果，从而降低了降低OLED器件驱动电源的能耗。
[0030]光电薄膜层3远离衬底基板I的一侧设有隔离层4，隔离层4和衬底基板I将光电薄膜层3完全包裹使得光电薄膜层3与外界隔离，使得光电薄膜层3产生的电子不会导出，相应地会在原地形成正电荷区，如果光照达到稳定后，该光电薄膜层上的正、负电荷分布达到平衡，这样可以使得该外加的电场稳定。优选地，该隔离层采用SiOx/SiNx材料制成。
[0031]光电薄膜层3由透明的光电材料制成，该光电材料可为Ag-Cs2O或Ag-BaO等，优选为 Ag_Cs20。
[0032]衬底基板I和光电薄膜层3之间设有缓冲层2。该缓冲层2由透明不导电材料制成，优选地，缓冲层2由SiOx/SiNx材料制成。
[0033]本发明还提供一种上述技术方案的OLED器件的制备方法，其包括以下步骤:在衬底基板I上形成光电薄膜层3 ;在形成光电薄膜层3的衬底基板I上形成TFT开关5,并在TFT开关5的上方或下方相对的位置形成遮挡层72 ;在形成TFT开关5后的衬底基板I上依次形成阳极71、有机发光层9和阴极10。优选地，在形成光电薄膜层3后，在衬底基板上形成一隔离层4将光电薄膜层3包围隔离。优选地，在形成TFT开关5后的衬底基板I上形成一平坦层6，并在该平坦层6上形成阳极71和遮挡层72。
[0034]以下以P型导电的TFT开关为例，详细说明本发明OLED制备方法的优选实施例，N型导电的TFT开关的制作方法以此相似，具体为:
[0035]S1、在衬底基板I上沉积SiOx/SiNx缓冲层2，该缓冲层2的作用是起到防止有源层被污染的作用，其厚度可为2000/丨000A;
[0036]S2、如图1所不,用金属掩模板做为挡板,蒸镀Ag_Cs20光电薄膜层3,并在真空条件下再在该光电薄膜层3上沉积隔离层4，该隔离层4包围整个光电薄膜层3，隔离层4可选用SiNx/SiOx材料，其厚度以其光电子电场可以作用到源漏沟道且可以灵敏控制其中的载流子为准；
[0037]S3、如图2所示，以等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)工艺沉积a_Si(非晶硅)薄膜，其厚度可以选择为400?500A，然后进行脱氢处理；接着，对a-Si薄膜进行准分子激光晶化(ELA)处理，使其形成P-Si (多晶硅)，之后进行曝光及刻蚀工艺，形成TFT开关的有源层54 ;并以PECVD工艺沉积栅绝缘层55，该栅绝缘层55可采用SiOx/SiNx材料制成，其总厚度为1200A左右，并用磁控溅射的方法沉积栅金属，厚度在2000A左右，并进行曝光及刻蚀工艺形成栅极53，如图3所示；
[0038]S4、在上层结构基础上进行离子注入工艺，形成源漏P型掺杂(源漏P型掺杂属于半导体掺杂工艺，采用离子注入的方式，其目的是令半导体导电);以PECVD工艺沉积栅隔离层56，该栅隔离层56的材料可为SiOx/SiOx，其厚度在5000 A左右，并进行源漏激活处理，并在上层结构基础上进行过孔曝光和刻蚀工艺，形成源漏电极过孔，如图3所示；
[0039]S5、如图4所示，以磁控溅射的方法沉积源漏金属电极，并进行曝光和刻蚀工艺，形成源极51和漏极52 ;并涂覆一层聚酰亚胺材料作为平坦层6，该平坦层6的作用是令底层TFT表面平坦，之后可在平坦层上制作发光层，该平坦层6的厚度约2 μ m厚；
[0040]S6、以磁控溅射工艺在平坦层6上沉积阳极金属层7，该阳极金属层7的材料为IT0/Ag/IT0，该层阳极金属层7的图形要保证后续发光层和Ag-Cs20光电薄膜层重叠的部分为ITO层，该ITO层作为阳极71，与TFT开关5位置相对的部分保留Ag层，该Ag层作为遮挡层72，如图5所示。
[0041]S7、最后在阳极层上涂覆聚酰亚胺材料的像素电极层8，之后进行有机发光层9的蒸镀，之后再进行阴极10的沉积，至此完成整个OLED结构，如图6所示。[0042]上述优选实施例主要是针对P型导电的TFT开关，对于N型导电的TFT驱动，其结构与P型基本一致，区别仅在于，将TFT开关的源极和漏极的位置互换，这是因为N沟道的TFT工作时，电子是从源极流向漏极，因此令漏极朝向光电薄膜材料漏光的一侧，而源极朝向遮光的一侧即可实现针对N型导电的TFT所提供的OLED器件的应用。
[0043]本发明还提供一种显示装置，该显示装置包括上述技术方案所述的OLED器件。
[0044]以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种OLED器件，其包括衬底基板、TFT开关、阴极、阳极、位于阳极和阴极之间的有机发光层，其特征在于，所述衬底基板和有机发光层之间设有光电薄膜层，所述光电薄膜层和有机发光层之间设有遮挡层，所述遮挡层与TFT开关的位置相对。
2.如权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述光电薄膜层远离所述衬底基板的一侧设有隔离层，所述隔离层和衬底基板将所述光电薄膜层完全包裹使得光电薄膜层与外界隔尚。
3.如权利要求1或2所述的OLED器件，其特征在于，所述阳极和遮挡层同层设置。
4.如权利要求1或2所述的OLED器件，其特征在于，所述光电薄膜层由透明的光电材料制成。
5.如权利要求1或2所述的OLED器件，其特征在于，所述衬底基板和所述光电薄膜层之间设有缓冲层。
6.如权利要求5所述的OLED器件，其特征在于，所述缓冲层由透明不导电材料制成。
7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的OLED器件。
8.—种OLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 在衬底基板上形成光电薄膜层； 在形成光电薄膜层的衬底基板上形成TFT开关，并在所述TFT开关的上方或下方相对的位置形成遮挡层； 在形成TFT开关后的衬底基板上依次形成阳极、有机发光层和阴极。
9.如权利要求8所述的OLED器件的制备方法，其特征在于，在形成所述光电薄膜层后，在衬底基板上形成一隔离层将所述光电薄膜层包围隔离。
10.如权利要求8所述的OLED器件的制备方法，其特征在于，在形成所述TFT开关后的衬底基板上形成一平坦层，并在所述平坦层上形成所述阳极和遮挡层。
【文档编号】H01L51/56GK103474585SQ201310459391
【公开日】2013年12月25日 申请日期:2013年9月24日 优先权日:2013年9月24日
【发明者】石磊 申请人:京东方科技集团股份有限公司