一种大功率rgbw交叉混色cob集成封装结构的制作方法
【专利摘要】一种大功率RGBW交叉混色COB集成封装结构，包括散热板、LED芯片、反光腔；所述散热板为铜基线路板，该散热板中间位置设有反光腔，反光腔为倒置的圆台形凹槽；所述LED芯片设置在该反光腔底部，该LED芯片通过共晶焊接在散热板的正面；所述LED芯片包括若干个红光芯片、蓝光芯片、绿光芯片、白光芯片，其中多个红光芯片、蓝光芯片、绿光芯片均匀设置在多个白光芯片列阵中。本实用新型的基板采用高导热铜基线路板，按功率和亮度要求在基板上排布红（R）、绿（G）、蓝（B）、白（W），四色芯片，白光采用特殊芯片和荧光粉涂覆技术，即可以做照明用，又可以做全彩变化，因为增加一种颜色，所以组合的色彩种类更多，颜色更饱和艳丽。
【专利说明】—种大功率RGBW交叉混色COB集成封装结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及LED光源【技术领域】，尤其是涉及一种大功率RGBW交叉混色COB集成封装结构。
【背景技术】
[0002]目前市面上常见的多彩LED光源，一种是包括红、绿、蓝三种颜色的LED光源，在面对同时需要白光照明和彩色照明的场所无法适用。照明的白光LED的实现方案是高亮蓝光芯片激发黄光突光粉发出白光的方案；还有一种RGB三原色合成白光的方案,该RGB白光方案使用的都是小功率LED，其虽然能够合成白光但是白光照明亮度很弱，色纯度不好，达不到照明的要求。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的在于克服现有技术存在的不足，提供一种大功率RGBW交叉混色COB集成封装结构，用以解决上述技术问题。
[0004]为实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案是:一种大功率RGBW交叉混色COB集成封装结构，包括散热板、LED芯片、反光腔；所述散热板为铜基线路板，该散热板中间位置设有反光腔，反光腔为倒置的圆台形凹槽；所述LED芯片设置在该反光腔底部，该LED芯片通过共晶焊接在散热板的正面；所述LED芯片包括若干个红光芯片、蓝光芯片、绿光芯片、白光芯片，其中多个红光芯片、蓝光芯片、绿光芯片均匀设置在多个白光芯片列阵中。
[0005]作为优选，所述LED芯片为100?150个。
[0006]作为优选，所述LED芯片中的红光芯片、蓝光芯片、绿光芯片、白光芯片的数量比为 1:1:1:2。
[0007]作为优选，所述LED芯片设有荧光粉层，其中白光芯片涂覆有取光层。
[0008]本实用新型的基板采用高导热铜基线路板，按功率和亮度要求在基板上排布红(R)、绿(G)、蓝(B)、白(W)，四色芯片，白光采用特殊芯片和荧光粉涂覆技术，即可以做照明用，又可以做全彩变化，因为增加一种颜色，所以组合的色彩种类更多，颜色更饱和艳丽。
[0009]本实用新型的有益效果是:1)功率大，亮度高，全彩R、G、B、W功率可做到100-150瓦。
[0010]2)采用红(R)、绿(G)、蓝(B)、白(W)，四色芯片，颜色更丰富。
[0011]3)既可以作全彩变化，又可以作为通用照明使用。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1是本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】[0013]下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步具体说明。
[0014]图1是本实用新型的结构示意图。由图1可知，一种大功率RGBW交叉混色COB集成封装结构，主要由散热板1、LED芯片、反光腔2等组成；其中散热板I为铜基线路板，该散热板I中间位置设有反光腔2，反光腔2为倒置的圆台形凹槽。所述LED芯片为100?150个，该LED芯片设置在该反光腔2底部，其中LED芯片通过共晶焊接在散热板I的正面。LED芯片包括若干个红光芯片6、蓝光芯片3、绿光芯片5、白光芯片4，其中多个红光芯片6、蓝光芯片3、绿光芯片5均匀设置在多个白光芯片4列阵中，LED芯片设有荧光粉层，其中白光芯片4涂覆有取光层。LED芯片中的红光芯片6、蓝光芯片3、绿光芯片5、白光芯片4的数量比为反光腔2内壁上设置有反光层，能够将LED芯片的出射光向上反射，从而提高光效。反光层可以为镀铝、银层，并经过变色保护，以防止其在长期使用中使反射光的颜色发生变化。
[0015]本实用新型的基板采用高导热铜基线路板，按功率和亮度要求在基板上排布红(R)、绿(G)、蓝(B)、白(W)四色芯片，白光采用特殊芯片和荧光粉涂覆技术，即可以做照明用，又可以做全彩变化，因为增加一种颜色，所以组合的色彩种类更多，颜色更饱和艳丽。
【权利要求】
1.一种大功率RGBW交叉混色COB集成封装结构，包括散热板、LED芯片、反光腔；其特征是，所述散热板为铜基线路板，该散热板中间位置设有反光腔，反光腔为倒置的圆台形凹槽；所述LED芯片设置在该反光腔底部，该LED芯片通过共晶焊接在散热板的正面；所述LED芯片包括若干个红光芯片、蓝光芯片、绿光芯片、白光芯片，其中多个红光芯片、蓝光芯片、绿光芯片均匀设置在多个白光芯片列阵中。
2.根据权利要求1所述的一种大功率RGBW交叉混色COB集成封装结构，其特征是，所述LED芯片为100?150个。
3.根据权利要求1或2所述的一种大功率RGBW交叉混色COB集成封装结构，其特征是，所述LED芯片中的红光芯片、蓝光芯片、绿光芯片、白光芯片的数量比为1:1:1:2。
【文档编号】H01L33/60GK203690296SQ201320785982
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2013年12月4日 优先权日:2013年12月4日
【发明者】陈立有 申请人:深圳市久和光电有限公司