发光器件的制作方法

文档序号:7040112
发光器件的制作方法
【专利摘要】本发明实施方案的发光器件包括:包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层之下的有源层、以及在有源层之下的第二导电半导体层的发光结构;电连接到第一导电半导体层并且布置在发光结构之下的第一电极;电连接到第二导电半导体层并且布置在发光结构之下的第二电极;布置为穿过发光结构并且包括电连接到第一电极的第一区域和与第一导电半导体层的顶表面接触的第二区域的第一接触部;以及布置在第一接触部周围以使第一接触部与第二导电半导体层绝缘的绝缘离子注入层。
【专利说明】发光器件
【技术领域】
[0001 ] 本发明实施方案涉及发光器件、发光器件封装件以及光单元。
【背景技术】
[0002]发光二极管(LED)已经广泛用作发光器件之一。LED通过利用化合物半导体的特性将电信号转换成光的形式,例如红外光、可见光以及紫外光。
[0003]随着发光器件的发光效率增加,发光器件已经用在例如显示装置和照明设备的各种领域中。

【发明内容】

[0004]本发明实施方案提供了能够提高光提取效率和产品产率的发光器件、发光器件封装件以及光单元。
[0005]根据实施方案的发光器件包括:包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层之下的有源层、以及在有源层之下的第二导电半导体层的发光结构;电连接到第一导电半导体层并且布置在发光结构之下的第一电极;电连接到第二导电半导体层并且布置在发光结构之下的第二电极;布置为穿过发光结构并且包括电连接到第一电极的第一区域和接触第一导电半导体层的顶表面的第二区域的第一接触部;以及布置在第一接触部周围以使第一接触部绝缘于第二导电半导体层的绝缘离子注入层。
[0006]根据实施方案的发光器件、发光器件封装件以及光单元可以提高光提取效率和产
品产率。
【专利附图】

【附图说明】
[0007]图1为示出根据实施方案的发光器件的图。
[0008]图2为示出形成在图1中所示的发光器件的发光结构中的通孔的实施例的图。
[0009]图3至图6为示出根据实施方案的制造发光器件的方法的截面图。
[0010]图7为示出根据另一实施方案的发光器件的截面图。
[0011]图8为示出根据又一实施方案的发光器件的截面图。
[0012]图9为示出图8中所示的发光器件的第一接触部的布置的图。
[0013]图10至图13为示出根据实施方案的制造发光器件的方法的截面图。
[0014]图14为示出根据又一实施方案的发光器件的截面图。
[0015]图15为示出根据又一实施方案的发光器件的截面图。
[0016]图16为示出图15中所示的发光器件的第一接触部的布置的图。
[0017]图17至图20为示出根据实施方案的制造发光器件的方法的截面图。
[0018]图21为示出根据又一实施方案的发光器件的截面图。
[0019]图22为示出根据又一实施方案的发光器件的截面图。
[0020]图23为示出图22中所示的发光器件的第一接触部的布置的图。[0021]图24至图27为示出根据实施方案的制造发光器件的方法的截面图。
[0022]图28和图29为示出根据又一实施方案的发光器件的截面图。
[0023]图30为示出根据又一实施方案的发光器件的截面图。
[0024]图31为示出图30中所示的发光器件的第一接触部的布置的图。
[0025]图32至图35为示出根据实施方案的制造发光器件的方法的截面图。
[0026]图36为示出根据又一实施方案的发光器件的截面图。
[0027]图37为示出根据实施方案的发光器件封装件的截面图。
[0028]图38为示出根据实施方案的显示装置的分解透视图。
[0029]图39为示出根据实施方案的显示装置的另一实施例的截面图。
[0030]图40为示出根据实施方案的光单元的分解透视图。
【具体实施方式】[0031]在实施方案的描述中,应当理解,当层(或膜)、区域、图案或结构称作在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一焊盘(pad)或者另一图案“上”或“下”时,其可以“直接地”或“间接地”在其他衬底、层(或膜)、区域、焊盘或者图案之上,或者也可以存在一个或更多个插入层。参照附图来描述层的这样的位置。
[0032]在下文中,将参照附图来详细地描述根据实施方案的发光器件、发光器件封装件、光单元以及用于制造发光器件的方法。
[0033]如图1和图2所不,根据实施方案的发光器件可以包括发光结构10、第一电极81、第二电极82以及第一接触部91。
[0034]发光结构10可以包括第一导电半导体层11、有源层12以及第二导电半导体层
13。有源层12可以布置在第一导电半导体层11与第二导电半导体层13之间。有源层12可以设置在第一导电半导体层11之下,并且第二导电半导体层13可以设置在有源层12之下。
[0035]第一导电半导体层11可以包括掺杂有用作第一导电掺杂剂的N型掺杂剂的N型半导体层,并且第二导电半导体层13可以包括掺杂有用作第二导电掺杂剂的P型掺杂剂的P型半导体层。另外,第一导电半导体层11可以包括P型半导体层,并且第二导电半导体层13可以包括N型半导体层。
[0036]例如,第一导电半导体层11可以包括N型半导体层。第一导电半导体层11可以通过使用化合物半导体来实现。第一导电半导体层11可以通过使用第I1-VI族化合物半导体、或者第πι-v族化合物半导体来实现。
[0037]例如,第一导电半导体层11可以通过使用具有InxAlyGa1TyN (O ^ x ^ I,O < y < 1,0 < x+y ( I)的组成式的半导体材料来实现。例如,第一导电半导体层11可以包括选自掺杂有例如S1、Ge、Sn、Se以及Te的N型掺杂剂的GaN、AIN、AlGaN, InGaN, InN、InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP 以及 AlGaInP 中的一种。
[0038]有源层12通过穿过第一导电半导体层11注入的电子(或空穴)与穿过第二导电半导体层13注入的空穴(或电子)的复合而发射具有与根据构成有源层12的材料的能带隙差对应的波长的光。有源层12可以具有单量子阱(SQW)结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构以及量子线结构之一,但实施方案不限于此。[0039]有源层12可以通过使用化合物半导体来实现。有源层12可以通过使用具有InxAlyGa1^yN (O≤x≤I,O≤y≤I,O≤x+y ( I)的组成式的半导体材料来实现。当有源层12具有MQW结构时,有源层12可以通过堆叠多个阱层和多个势垒层来形成。例如,有源层12可以具有InGaN阱层/GaN势垒层的循环。
[0040]例如,第二导电半导体层13可以包括P型半导体层。第二导电半导体层13可以通过使用化合物半导体来实现。例如,第二导电半导体层13可以通过使用第I1-VI族化合物半导体、或第πι-v族化合物半导体来实现。
[0041]例如,第二导电半导体层13可以通过使用具有InxAlyGa^N (O≤x≤1,O ^ y ^ 1,0 ^ x+y ^ I)的组成式的半导体材料来实现。例如,第二导电半导体层13可以包括选自掺杂有例如Mg、Zn、Ca、Sr以及Ba的P型掺杂剂的GaN、AIN、AlGaN, InGaN, InN、InAlGaN, Al InN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP 以及 AlGaInP 中的一种。
[0042]同时,第一导电半导体层11可以包括P型半导体层,并且第二导电半导体层13可以包括N型半导体层。另外,可以在第二导电半导体层13之下附加地设置包括N型或P型半导体层的半导体层。因此,发光结构10可以具有NP结结构、PN结结构、NPN结结构或PNP结结构中的至少一种结构。另外,第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中可以以均一或非均一掺杂浓度掺杂有杂质。换句话说,发光结构10可以具有各种结构,并且实施方案不限于此。
[0043]另外,可以 在第一导电半导体层11与有源层12之间形成第一导电InGaN/GaN超晶格结构或InGaN/InGaN超晶格结构。另外,可以在第二导电半导体层13与有源层12之间形成第二导电AlGaN层。
[0044]根据实施方案的发光器件可以包括反射层17。反射层可以电连接到第二导电半导体层13。反射层可以布置在发光结构10之下。反射层可以布置在第二导电半导体层13之下。反射层17可以反射从发光结构10入射到其上的光来增加提取到外界的光的量。
[0045]根据实施方案的发光器件可以包括置于反射层17与第二导电半导体层13之间的欧姆接触层15。欧姆接触层15可以与第二导电半导体层13接触。欧姆接触层15可以与发光结构10欧姆接触。欧姆接触层15可以包括与发光结构10欧姆接触的区域。欧姆接触层15可以包括与第二导电半导体层13欧姆接触的区域。
[0046]例如,欧姆接触层15可以包括透明导电氧化物层。例如,欧姆接触层15可以包括选自以下中的至少一种=ITO (铟锡氧化物)、ΙΖ0 (铟锌氧化物)、ΑΖ0 (铝锌氧化物)、AGZ0 (招镓锌氧化物)、IZTO (铟锌锡氧化物)、IAZO (铟铝锌氧化物)、IGZO (铟镓锌氧化物)、IGTO (铟镓锡氧化物)、ATO (锑锡氧化物)、GZO (镓锌氧化物)、IZON (ΙΖ0氮化物)、ZnO、Ir0x、Ru0x、NiO、Pt、Ag 以及 Ti。
[0047]反射层17可以包括具有高反射率的材料。例如,反射层17可以包括含有Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au和Hf中的至少一种的金属及其合金。另外,反射层17可以形成为金属或其合金和透射导电材料的多层,所述透射导电材料为例如ITO(铟锡氧化物)、IZO (铟锌氧化物)、IZTO (铟锌锡氧化物)、IAZO (铟铝锌氧化物)、IGZO (铟镓锌氧化物)、IGT0 (铟镓锡氧化物)、AZO (铝锌氧化物)或ATO (锑锡氧化物)等。例如,根据实施方案,反射层17可以包含Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金以及Ag-Cu合金中的至少一种。
[0048]例如,反射层17可以具有Ag层和Ni层交替形成的结构,并且可以包括Ni/Ag/Ni或Ti层,以及Pt层。另外,欧姆接触层15可以设置在反射层17之下,并且欧姆接触层15的至少一部分可以通过反射层17与发光结构10欧姆接触。
[0049]根据实施方案的发光器件可以包括设置在反射层17之下的第一金属层35。第一金属层35可以包含Au、Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一种。
[0050]根据实施方案,第二电极82可以包括反射层17、欧姆接触层15以及第一金属层35中的至少一个。例如,第二电极82可以包括反射层17、第一金属层35以及欧姆接触层15的全部,或者可以包括选自反射层17、第一金属层35以及欧姆接触层15中的一种或两种。
[0051]根据实施方案的第二电极82可以布置在发光结构10之下。第二电极82可以电连接到第二导电半导体层13。
[0052]根据实施方案的发光器件可以包括设置在发光结构10的下部周围的沟道层30。沟道层30的一端可以设置在第二导电半导体层13之下。沟道层30的这一端可以与第二导电半导体层13的底表面接触。沟道层30的这一端可以布置在第二导电半导体层13与反射层17之间。沟道层30的这一端可以布置在第二导电半导体层13与欧姆接触层15之间。
[0053]沟道层30可以包括绝缘材料。例如,沟道层30可以通过使用氧化物或氮化物来实现。例如,沟道层 30 可以包含选自 Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al203、Ti02 以及 AlN中的至少一种。沟道层30可以称作隔离层。沟道层30可以在稍后对发光结构10进行隔离工艺时用作蚀刻阻挡物。另外,沟道层30可以防止由隔离工艺引起的发光器件的电特性劣化。
[0054]根据实施方案的发光器件可以包括第一绝缘层31。例如,第一绝缘层31可以通过使用氧化物或氮化物来实现。例如,第一绝缘层31可以包含选自Si02、SixOy, Si3N4, Si具、Si0xNy、Al203、Ti02以及AlN中的至少一种。第一绝缘层31可以通过使用构成沟道层30的材料形成。另外,第一绝缘层31和沟道层30可以通过相互不同的材料形成。
[0055]根据实施方案的发光器件可以包括设置在第一绝缘层31之下的第二金属层37。第二金属层37可以包含Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少之一。第二金属层37可以通过使用构成第一金属层35的材料形成。另外,第一金属层35和第二金属层37可以通过使用相互不同的材料形成。
[0056]在第一金属层35与第二金属层37之间可以布置有第二绝缘层40。第二绝缘层40可以通过使用氧化物或氮化物形成。例如,第二绝缘层40可以包含选自Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al203、Ti02以及AlN中的至少一种。第二绝缘层40可以布置在第一金属层35之下。第二绝缘层40可以布置在第一绝缘层31之下。
[0057]可以在第二金属层37之下布置第三金属层50。第三金属层50可以电连接到第二金属层37。第三金属层50的顶表面可以与第二金属层37的底表面接触。第三金属层50可以布置在第二绝缘层40之下。
[0058]第三金属层50可以包含Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一种。
第三金属层50可以用作扩散阻挡层。在第三金属层50之下可以设置接合层60和导电支承构件70。
[0059]第三金属层50可以在设置接合层60的过程中防止包含在接合层60中的材料扩散到反射层17。第三金属层50可以防止包含在接合层60中的材料(例如Sn)对反射层17施加影响。
[0060]接合层60包括阻挡金属或接合金属。例如,接合层60可以包含T1、Au、Sn、N1、Cr、Ga、In、B1、Cu、Ag、Nb、Pd以及Ta中的至少一种。导电支承构件70可以在执行散热功能的同时支承根据实施方案的发光结构10。接合层60可以以籽层的形式来实现。
[0061 ] 导电支承构件70可以包括注入有T1、Cr、N1、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W或杂质的半导体衬底(例如,Si衬底、Ge衬底、GaN衬底、GaAs衬底、ZnO衬底、SiC衬底以及SiGe衬底)中的至少一种衬底。
[0062]根据实施方案,第一电极81可以包括第二金属层37、第三金属层50、接合层60以及导电支承构件70中的至少一个。第一电极81可以包括第二金属层37、第三金属层50、接合层60以及导电支承构件70的全部。另外,第一电极81可以选择性地包括第二金属层37、第三金属层50、接合层60以及导电支承构件70中的两个或三个。
[0063]第一电极81可以布置在发光结构10之下。第一电极81可以电连接到第一导电半导体层11。第一电极81的底表面可以定位成低于第二电极82的底表面。
[0064]根据实施方案的发光器件可以包括第一接触部91。第一接触部91可以布置为穿过发光结构10。第一接触部91可以布置为穿过第一导电半导体层11、有源层12以及第二导电半导体层13。
[0065]例如,如图2所示,可以在发光结构10中形成多个通孔20。第一接触部91可以沿发光结构10的通孔20布置。第一接触部91的第一区域可以电连接到第一电极81并且第一接触部91的第二区域可以与第一导电半导体层11的顶表面接触。
[0066]例如,第一接触部91的第一区域可以与第二金属层37接触。第一接触部91的第一区域可以与第二金属层37的顶表面接触。例如,当发光结构10生长为GaN半导体层时,第一接触部91可以与第一导电半导体层11的η面接触。
[0067]尽管在图1所示的发光器件中示出了仅一个第一接触部91,但是根据实施方案的发光结构10可以形成有如图2所示的多个通孔20,并且第一接触部91可以形成在每个通孔20中。
[0068]第一接触部91中的每一个可以包括与第一导电半导体层11的顶表面接触的第二区域,并且第二区域可以彼此间隔开。例如,第二区域可以构造成点的形式。点可以布置成圆形、矩形或三角形的形式。可以对点的布置进行各种修改。
[0069]同时,通孔20可以具有在5μπι至200μπι的范围内的宽度或直径D。如果通孔20具有小于5μπι的宽度或直径,则用于形成第一接触部91的过程可能是困难的。另外,如果通孔20具有大于200 μ m的宽度或直径,则发光结构10的发光面积减少使得光提取效率可能劣化。布置在通孔20中的第一接触部91也可以具有在5 μ m至200 μ m的范围内的宽度
或直径。
[0070]第一接触部91可以在第一导电半导体层11的顶表面上彼此间隔开。因为第一接触部91分布在发光结构10上,所以可以使施加到第一导电半导体层11的电流分散。因而,可以防止第一导电半导体层11的劣化并且可以提高有源层12中的电子和空穴的复合效率。
[0071]例如,布置在第一导电半导体层11的顶表面上的第一接触部91可以从通孔20的外周部分延伸5 μ m至50 μ m。
[0072]根据实施方案,第一接触部91可以包括欧姆层、中间层以及上部层。欧姆层可以包括选自Cr、V、W、Ti以及Zn的材料,并且可以产生欧姆接触。中间层可以通过使用选自NiXu以及Al的材料来实现。例如,上部层可以包含Au。第一接触部91可以包含选自Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au 以及 Mo 中的至少一种。
[0073]第三绝缘层33可以布置在第一接触部91周围。第三绝缘层33的第一区域可以布置在发光结构10中。第三绝缘层33的第二区域可以布置在发光结构10的顶表面上。第三绝缘层33的第二区域可以布置在第一导电半导体层11与第一接触部91之间。第三绝缘层33的第一区域可以使第一接触部91绝缘于有源层12和第二导电半导体层13。第三绝缘层33的第一区域可以使第一接触部91与有源层12电绝缘。第三绝缘层33的第一区域可以使第一接触部91与第二导电半导体层13电绝缘。
[0074]第三绝缘层33包括例如氧化物或氮化物。例如,第三绝缘层33可以通过使用选自 Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al203、Ti02 以及 AlN 中的至少一种形成。
[0075]第三绝缘层33可以布置为穿过第二导电半导体层13、有源层12和第一导电半导体层11。第三绝缘层33可以布置在第一接触部91周围。
[0076]另外,根据实施方案的发光器件可以包括第二接触部92。第二接触部92可以与发光结构10间隔开。第二接触部92可以电连接到第二电极82。第二接触部92可以通过穿过沟道层30而电连接到第二电极82。第二接触部92可以电连接到第一金属层35。第二接触部92可以与第一金属层35的顶表面接触。第二接触部92可以包含Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一种。第二接触部92可以通过使用构成第一接触部91的材料形成。另外,第一接触部91和第二接触部92可以通过使用相互不同的材料形成。
[0077]可以在第一导电半导体层11的顶表面上形成粗糙结构,因此,可以增加在形成粗糙结构的区域处向上提取的光的量。
[0078]根据实施方案的发光器件可以包括布置在第一金属层35与第三金属层50之间的第二绝缘层40。第二绝缘层40可以使第一金属层35与第三金属层50绝缘。第二绝缘层40可以使第一金属层35与导电支承构件70绝缘。例如,第二绝缘层40可以通过使用氧化物或氮化物来实现。例如,第二绝缘层40可以包含选自Si02、Six0y、Si3N4、Si具、SiO具、A1203、TiO2以及AlN的至少一种。
[0079]第二绝缘层40的一部分可以包围第二金属层37的外周部分。第二绝缘层40的上部可以与第一绝缘层31的底表面接触。
[0080]第二绝缘层40可以布置在第一电极81与第二电极82之间。第二绝缘层40可以使第一电极81与第二电极82电绝缘。
[0081]根据实施方案,可以通过第一电极81和第二电极82将电力施加到发光结构10。例如,在根据实施方案的发光器件中,可以通过第一电极81的导电支承构件70和第二接触部92将电力施加到发光结构10。
[0082]因此,可以通过将导电支承构件70附接到接合焊盘(bonding pad)的方案来将电力供应到第一导电半导体层11。根据实施方案,第二接触部92可以电连接到第二电极82。因此,通过引线接合方案将第二接触部92连接到电源焊盘,由此将电力供应到第二导电半导体层13。[0083]根据实施方案的发光器件,可以通过导电支承构件70和第二接触部92将电力供应到发光结构10。因此,根据实施方案,可以防止电流集中,并且可以提高电可靠性。
[0084]在根据实施方案的发光器件中,通孔20从发光结构10的顶表面形成。因而,可以简化制造工艺并且可以提高产品产率。另外,根据实施方案的发光器件,可以减小布置在发光结构10的顶表面上的电极的面积,使得可以从发光结构10的顶表面和侧面省略保护层。因此,可以提高从发光结构10发射到外界的光的提取效率。
[0085]在下文中,将参照图3至图6描述根据实施方案的制造发光器件的方法。
[0086]根据实施方案的制造发光器件的方法,如图3所示,可以在衬底5上形成第一导电半导体层11、有源层12以及第二导电半导体层13。可以将第一导电半导体层U、有源层12以及第二导电半导体层13定义为发光结构10。
[0087]例如,衬底5可以包括蓝宝石衬底(Al203)、SiC、GaAs、GaN、Zn0、S1、GaP、InP以及Ge中的至少一种,但实施方案不限于此。可以在第一导电半导体层11与衬底5之间布置缓冲层。
[0088]第一导电半导体层11可以包括掺杂有用作第一导电掺杂剂的N型掺杂剂的N型半导体层,并且第二导电半导体层13可以包括掺杂有用作第二导电掺杂剂的P型掺杂剂的P型半导体层。另外 ,第一导电半导体层11可以包括P型半导体层,并且第二导电半导体层13可以包括N型半导体层。
[0089]例如,第一导电半导体层11可以包括N型半导体。第一导电半导体层11可以包括具有InxAlyGa^N (O≤x≤1,O≤y≤1,O≤x+y ≤I)的组成式的半导体材料。例如,第一导电半导体层11可以包括选自InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN以及InN中的一种,并且可以掺杂有例如S1、Ge、Sn、Se以及Te的N型掺杂剂。
[0090]有源层12通过穿过第一导电半导体层11注入的电子(或空穴)与穿过第二导电半导体层13注入的空穴(或电子)的复合而发射具有与根据构成有源层12的材料的能带隙差对应的波长的光。有源层12可以具有单量子阱(SQW)结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构以及量子线结构中之一,但是实施方案不限于此。
[0091]有源层12 可以通过使用具有 Ι≤χΑΙ≤^Ν?Ο≤ x ≤ I,O ≤y ≤ I,O ^ x+y ^ I)的组成式的半导体材料来实现。当有源层12具有MQW结构时,有源层12可以通过堆叠多个阱层和多个势垒层来形成。例如,有源层12可以具有InGaN阱层/GaN势垒层的循环。
[0092]例如,第二导电半导体层13可以通过使用P型半导体来实现。第二导电半导体层13可以通过使用具有InxAlyGa1TyN (O≤x≤l,0≤y≤ 1,0≤ x+y ≤ I)的组成式的半导体材料来实现。例如,第二导电半导体层13可以包含选自InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、Al InN、AlN以及InN中的一种,并且可以掺杂有例如Mg、Zn、Ca、Sr以及Ba的P型掺杂剂。
[0093]同时,第一导电半导体层11可以包括P型半导体层,并且第二导电半导体层13可以包括N型半导体层。另外,可以在第二导电半导体层13上附加地设置包括N型或P型半导体层的半导体层。
[0094]因此,发光结构10可以具有NP结结构、PN结结构、NPN结结构或者PNP结结构中的至少一种结构。另外,第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中可以以均一或非均一掺杂浓度掺杂有杂质。换句话说,发光结构10可以具有各种结构,并且实施方案不限于此。[0095]另外,可以在第一导电半导体层11与有源层12之间形成第一导电InGaN/GaN超晶格结构或InGaN/InGaN超晶格结构。另外,可以在第二导电半导体层13与有源层12之间形成第二导电AlGaN层。
[0096]接下来,如图4所示,可以在发光结构10上形成沟道层30和第一绝缘层31。可以通过使用相同的材料或相互不同的材料来形成第一绝缘层31和沟道层30。
[0097]沟道层30和第一绝缘层31可以通过使用绝缘材料来形成。例如,沟道层30和第一绝缘层31可以通过使用氧化物或氮化物来形成。例如,沟道层30和第一绝缘层31可以通过使用选自Si02、SixOy, Si3N4, SixNy、SiOxNy> A1203> TiO2以及AlN中的至少一种来形成。
[0098]然后,如图4所示,可以在发光结构10上设置有欧姆接触层15和反射层17。
[0099]欧姆接触层15可以布置在反射层17与第二导电半导体层13之间。欧姆接触层15可以与第二导电半导体层13接触。
[0100]欧姆接触层15可以与发光结构10欧姆接触。反射层17可以电连接到第二导电半导体层13。欧姆接触层15可以包括与发光结构10欧姆接触的欧姆接触区域。
[0101]例如,欧姆接触层15可以包括透明导电氧化物层。例如,欧姆接触层15可以包括选自以下中的至少一种=ITO (铟锡氧化物)、ΙΖ0 (铟锌氧化物)、ΑΖ0 (铝锌氧化物)、AGZ0 (招镓锌氧化物)、IZTO (铟锌锡氧化物)、IAZO (铟铝锌氧化物)、IGZO (铟镓锌氧化物)、IGTO (铟镓锡氧化物)、ATO (锑锡氧化物)、GZO (镓锌氧化物)、IZON (ΙΖ0氮化物)、ZnO、Ir0x、Ru0x、NiO、Pt、Ag 以及 Ti。
[0102]反射层17可以包括具有高反射率的材料。例如,反射层17可以包括含有Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au和Hf中的至少一种的金属及其合金。另外,反射层17可以形成为金属或其合金和透射导电材料的多层,所述透射导电材料为例如ITO(铟锡氧化物)、IZO (铟锌氧化物)、IZTO (铟锌锡氧化物)、IAZO (铟铝锌氧化物)、IGZO (铟镓锌氧化物)、IGT0 (铟镓锡氧化物)、ΑΖ0 (铝锌氧化物)或ATO (锑锡氧化物)。例如,根据实施方案,反射层17可以包含Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金以及Ag-Cu合金中至少一种。
[0103]例如,反射层17可以具有Ag层和Ni层交替形成的结构,并且可以包括Ni/Ag/Ni或Ti层,以及Pt层。另外,欧姆接触层15可以设置在反射层17之下,并且欧姆接触层15的至少一部分可以通过反射层17与发光结构10欧姆接触。
[0104]此后,如图5所示,可以在反射层17上形成第一金属层35、第二金属层37、第二绝缘层40、第三金属层50、接合层60以及导电支承构件70。
[0105]第一金属层35可以包含选自Au、Cu、N1、T1、Ti_W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一种。根据实施方案,第二电极82可以包括反射层17、欧姆接触层15以及第一金属层35中的至少之一。例如,第二电极82可以包括反射层17、欧姆接触层15以及第一金属层35的全部,或者可以选择性地包括反射层17、欧姆接触层15以及第一金属层35中的一种或两种。
[0106]根据实施方案的发光器件可以包括形成在第一绝缘层31上的第二金属层37。第二金属层37可以包含Au、Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中至少之一。可以通过使用构成第一金属层35的材料来形成第二金属层37。另外,可以通过使用相互不同的材料来形成第一金属层35和第二金属层37。
[0107]可以在第一金属层35与第二金属层37之间布置第二绝缘层40。可以通过使用氧化物或氮化物来形成第二绝缘层40。例如,第二绝缘层40可以包含选自Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、SiOxNy> A1203、TiO2以及AlN的至少一种。第二绝缘层40可以布置在第一金属层35上。第二绝缘层40可以布置在第一绝缘层31上。第二绝缘层40的一部分可以包围第二金属层37。
[0108]可以在第二金属层37上布置第三金属层50。第三金属层50可以电连接到第二金属层37。第三金属层50的底表面可以与第二金属层37的顶表面接触。第三金属层50可以布置在第二绝缘层40上。
[0109]第三金属层50可以包含Cu、N1、T1、Ti_W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中至少之一。第
三金属层50可以用作扩散阻挡层。可以在第三金属层50上设置接合层60和导电支承构件70。
[0110]第三金属层50可以在设置接合层60的过程中防止包含在接合层60中的材料扩散到反射层17。第三金属层50可以防止包含在接合层60中的材料(例如Sn)对反射层17施加影响。
[0111]接合层60包括阻挡金属或接合金属。例如,接合层60可以包含T1、Au、Sn、N1、Cr、Ga、In、B1、Cu、Ag、Nb、Pd以及Ta中的至少一种。导电支承构件70可以在执行散热功能的同时支承根据实施方案的发光结构10。接合层60可以以籽层的形式来实现。
[0112]导电支承构件70可以包括注入有T1、Cr、N1、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W或杂质的半导体衬底(例如,Si衬底、Ge衬底、GaN衬底、GaAs衬底、ZnO衬底、SiC衬底以及SiGe衬底)中的至少一种衬底。
[0113]根据实施方案,第一电极81可以包括第二金属层37、第三金属层50、接合层60以及导电支承构件70中的至少之一。第一电极81可以包括第二金属层37、第三金属层50、接合层60以及导电支承构件70的全部。另外,第一电极81可以选择性地包括第二金属层37、第三金属层50、接合层60以及导电支承构件70中的两种或三种。
[0114]接下来,将衬底5从第一导电半导体层11移除。根据一个实施例,可以通过激光剥离(LLO)工艺移除衬底5。LLO工艺为通过向衬底5的底表面辐照激光来使衬底5从第一导电半导体层11剥离的工艺。
[0115]另外,如图6所示,通过隔离蚀刻工艺对发光结构10的侧面进行蚀刻以使沟道层30的一部分露出。可以通过干法蚀刻工艺例如电感耦合等离子体(ICP)工艺来进行隔离蚀刻工艺,但实施方案不限于此。
[0116]可以在第一导电半导体层11的顶表面上形成粗糙结构。因此,可以在发光结构10上设置光提取图案。可以在发光结构10上设置凹凸图案。例如,可以通过PEC(光电化学)蚀刻工艺来形成设置在发光结构10上的光提取图案。因此,根据实施方案,可以增加外部光提取效果。
[0117]接下来,如图6所示,可以形成第三绝缘层33、第一接触部91和第二接触部92。
[0118]首先,通孔20可以布置成穿过发光结构10。可以在通过20中形成第三绝缘层33。然后,可以在通孔20中形成第一接触部91。
[0119]第一接触部91可以布置为穿过发光结构10。第一接触部91可以布置为穿过第一导电半导体层11、有源层12以及第二导电半导体层13。
[0120]例如,如图2所示,在发光结构10中可以形成多个通孔20。第一接触部91可以沿发光结构10的通孔20布置。
[0121]第一接触部91的第一区域可以电连接到第一电极81并且第一接触部91的第二区域可以与第一导电半导体层11的顶表面接触。例如,第一接触部91的第一区域可以与第二金属层37接触。第一接触部91的第一区域可以与第二金属层37的顶表面接触。
[0122]尽管在图6所示的发光器件中示出了仅一个第一接触部91,但是根据实施方案的发光结构10可以形成为具有如图2所示的多个通孔20,并且可以在每个通孔20中形成第一接触部91。
[0123]同时,通孔20可以具有在5μπι至200μπι的范围内的宽度或直径D。如果通孔20具有小于5μπι的宽度或直径,则用于形成第一接触部91的过程可能是困难的。另外,如果通孔20具有大于200 μ m的宽度或直径,则发光结构10的发光面积减少使得光提取效率可能劣化。布置在通孔20中的第一接触部91也可以具有在5 μ m至200 μ m的范围内的宽度
或直径。
[0124]第一接触部91可以在第一导电半导体层11的顶表面上彼此间隔开。因为第一接触部91分布在发光结构10上,所以可以使施加到第一导电半导体层11的电流分散。因而,可以防止第一导电半导体层11的劣化并且可以提高有源层12中的电子和空穴的复合效率。
[0125]例如,布置在第一导电半导体层11的顶表面上的第一接触部91可以从通孔20的外周部分延伸5 μ m至50 μ m。
[0126]根据实施方案,第一接触部91可以包括欧姆层、中间层以及上部层。欧姆层可以包括选自Cr、V、W、Ti以及Zn的材料,并且可以产生欧姆接触。中间层可以通过使用选自NiXu以及Al的材料来实现。例如,上部层可以包含Au。第一接触部91可以包含选自Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au 以及 Mo 中的至少一种。
[0127]第三绝缘层33的第一区域可以布置在发光结构10中。第三绝缘层33的第二区域可以布置在发光结构10的顶表面上。第三绝缘层33的第二区域可以布置在第一导电半导体层11与第一接触部91之间。
[0128]第三绝缘层33的第一区域可以使第一接触部91绝缘于有源层12和第二导电半导体层13。第三绝缘层33的第一区域可以使第一接触部91与有源层12电绝缘。第三绝缘层33的第一区域可以使第一接触部91与第二导电半导体层13电绝缘。
[0129]第三绝缘层33包括例如氧化物或氮化物。例如,第三绝缘层33可以通过使用选自 Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al203、Ti02 以及 AlN 中的至少一种形成。
[0130]第三绝缘层33可以布置为穿过第二导电半导体层13、有源层12和第一导电半导体层11。第三绝缘层33可以布置在第一接触部91周围。
[0131]另外,根据实施方案的发光器件可以包括第二接触部92。第二接触部92可以与发光结构10间隔开。第二接触部92可以电连接到第二电极82。第二接触部92可以通过穿过沟道层30电连接到第二电极82。第二接触部92可以电连接到第一金属层35。第二接触部92可以与第一金属层35的顶表面接触。第二接触部92可以包含Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中至少一种。第二接触部92可以通过使用构成第一接触部91的材料形成。另外,第一接触部91和第二接触部92可以通过使用相互不同的材料形成。
[0132]根据实施方案的第二电极82可以布置在发光结构10之下。第二电极82可以电连接到第二导电半导体层13。第一电极81可以布置在发光结构10之下。第一电极81可以电连接到第一导电半导体层11。第一电极81的底表面可以定位成低于第二电极82的底表面。
[0133]可以在第一电极81与第二电极82之间布置第二绝缘层40。第二绝缘层40可以使第一电极81与第二电极82电绝缘。
[0134]根据实施方案,可以通过第一电极81和第二电极82将电力施加到发光结构10。例如,在根据实施方案的发光器件中,可以通过第一电极81的导电支承构件70和第二接触部92将电力施加到发光结构10。
[0135]因此,可以通过将导电支承构件70附接到接合焊盘的方案来将电力供应到第一导电半导体层11。根据实施方案,第二接触部92可以电连接到第二电极82。因此,通过引线接合方案将第二接触部92连接到电源焊盘,由此将电力供应到第二导电半导体层13。
[0136]根据实施方案的发光器件,可以通过导电支承构件70和第二接触部92将电力供应到发光结构10。因此,根据实施方案,可以防止电流集中,并且可以提高电可靠性。
[0137]在根据实施方案的发光器件中,通孔20从发光结构10的顶表面形成。因而,可以简化制造工艺并且可以提高产品产率。另外,根据实施方案的发光器件,可以减小布置在发光结构10的顶表面上的电极的面积使得可以从发光结构10的顶表面和侧面省略保护层。因此,可以提高从发光结构10发射到外界的光的提取效率。
[0138]图7为示出根据实施方案的发光器件的另一实施例的截面图。在关于图7中所示的发光器件的以下描述中,为了避免赘述,将不再描述那些与参照图1和图2所描述的相同的部件和结构。
[0139]根据实施方案的发光器件,可以在发光结构10之下设置欧姆反射层19。可以实现欧姆反射层19,使得欧姆反射层19可以既用作反射层17又用作欧姆接触层15。因此,欧姆反射层19可以与第二导电半导体层13欧姆接触并且反射从发光结构10入射到欧姆反射层19的光。
[0140]在该情况下,欧姆反射层19可以包括多个层。例如,欧姆反射层19可以具有Ag层和Ni层交替形成的结构,或者可以包括Ni/Ag/Ni层、Ti层或Pt层。
[0141]根据实施方案的发光器件,设置在欧姆反射层19之下的导电支承构件70可以电连接到设置在欧姆反射层19上的第一导电半导体层U。
[0142]根据实施方案的第二电极82可以包括欧姆反射层19和第一金属层35中的至少一个。在根据实施方案的发光器件中,设置在第二电极82之下的导电支承构件70可以通过第一接触部91电连接到设置在第二电极82上的第一导电半导体层11。
[0143]第一接触部91可以布置为穿过发光结构10。第一接触部91可以布置为穿过第一导电半导体层11、有源层12以及第二导电半导体层13。
[0144]例如,如图2所示,在发光结构10中可以形成多个通孔20。第一接触部91可以沿发光结构10的通孔20布置。
[0145]第一接触部91的第一区域可以电连接到第一电极81并且第一接触部91的第二区域可以与第一导电半导体层11的顶表面接触。例如,第一接触部91的第一区域可以与第二金属层37接触。第一接触部91的第一区域可以与第二金属层37的顶表面接触。
[0146]尽管在图7所示的发光器件中示出了仅一个第一接触部91,但是根据实施方案的发光结构10可以形成为具有如图2所示的多个通孔20,并且第一接触部91可以形成在每个通孔20中。
[0147]同时,通孔20可以具有在5μπι至200μπι的范围内的宽度或直径D。如果通孔20具有小于5μπι的宽度或直径,则用于形成第一接触部91的过程可能是困难的。另外,如果通孔20具有大于200 μ m的宽度或直径,则发光结构10的发光面积减少使得光提取效率可能劣化。布置在通孔20中的第一接触部91也可以具有在5 μ m至200 μ m的范围内的宽度
或直径。
[0148]第一接触部91可以在第一导电半导体层11的顶表面上彼此间隔开。因为第一接触部91分布在发光结构10上,所以可以使施加到第一导电半导体层11的电流分散。因而,可以防止第一导电半导体层11的劣化并且可以提高有源层12中的电子和空穴的复合效率。
[0149]例如,布置在第一导电半导体层11的顶表面上的第一接触部91可以从通孔20的外周部分延伸5 μ m至50 μ m。
[0150]根据实施方案,第一接触部91可以包括欧姆层、中间层以及上部层。欧姆层可以包括选自Cr、V、W、Ti以及Zn的材料,并且可以产生欧姆接触。中间层可以通过使用选自NiXu以及Al的材料来实现。例如,上部层可以包含Au。第一接触部91可以包含选自Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au 以及 Mo 中的至少一种。
[0151 ] 第三绝缘层33可以布置在第一接触部91周围。第三绝缘层33的第一区域可以布置在发光结构10中。第三绝缘层33的第二区域可以布置在发光结构10的顶表面上。第三绝缘层33的第二区域可以布置在第一导电半导体层11与第一接触部91之间。
[0152]第三绝缘层33的第一区域可以使第一接触部91绝缘于有源层12和第二导电半导体层13。第三绝缘层33的第一区域可以使第一接触部91与有源层12电绝缘。第三绝缘层33的第一区域可以使第一接触部91与第二导电半导体层13电绝缘。
[0153]第三绝缘层33包括例如氧化物或氮化物。例如,第三绝缘层33可以通过使用选自 Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al203、Ti02 以及 AlN 中的至少一种形成。
[0154]第三绝缘层33可以布置为穿过第二导电半导体层13、有源层12以及第一导电半导体层11。第三绝缘层33可以布置在第一接触部91周围。
[0155]另外,根据实施方案的发光器件可以包括第二接触部92。第二接触部92可以与发光结构10间隔开。第二接触部92可以电连接到第二电极82。第二接触部92可以通过穿过沟道层30电连接到第二电极82。第二接触部92可以电连接到第一金属层35。第二接触部92可以与第一金属层35的顶表面接触。第二接触部92可以包含Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一种。第二接触部92可以通过使用构成第一接触部91的材料形成。另外,第一接触部91和第二接触部92可以通过使用相互不同的材料形成。
[0156]根据实施方案的第二电极82可以布置在发光结构10之下。第二电极82可以电连接到第二导电半导体层13。第一电极81可以布置在发光结构10之下。第一电极81可以电连接到第一导电半导体层11。第一电极81的底表面可以定位成低于第二电极82的底表面。
[0157]第二绝缘层40可以布置在第一电极81与第二电极82之间。第二绝缘层40可以使第一电极81与第二电极82电绝缘。[0158]根据实施方案,可以通过第一电极81和第二电极82将电力施加到发光结构10。例如,在根据实施方案的发光器件中,可以通过第一电极81的导电支承构件70和第二接触部92将电力施加到发光结构10。
[0159]因此,可以通过将导电支承构件70附接到接合焊盘的方案来将电力供应到第一导电半导体层11。根据实施方案,第二接触部92可以电连接到第二电极82。因此,第二接触部92通过引线接合方案连接到电源焊盘,由此将电力供应到第二导电半导体层13。
[0160]根据实施方案的发光器件,可以通过导电支承构件70和第二接触部92将电力供应到发光结构10。因此,根据实施方案,可以防止电流集中,并且可以提高电可靠性。
[0161]在根据实施方案的发光器件中,通孔20从发光结构10的顶表面形成。因而,可以简化制造工艺并且可以提高产品产率。另外,根据实施方案的发光器件,可以减小布置在发光结构10的顶表面上的电极的面积,使得可以从发光结构10的顶表面和侧面省略保护层。因此,可以提高从发光结构10发射到外界的光的提取效率。
[0162]图8为示出根据实施方案的发光器件的截面图,并且图9为示出在图8中所示的发光器件的第一接触部的布置的图。可以简化或省略参照图1至图7已经描述的关于结构和元件的描述以避免赘述。
[0163]如图8和图9所示,根据实施方案的发光器件可以包括发光结构110、第一半导体层130、第一电极181、第二电极182以及第一接触部191。
[0164]发光结构110可以包括第一导电半导体层111、有源层112以及第二导电半导体层113。有源层112可以布置在第一导电半导体层111与第二导电半导体层113之间。有源层112可以设置在第一导电半导体层111之下,并且第二导电半导体层113可以设置在有源层112之下。
[0165]根据实施方案的发光器件可以包括反射层117。反射层117可以电连接到第二导电半导体层113。反射层117可以布置在发光结构110之下。反射层117可以布置在第二导电半导体层113之下。反射层117可以反射从发光结构110入射到其上的光来增加提取到外界的光的量。
[0166]根据实施方案的发光器件可以包括布置在反射层117与第二导电半导体层113之间的欧姆接触层115。欧姆接触层115可以与第二导电半导体层113接触。欧姆接触层115可以与发光结构110欧姆接触。欧姆接触层115可以包括与发光结构110欧姆接触的区域。欧姆接触层115可以包括与第二导电半导体层113欧姆接触的区域。
[0167]根据实施方案的发光器件可以包括设置在反射层117之下的第二金属层135。第二金属层135可以包含Au、Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一种。
[0168]根据实施方案,第二电极182可以包括反射层117、欧姆接触层115以及第二金属层135中的至少之一。例如,第二电极可以包括反射层117、第二金属层135以及欧姆接触层115的全部,或者可以包括选自反射层117、第二金属层135以及欧姆接触层115中的一种或两种。
[0169]根据实施方案的第二电极182可以布置在发光结构110之下。第二电极182可以电连接到第二导电半导体层113。
[0170]根据实施方案的发光器件可以包括设置在发光结构110的下部周围的沟道层130。沟道层130的一端可以设置在第二导电半导体层113之下。沟道层130的这一端可以与第二导电半导体层113的底表面接触。沟道层130的这一端可以布置在第二导电半导体层113与反射层117之间。沟道层130的这一端可以布置在第二导电半导体层113与欧姆接触层115之间。
[0171]根据实施方案的发光器件可以包括第一接触部191。第一接触部191可以布置为穿过发光结构110。第一接触部191可以布置为穿过第一导电半导体层111、有源层112以及第二导电半导体层113。
[0172]例如,如图9所示,可以在发光结构110中形成多个第一接触部191。第一接触部191可以沿发光结构110的通孔120布置。第一接触部191的第一区域可以电连接到第一电极181,并且第一接触部191的第二区域可以与第一导电半导体层111的顶表面接触。例如,第一接触部191的第一区域可以与第一金属层133接触。第一接触部191的第一区域可以与第一金属层133的顶表面接触。例如,当发光结构110生长为GaN半导体层时,第一接触部191可以与第一导电半导体层111的η面接触。
[0173]尽管在图8中所示的发光器件中示出了仅一个第一接触部191,但是根据实施方案的发光结构110可以形成有如图9中所示的多个第一接触部191,并且第一接触部191可以分别形成在通孔120中。
[0174]第一接触部191可以在第一导电半导体层111的顶表面上彼此间隔开。因为第一接触部191分布在发光结构110上,所以可以使施加到第一导电半导体层111的电流分散。因而,可以防止第一导电半导体层111的劣化并且可以提高有源层112中的电子和空穴的
复合效率。
[0175]根据实施方案的发光器件可以包括绝缘离子注入层131。绝缘离子注入层131可以布置在第一接触部191周围。绝缘离子注入层131可以布置在发光结构110中。绝缘离子注入层131可以布置在第二导电半导体层113与第一接触部191之间。绝缘离子注入层131可以与第一接触部191的侧面接触。
[0176]绝缘离子注入层131可以布置为穿过有源层112和第二导电半导体层113。绝缘离子注入层131可以使第一接触部191与第二导电半导体层113绝缘。绝缘离子注入层131可以布置在有源层112与第一接触部191之间。绝缘离子注入层131可以使第一接触部191与有源层112绝缘。绝缘离子注入层131的顶表面可以与第一导电半导体层111接触。
[0177]绝缘离子注入层131的底表面可以与第一接触部191的底表面布置在同一平面上。绝缘离子注入层131的底表面可以与第二导电半导体层113的底表面布置在同一平面上。第一接触部191的底表面可以与第二导电半导体层113的底表面布置在同一平面上。第一接触部191的底表面可以与沟道层130的顶表面布置在同一平面上。
[0178]绝缘离子注入层131可以通过借助离子注入工艺将绝缘离子注入到发光结构110中来形成。绝缘离子注入层131可以注入在第二导电半导体层113的一部分中。绝缘离子注入层131可以注入在有源层112的一部分中。绝缘离子注入层131可以注入在第一导电半导体层111的一部分中。例如,绝缘离子注入层131可以通过注入N离子、O离子以及Ar离子中的至少之一来形成。
[0179]第二导电半导体层113可以布置在绝缘离子注入层131周围。第二导电半导体层113可以布置在绝缘离子注入层131的侧面周围。第二导电半导体层113可以与绝缘离子注入层131的侧面接触。有源层112可以布置在绝缘离子注入层131周围。有源层112可以布置在绝缘离子层131的侧面周围。有源层112可以与绝缘离子注入层131的侧面接触。
[0180]绝缘离子注入层131可以通过注入工艺形成在构成发光结构110的半导体层的一部分中。因而,可以不需要用于在第一接触部191周围形成绝缘层的附加的图案化工艺。
[0181]另外,当在发光结构110中形成第一接触部191时,在对应于设置有第一接触部191的空间形成通孔120,使得通孔120的宽度能够最小化。因而,通孔120可以具有3μπι至5μπι范围内的宽度。形成在通孔120中的第一接触部191也可以具有3μπι至5μπι范围内的宽度。也就是说,布置在发光结构110中的第一接触部191可以具有3μπι至5μπι范围内的宽度。以这种方式,因为可以减小第一接触部191的宽度,所以有源层112的面积可以增大,使得发光面积可以增加。
[0182]同时,根据实施方案,第一接触部191的一部分可以包括导电离子注入层。例如,第一接触部191的布置在发光结构110中的区域可以形成为导电离子注入层。此时,导电离子注入层可以通过借助注入工艺将导电离子注入到发光结构110中来形成。例如,导电离子注入层可以通过注入Ti离子、Al离子以及Au离子中的至少之一来形成。
[0183]根据实施方案的发光器件可以包括设置在绝缘离子注入层131之下的第一金属层133。第一金属层133可以包含Au、Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一种。
[0184]第一金属层133的顶表面可以与绝缘离子注入层131的底表面接触。第一金属层133可以布置在第一接触部191之下。第一金属层133可以电连接到第一接触部191。第一金属层133的顶表面可以与第一接触部191的底表面接触。第一金属层133的顶表面可以与第一接触部191的底表面布置在同一平面上。
[0185]在第一金属层133与第二金属层135之间可以布置有绝缘层140。绝缘层140可以通过使用氧化物或氮化物形成。例如,绝缘层140可以包括选自Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al203、Ti02以及AlN的至少一种来形成。绝缘层140可以布置在第二金属层135之下。绝缘层140可以布置在绝缘离子注入层131之下。绝缘层140的顶表面可以与绝缘离子注入层131的底表面接触。绝缘层140可以布置在第二电极182之下。绝缘层140可以布置在沟道层130之下。
[0186]第三金属层150可以布置在第一金属层133之下。第三金属层150可以电连接到第一接触部191。第三金属层150的顶表面可以与第一金属层133的底表面接触。第三金属层150可以布置在绝缘层140之下。
[0187]第三金属层150可以包含Cu、N1、T1、Ti_W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一种。
第三金属层150可以用作扩散阻挡层。在第三金属层150之下可以设置有接合层160和导电支承构件170。
[0188]第三金属层150可以在设置接合层160的过程中防止包含在接合层160中的材料扩散到反射层117。第三金属层150可以防止包含在接合层160中的材料(例如Sn)对反射层117施加影响。
[0189]根据实施方案,第一电极181可以包括第一金属层133、第三金属层150、接合层160以及导电支承构件170中的至少之一。第一电极181可以包括第一金属层133、第三金属层150、接合层160以及导电支承构件170的全部。另外,第一电极181可以选择性地包括第一金属层133、第三金属层150、接合层160以及导电支承构件170中的两种或三种。
[0190]第一电极181可以布置在发光结构110之下。第一电极181可以电连接到第一导电半导体层111。第一电极181的底表面可以定位成低于第二电极182的底表面。第一电极181的顶表面可以与第二电极182的顶表面布置在同一平面上。绝缘层140可以布置在第一电极181与第二电极182之间。
[0191]另外,根据实施方案的发光器件可以包括第二接触部192。第二接触部192可以与发光结构110间隔开。第二接触部192可以电连接到第二电极182。第二接触部192可以穿过沟道层130电连接到第二电极182。第二接触部192可以电连接到第二金属层135。第二接触部192可以与第二金属层135的顶表面接触。第二接触部192可以包含Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一种。第二接触部192可以通过使用构成第一接触部191的材料形成。另外,第一接触部191和第二接触部192可以通过使用相互不同的材料形成。
[0192]可以在第一导电半导体层111的顶表面上形成粗糙结构,因此,可以增加在形成粗糙结构的区域处向上提取的光的量。
[0193]根据实施方案的发光器件可以包括布置在第二金属层135与第三金属层150之间的绝缘层140。绝缘层140可以使第二金属层135与第三金属层150绝缘。绝缘层140可以使第二金属层135与导电支承构件170绝缘。例如,绝缘层140包括氧化物或氮化物。例如,绝缘层 140 可以包含选自 Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al2O3JiO2 以及 AlN 的至少一种。绝缘层140可以布置在第一电极181与第二电极182之间。绝缘层140可以使第一电极181与第二电极182电绝缘。
[0194]根据实施方案,可以通过第一电极181和第二电极182将电力施加到发光结构110。例如,在根据实施方案的发光器件中,可以通过第一电极181的导电支承构件170和第二接触部192将电力施加到发光结构110。
[0195]因此,可以通过将导电支承构件170附接到接合焊盘的方案来将电力供应到第一导电半导体层111。根据实施方案,第二接触部192可以电连接到第二电极182。因此,第二接触部192通过引线接合方案连接到电源焊盘,由此将电力供应到第二导电半导体层113。
[0196]根据实施方案的发光器件,可以通过导电支承构件170和第二接触部192将电力供应到发光结构110。因此,根据实施方案,可以防止电流集中,并且可以提高电可靠性。
[0197]在根据实施方案的发光器件中,通孔120从发光结构110的顶表面形成。另外,绝缘离子注入层131可以通过注入工艺形成在第一接触部191周围,使得通孔120和第一接触部191的宽度可以减小。因而,可以简化制造工艺并且可以提高产品产率。另外,根据实施方案的发光器件,可以减小布置在发光结构110的顶表面上的电极的面积,使得可以从发光结构110的顶表面和侧面省略保护层。因此,可以提高从发光结构110发射到外界的光的提取效率。
[0198]在下文中,将参照图10至图13描述根据实施方案的制造发光器件的方法。可以简化或省略参照图1至图7已经描述的内容以避免赘述。
[0199]根据制造实施方案的发光器件的方法,如图10所示,可以在衬底105上形成第一导电半导体层111、有源层112以及第二导电半导体层113。可以将第一导电半导体层111、有源层112以及第二导电半导体层113定义为发光结构110。[0200]然后,如图10所示,绝缘离子注入层131可以布置在发光结构110中。绝缘离子注入层131可以形成在发光结构110的一部分中。绝缘离子注入层131可以形成在第一导电半导体层111的一部分中、可以形成在有源层112的一部分中以及可以形成在第二导电半导体层113的一部分中。
[0201]绝缘离子注入层131可以通过借助离子注入工艺将绝缘离子注入到发光结构110中来形成。绝缘离子注入层131可以注入在第二导电半导体层113的一部分中。绝缘离子注入层131可以注入在有源层112的一部分中。绝缘离子注入层131可以注入在第一导电半导体层111的一部分中。例如,绝缘离子注入层131可以通过注入N离子、O离子以及Ar离子中的至少之一来形成。
[0202]接下来,如图11所示,可以在发光结构110中形成欧姆接触层115和反射层117。
[0203]欧姆接触层115可以布置在反射层117与第二导电半导体层113之间。欧姆接触层115可以与第二导电半导体层113接触。
[0204]欧姆接触层115可以与发光结构110欧姆接触。反射层117可以电连接到第二导电半导体层113。欧姆接触层115可以包括与发光结构110欧姆接触的欧姆接触区域。
[0205]然后,如图12所不,可以在发光结构110上形成第一金属层133、第二金属层135、绝缘层140、第三金属层150、接合层160以及导电支承构件170。
[0206]第一金属层133可以包含选自Au、Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一种。第二金属层135可以包含选自Au、Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一种。第一金属层133和第二金属层135可以通过使用相同的材料或相互不同的材料形成。
[0207]根据实施方案,第二电极182可以包括反射层117、欧姆接触层115以及第二金属层135中的至少之一。例如,第二电极182可以包括反射层117、欧姆接触层115以及第二金属层135的全部或者可以选择性地包括反射层117、欧姆接触层115以及第二金属层135中的一种或两种。
[0208]可以在第二金属层135上形成绝缘层140。绝缘层140可以通过使用氧化物或氮化物形成。例如,绝缘层140可以包含选自Si02、Six0y、Si3N4'Si具、SiO具、Al2O3'TiO2以及AlN中的至少一种。
[0209]第三金属层150可以形成在绝缘层140上。第三金属层150可以包含Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一种。第三金属层150可以用作扩散阻挡层。可以在第三金属层150上设置接合层160和导电支承构件170。
[0210]第三金属层150可以在设置接合层160的过程中防止包含在接合层160中的材料扩散到反射层117。第三金属层150可以防止包含在接合层160中的材料(例如Sn)对反射层117施加影响。
[0211]根据实施方案,第一电极181可以包括第一金属层133、第三金属层150、接合层160以及导电支承构件170中的至少之一。第一电极181可以包括第一金属层133、第三金属层150、接合层160以及导电支承构件170的全部。另外,第一电极181可以选择性地包括第一金属层133、第三金属层150、接合层160以及导电支承构件170中的一种或两种。
[0212]接下来,将衬底105从第一导电半导体层111移除。根据一个实施例,可以通过激光剥离(LLO)工艺移除衬底105。LLO工艺为通过向衬底105的底表面辐照激光来使衬底105从第一导电半导体层111剥离的工艺。
[0213]另外,如图13所示,通过隔离蚀刻工艺对发光结构110的侧面进行蚀刻以使沟道层130的一部分露出。隔离蚀刻工艺可以通过干法蚀刻工艺例如电感耦合等离子体(ICP)工艺来执行,但实施方案不限于此。
[0214]可以在第一导电半导体层110的顶表面上形成粗糙结构。因此,可以在发光结构110上设置光提取图案。可以在发光结构110上设置凹凸图案。例如,可以通过PEC (光电化学)蚀刻工艺来形成设置在发光结构110上的光提取图案。因此,根据实施方案,可以增加外部光提取效果。
[0215]接下来,如图13所示,可以形成第一接触部191和第二接触部192。
[0216]通孔120可以形成在发光结构110中。第一接触部191可以形成在通孔120中。第一接触部191可以布置为穿过发光结构110。第一接触部191可以布置为穿过第一导电半导体层111、有源层112以及第二导电半导体层113。
[0217]例如,如图9所示,可以在发光结构110中形成多个第一接触部191。第一接触部191可以沿发光结构110的通孔120布置。第一接触部191的第一区域可以电连接到第一电极181,并且第一接触部191的第二区域可以与第一导电半导体层111的顶表面接触。例如,第一接触部191的第一区域可以与第一金属层133接触。第一接触部191的第一区域可以与第一金属层133的顶表面接触。
[0218]例如,如图9所示,可以在发光结构110中形成多个第一接触部191。第一接触部191可以沿发光结构110的通孔120布置。第一接触部191的第一区域可以电连接到第一电极181,并且第一接触部191的第二区域可以与第一导电半导体层111的顶表面接触。例如,第一接触部191的第一区域可以与第一金属层133接触。第一接触部191的第一区域可以与第一金属层133的顶表面接触。例如,当发光结构110生长为GaN半导体层时,第一接触部191可以与第一导电半导体层111的η面接触。
[0219]尽管在图13所示的发光器件中示出了仅一个第一接触部191,但是根据实施方案的发光结构110可以形成为具有如图9所示的多个第一接触部191,并且第一接触部191可以分别形成在通孔120中。
[0220]第一接触部191可以在第一导电半导体层111的顶表面上彼此间隔开。因为第一接触部191分布在发光结构110上,所以可以使施加到第一导电半导体层111的电流分散。因而,可以防止第一导电半导体层111的劣化并且可以提高有源层112中的电子和空穴的
复合效率。
[0221]绝缘离子注入层131可以布置在第一接触部191周围。绝缘离子注入层131可以布置在发光结构110中。绝缘离子注入层131可以布置在第二导电半导体层113与第一接触部191之间。绝缘离子注入层131可以与第一接触部191的侧面接触。
[0222]绝缘离子注入层131可以布置为穿过有源层112和第二导电半导体层113。绝缘离子注入层131可以使第一接触部191与第二导电半导体层113绝缘。绝缘离子注入层131可以布置在有源层112与第一接触部191之间。绝缘离子注入层131可以使第一接触部191与有源层112绝缘。绝缘离子注入层131的顶表面可以与第一导电半导体层111接触。
[0223]绝缘离子注入层131的底表面可以与第一接触部191的底表面布置在同一平面上。绝缘离子注入层131的底表面可以与第二导电半导体层113的底表面布置在同一平面上。第一接触部191的底表面可以与第二导电半导体层113的底表面布置在同一平面上。第一接触部191的底表面可以与沟道层130的顶表面布置在同一平面上。
[0224]第二导电半导体层113可以布置在绝缘离子注入层131周围。第二导电半导体层113可以布置在绝缘离子注入层131的侧面周围。第二导电半导体层113可以与绝缘离子注入层131的侧面接触。有源层112可以布置在绝缘离子注入层131周围。有源层112可以布置在绝缘离子层131的侧面周围。有源层112可以与绝缘离子注入层131的侧面接触。
[0225]绝缘离子注入层131可以通过注入工艺形成在构成发光结构110的半导体层的一部分中。因而,可以不需要用于在第一接触部191周围形成绝缘层的附加图案化工艺。
[0226]另外,当在发光结构110中形成第一接触部191时,在对应于设置有第一接触部191的空间形成通孔120,使得通孔120的宽度能够最小化。因而,通孔120可以具有3μπι至5μπι范围内的宽度。形成在通孔120中的第一接触部191也可以具有3μπι至5μπι范围内的宽度。也就是说,布置在发光结构110中的第一接触部191可以具有3μπι至5μπι范围内的宽度。以这种方式,因为可以减小第一接触部191的宽度,所以有源层112的面积可以增大,使得发光面积可以增加。
[0227]同时,根据实施方案,第一接触部191的一部分可以包括导电离子注入层。例如,第一接触部191的布置在发光结构110中的区域可以形成为导电离子注入层。此时,导电离子注入层可以通过借助注入工艺将导电离子注入到发光结构110中来形成。例如,导电离子注入层可以通过注入Ti离子、Al离子以及Au离子中的至少之一来形成。
[0228]另外,根据实施方案的发光器件可以包括第二接触部192。第二接触部192可以与发光结构110间隔开。第二接触部192可以电连接到第二电极182。第二接触部192可以通过穿过沟道层130电连接到第二电极182。第二接触部192可以电连接到第二金属层135。第二接触部192可以与第二金属层135的顶表面接触。
[0229]同时,以上制造工艺仅为说明性的目的并且可以根据设计进行各种修改。
[0230]根据实施方案,可以通过第一电极181和第二电极182将电力施加到发光结构110。例如,在根据实施方案的发光器件中,可以通过第一电极181的导电支承构件170和第二接触部192将电力施加到发光结构110。
[0231]因此,可以通过将导电支承构件170附接到接合焊盘的方案来将电力供应到第一导电半导体层111。根据实施方案,第二接触部192可以电连接到第二电极182。因此,第二接触部192通过引线接合方案连接到电源焊盘,由此将电力供应到第二导电半导体层113。
[0232]根据实施方案的发光器件,可以通过导电支承构件170和第二接触部192将电力供应到发光结构110。因此,根据实施方案,可以防止电流集中,并且可以提高电可靠性。
[0233]根据实施方案的发光器件,通孔120从发光结构110的顶表面形成。另外,绝缘离子注入层131可以通过注入工艺形成在第一接触部191周围,使得通孔120和第一接触部191的宽度可以减小。因而,可以简化制造工艺并且可以提高产品产率。另外,根据实施方案的发光器件,可以减小布置在发光结构110的顶表面上的电极的面积,使得可以从发光结构110的顶表面和侧面省略保护层。因此,可以提高从发光结构110发射到外界的光的提取效率。
[0234]图14为示出根据实施方案的发光器件的另一实施例的截面图。在关于图14中所示的发光器件的描述中,可以简化或省略参照图8和图9已经描述的内容以避免赘述。
[0235]根据实施方案的发光器件,可以在发光结构110之下设置欧姆反射层119。可以实现欧姆反射层119使得欧姆反射层119可以既用作反射层117又用作欧姆接触层115。因此,欧姆反射层119可以与第二导电半导体层113欧姆接触并且反射从发光结构110入射到欧姆反射层119的光。
[0236]在该情况下,欧姆反射层119可以包括多个层。例如,欧姆反射层119可以具有Ag层和Ni层交替形成的结构,或者可以包括Ni/Ag/Ni层、Ti层或Pt层。
[0237]根据实施方案的发光器件,设置在欧姆反射层119之下的导电支承构件170可以电连接到设置在欧姆反射层119上的第一导电半导体层111。
[0238]根据实施方案的第二电极182可以包括欧姆反射层119和第二金属层135中的至少一个。在根据实施方案的发光器件中,设置在第二电极182之下的导电支承构件170可以通过第一接触部191电连接到设置在第二电极182上的第一导电半导体层111。
[0239]根据实施方案的发光器件可以包括设置在发光结构110的下部周围的沟道层130。沟道层130的一端可以设置在第二导电半导体层113之下。沟道层130的这一端可以与第二导电半导体层113的底表面接触。沟道层130的这一端可以布置在第二导电半导体层113与欧姆反射层119之间。
[0240]根据实施方案的发光器件可以包括第一接触部191。第一接触部191可以布置为穿过发光结构110。第一接触部191可以布置为穿过第一导电半导体层111、有源层112以及第二导电半导体层113。
[0241]例如,如图9所示,可以在发光结构110中形成多个第一接触部191。第一接触部191可以沿发光结构110的通孔120布置。第一接触部191的第一区域可以电连接到第一电极181,并且第一接触部191的第二区域可以与第一导电半导体层111的顶表面接触。例如,第一接触部191的第一区域可以与第一金属层133接触。第一接触部191的第一区域可以与第一金属层133的顶表面接触。例如,当发光结构110生长为GaN半导体层时,第一接触部191可以与第一导电半导体层111的η面接触。
[0242]尽管在图14中所示的发光器件中示出了仅一个第一接触部191,但是根据实施方案的发光结构110可以形成有如图9中所示的多个第一接触部191,并且第一接触部191可以分别形成在通孔120中。
[0243]第一接触部191可以在第一导电半导体层111的顶表面上彼此间隔开。因为第一接触部191分布在发光结构110上,所以可以使施加到第一导电半导体层111的电流分散。因而,可以防止第一导电半导体层111的劣化并且可以提高有源层112中的电子和空穴的
复合效率。
[0244]根据实施方案的发光器件可以包括绝缘离子注入层131。绝缘离子注入层131可以布置在第一接触部191的周围。绝缘离子注入层131可以布置在发光结构110中。绝缘离子注入层131可以布置在第二导电半导体层113与第一接触部191之间。绝缘离子注入层131可以与第一接触部191的侧面接触。
[0245]绝缘离子注入层131可以布置为穿过有源层112和第二导电半导体层113。绝缘离子注入层131可以使第一接触部191与第二导电半导体层113绝缘。绝缘离子注入层131可以布置在有源层112与第一接触部191之间。绝缘离子注入层131可以使第一接触部191与有源层112绝缘。绝缘离子注入层131的顶表面可以与第一导电半导体层111接触。
[0246]绝缘离子注入层131的底表面可以与第一接触部191的底表面布置在同一平面上。绝缘离子注入层131的底表面可以与第二导电半导体层113的底表面布置在同一平面上。第一接触部191的底表面可以与第二导电半导体层113的底表面布置在同一平面上。第一接触部191的底表面可以与沟道层130的顶表面布置在同一平面上。
[0247]绝缘离子注入层131可以通过借助离子注入工艺将绝缘离子注入到发光结构110中来形成。绝缘离子注入层131可以注入在第二导电半导体层113的一部分中。绝缘离子注入层131可以注入在有源层112的一部分中。绝缘离子注入层131可以注入在第一导电半导体层111的一部分中。例如,绝缘离子注入层131可以通过注入N离子、O离子以及Ar离子中的至少之一来形成。
[0248]第二导电半导体层113可以布置在绝缘离子注入层131周围。第二导电半导体层113可以布置在绝缘离子注入层131的侧面周围。第二导电半导体层113可以与绝缘离子注入层131的侧面接触。有源层112可以布置在绝缘离子注入层131周围。有源层112可以布置在绝缘离子层131的侧面周围。有源层112可以与绝缘离子注入层131的侧面接触。
[0249]绝缘离子注入层131可以通过注入工艺形成在构成发光结构110的半导体层的一部分中。因而,可以不需要用于在第一接触部191周围形成绝缘层的附加图案化工艺。
[0250]另外,当在发光结构110中形成第一接触部191时,在对应于设置有第一接触部191的空间形成通孔120,使得通孔120的宽度能够最小化。因而,通孔120可以具有3μπι至5μπι范围内的宽度。形成在通孔120中的第一接触部191也可以具有3μπι至5μπι范围内的宽度。也就是说,布置在发光结构110中的第一接触部191可以具有3μπι至5μπι范围内的宽度。以这种方式,因为可以减小第一接触部191的宽度,所以有源层112的面积可以增大,使得发光面积可以增加。
[0251]同时,根据实施方案,第一接触部191的一部分可以包括导电离子注入层。例如,第一接触部191的布置在发光结构110中的区域可以形成为导电离子注入层。此时,导电离子注入层可以通过借助注入工艺将导电离子注入到发光结构110中来形成。例如,导电离子注入层可以通过注入Ti离子、Al离子以及Au离子中的至少之一来形成。
[0252]根据实施方案的发光器件可以包括设置在绝缘离子注入层131之下的第一金属层133。第一金属层133可以包含Au、Cu、N1、T1、T1-ff, Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中至少一种。第一金属层133的顶表面可以与绝缘离子注入层131的底表面接触。第一金属层133可以布置在第一接触部191之下。第一金属层133可以电连接到第一接触部191。第一金属层133的顶表面可以与第一接触部191的底表面接触。第一金属层133的顶表面可以与第一接触部191的底表面布置在同一平面上。
[0253]绝缘层140可以布置在第一金属层133与第二金属层135之间。绝缘层140可以布置在第二金属层135之下。绝缘层140可以布置在绝缘离子注入层131之下。绝缘层140的顶表面可以与绝缘离子注入层131的底表面接触。绝缘层140可以布置在第二电极182之下。绝缘层140可以布置在沟道层130之下。
[0254]第三金属层150可以布置在第一金属层133之下。第三金属层150可以电连接到第一接触部191。第三金属层150的顶表面可以与第一金属层133的底表面接触。第三金属层150可以布置在绝缘层140之下。
[0255]第三金属层150可以包含Cu、N1、T1、Ti_W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一种。
第三金属层150可以用作扩散阻挡层。可以在第三金属层150之下设置接合层160和导电支承构件170。
[0256]根据实施方案,第一电极181可以包括第一金属层133、第三金属层150、接合层160以及导电支承构件170中的至少之一。第一电极181可以包括第一金属层133、第三金属层150、接合层160以及导电支承构件170的全部。另外,第一电极181可以选择性地包括第一金属层133、第三金属层150、接合层160以及导电支承构件170中的两种或三种。
[0257]第一电极181可以布置在发光结构110之下。第一电极181可以电连接到第一导电半导体层111。第一电极181的底表面可以定位成低于第二电极182的底表面。第一电极181的顶表面可以与第二电极182的顶表面布置在同一平面上。绝缘层140可以布置在第一电极181与第二电极182之间。
[0258]另外,根据实施方案的发光器件可以包括第二接触部192。第二接触部192可以与发光结构110间隔开。第二接触部192可以电连接到第二电极182。第二接触部192可以通过穿过沟道层130电连接到第二电极182。第二接触部192可以电连接到第二金属层135。第二接触部192可以与第二金属层135的顶表面接触。
[0259]根据实施方案,可以通过第一电极181和第二电极182将电力施加到发光结构110。例如,在根据实施方案的发光器件中,可以通过第一电极181的导电支承构件170和第二接触部192将电力施加到发光结构110。
[0260]因此,可以通过将导电支承构件170附接到接合焊盘的方案来将电力供应到第一导电半导体层111。根据实施方案,第二接触部192可以电连接到第二电极182。因此,第二接触部192通过引线接合方案连接到电源焊盘,由此将电力供应到第二导电半导体层113。
[0261]根据实施方案的发光器件,可以通过导电支承构件170和第二接触部192将电力供应到发光结构110。因此,根据实施方案,可以防止电流集中,并且可以提高电可靠性。
[0262]在根据实施方案的发光器件中,通孔120从发光结构110的顶表面形成。另外,绝缘离子注入层131可以通过注入工艺形成在第一接触部191周围,使得通孔120和第一接触部191的宽度可以减小。因而,可以简化制造工艺并且可以提高产品产率。另外,根据实施方案的发光器件,可以减小布置在发光结构110的顶表面上的电极的面积,使得可以从发光结构110的顶表面和侧面省略保护层。因此,可以提高从发光结构110发射到外界的光的提取效率。
[0263]图15为示出根据又一实施方案的发光器件的截面图并且图16为示出图15中所示的发光器件的第一接触部的布置的图。可以简化或省略参照图1至图7已经描述的内容以避免赘述。
[0264]如图15和图16所不,根据实施方案的发光器件可以包括发光结构210、第一电极281、第二电极282以及第一接触部291。
[0265]发光结构210可以包括第一导电半导体层211、有源层212以及第二导电半导体层213。有源层212可以布置在第一导电半导体层211与第二导电半导体层213之间。有源层212可以设置在第一导电半导体层211之下,并且第二导电半导体层213可以设置在有源层212之下。[0266]根据实施方案的发光器件可以包括反射层217。反射层217可以电连接到第二导电半导体层213。反射层217可以布置在发光结构210之下。反射层217可以布置在第二导电半导体层213之下。反射层217可以反射从发光结构210入射到其上的光来增加提取到外界的光的量。
[0267]根据实施方案的发光器件可以包括布置在反射层217与第二导电半导体层213之间的欧姆接触层215。欧姆接触层215可以与第二导电半导体层213接触。欧姆接触层215可以与发光结构210欧姆接触。欧姆接触层215可以包括与发光结构210欧姆接触的区域。欧姆接触层215可以包括与第二导电半导体层213欧姆接触的区域。
[0268]根据实施方案的发光器件可以包括设置在反射层217之下的第一金属层235。第一金属层235可以包含Au、Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一种。
[0269]根据实施方案,第二电极282可以包括反射层217、欧姆接触层215以及第一金属层235中的至少之一。例如,第二电极282可以包括反射层217、第一金属层235以及欧姆接触层215的全部,或者可以包括选自反射层217、第一金属层235以及欧姆接触层215中的一种或两种。
[0270]根据实施方案的第二电极282可以布置在发光结构210之下。第二电极282可以电连接到第二导电半导体层213。
[0271]根据实施方案的发光器件可以包括设置在发光结构210的下部周围的沟道层
230。沟道层230的一端可以 设置在第二导电半导体层213之下。沟道层230的这一端可以与第二导电半导体层213的底表面接触。沟道层230的这一端可以布置在第二导电半导体层213与反射层217之间。沟道层230的这一端可以布置在第二导电半导体层213与欧姆接触层215之间。
[0272]在第一金属层235之下可以布置有第二绝缘层240。第二绝缘层240可以通过使用氧化物或氮化物形成。例如,第二绝缘层240可以包含选自Si02、Six0y、Si3N4、Si具、SiO具、Al2O3^TiO2以及AlN中的至少一种。
[0273]第二绝缘层240可以布置在发光结构210之下。第二绝缘层240可以布置在第二导电半导体层213之下。第二绝缘层240的第一区域可以与发光结构210的底表面接触。第二绝缘层240的第一区域可以与第二导电半导体层213的底表面接触。第二绝缘层240的第二区域可以布置在第一金属层235的侧面处。第二绝缘层240的一部分可以布置在第一金属层235周围。第二绝缘层240可以与反射层217和欧姆接触层215接触。
[0274]可以在第二绝缘层240之下形成第二金属层250。第二金属层250可以电连接到第一导电半导体层211。第二金属层250可以包含Cu、N1、T1、T1-ff, Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一种。第二金属层250可以用作扩散阻挡层。接合层260和导电支承构270可以设置在第二金属层250之下。
[0275]第二金属层250可以在设置接合层260的过程中防止包含在接合层260中的材料扩散到反射层217。第二金属层250可以防止包含在接合层260中的材料(例如Sn)对反射层217施加影响。
[0276]根据实施方案,第一电极281可以包括第二金属层250、接合层260以及导电支承构件270中的至少之一。第一电极281可以包括第二金属层250、接合层260以及导电支承构件270的全部。另外,第一电极281可以选择性地包括第二金属层250、接合层260以及导电支承构件270中的一种或两种。
[0277]第一电极281可以设置在发光结构210之下。第一电极281可以电连接到第一导电半导体层211。第一电极281的底表面可以定位成低于第二电极282的底表面。
[0278]第二电极282可以布置在发光结构210之下。第二电极282可以电连接到第二导电半导体层213。第二电极282的底表面可以定位成高于第一电极281的顶表面。
[0279]第二绝缘层240可以布置在第一电极281与第二电极282之间。第二绝缘层240可以布置在发光结构210与第一电极281之间。
[0280]根据实施方案的发光器件可以包括第一接触部291。第一接触部291可以布置为穿过发光结构210。第一接触部291可以布置为穿过第一导电半导体层211、有源层212以及第二导电半导体层213。
[0281]例如,如图9所示,可以在发光结构210中形成多个通孔220。第一接触部291可以沿发光结构210的通孔220布置。第一接触部291的第一区域可以电连接到第一电极281,并且第一接触部291的第二区域可以与第一导电半导体层211的顶表面接触。例如,第一接触部291的第一区域可以与第二金属层250的顶表面接触。当发光结构210生长为GaN半导体层时,第一接触部291可以与第一导电半导体层211的η面接触。
[0282]尽管在图15中所示的发光器件中示出了仅一个第一接触部291,但是根据实施方案的发光结构210可以形成有如图16中所示的多个通孔220,并且第一接触部291可以分别形成在通孔220中。
[0283]第一接触部291均可以包括与第一导电半导体层211的顶表面接触的第二区域,并且第二区域可以彼此间隔开。例如,第二区域可以以点的形式构造。点可以以圆形、矩形或三角形的形式布置。可以对点的布置进行各种变化。
[0284]同时,通孔220可以具有在5 μ m至200 μ m的范围内的宽度或直径。如果通孔220具有小于5μπι的宽度或直径,则形成第一接触部291的过程可能是困难的。另外,如果通孔220具有大于200 μ m的宽度或直径,则发光结构210的发光面积减少,使得光提取效率可能劣化。布置在通孔220中的第一接触部291也可以具有在5μπι至200μπι的范围内的
宽度或直径。
[0285]第一接触部291可以在第一导电半导体层211的顶表面上彼此间隔开。因为第一接触部291分布在发光结构210上,所以可以使施加到第一导电半导体层211的电流分散。因而,可以防止第一导电半导体层211的劣化并且可以提高有源层212中的电子和空穴的
复合效率。
[0286]例如,布置在第一导电半导体层211的顶表面上的第一接触部291可以从通孔220的外周部分延伸5 μ m至50 μ m。
[0287]第一绝缘层231可以布置在第一接触部291周围。第一绝缘层231的第一区域可以布置在发光结构210中。第一绝缘层231的第二区域可以布置在发光结构210的顶表面。第一绝缘层231的第二区域可以布置在第一导电半导体层211与第一接触部291之间。第一绝缘层231的第一区域可以使第一接触部291与有源层212绝缘。第一绝缘层231的第一区域可以使第一接触部291与第二导电半导体层213电绝缘。
[0288]第一绝缘层231可以布置为穿过第二导电半导体层213、有源层212和第一导电半导体层211。第一绝缘层231可以布置在第一接触部291周围。[0289]另外,根据实施方案的发光器件可以包括第二接触部292。第二接触部292可以与发光结构210间隔开。第二接触部292可以电连接到第二电极282。第二接触部292可以通过穿过沟道层230电连接到第二电极282。第二接触部292可以电连接到第一金属层235。第二接触部292可以与第一金属层235的顶表面接触。
[0290]根据实施方案的发光器件可以包括布置在第一金属层235与第二金属层250之间的第二绝缘层240。第二绝缘层240可以使第一金属层235与第二金属层250绝缘。第二绝缘层240可以使第一金属层235与导电支承构件270绝缘。例如,第二绝缘层240可以通过使用氧化物或氮化物来实现。例如,第二绝缘层240可以包括选自Si02、SixOy, Si3N4,SixNy、SiOxNy、Al2O3'TiO2 以及 AlN 中的至少一种。
[0291]第二绝缘层240的一部分可以包围第二金属层250的外周部分。第二绝缘层240的上部可以与第一绝缘层231的底表面接触。
[0292]第二绝缘层240可以布置在第一电极281与第二电极282之间。第二绝缘层240可以使第一电极281与第二电极282电绝缘。
[0293]根据实施方案,可以通过第一电极281和第二电极282将电力施加到发光结构210。例如,在根据实施方案的发光器件中,可以通过第一电极281的导电支承构件270和第二接触部292将电力施加到发光结构210。
[0294]因此,可以通过将导电支承构件270附接到接合焊盘的方案来将电力供应到第一导电半导体层211。根据实施方案,第二接触部292可以电连接到第二电极282。因此,通过引线接合方案将第二接触部292连接到电源焊盘,由此将电力供应到第二导电半导体层213。
[0295]根据实施方案的发光器件,可以通过导电支承构件270和第二接触部292将电力供应到发光结构210。因此,根据实施方案,可以防止电流集中,并且可以提高电可靠性。
[0296]在根据实施方案的发光器件中,通孔220从发光结构210的顶表面形成。因而,可以简化制造工艺并且可以提高产品产率。另外,根据实施方案的发光器件,可以减小布置在发光结构210的顶表面上的电极的面积,使得可以从发光结构210的顶表面或侧面省略保护层。因此,可以提高从发光结构210发射到外界的光的提取效率。
[0297]根据实施方案,第二绝缘层240与发光结构210的下部接触以使得可以减少分层现象。另外,第二绝缘层240可以用作电流阻挡层。此外,因为没有在发光结构210的下部露出第一接触部291的区域处形成附加的电流阻挡层,所以欧姆接触层215和反射层217可以均匀地形成在发光结构210的下部中心区域而不弯曲。因此,可以减小第二绝缘层240的厚度。例如,第二绝缘层240具有在300nm至3000nm的范围内的厚度,从而可以减小发光器件的总厚度。
[0298]在下文中,将参照图17至图20描述根据实施方案的制造发光器件的方法。可以简化或省略参照图1至图7已经描述的内容以避免赘述。
[0299]根据实施方案的制造发光器件的方法,如图17所示,可以在衬底205上形成第一导电半导体层211、有源层212以及第二导电半导体层213。可以将第一导电半导体层211、有源层212以及第二导电半导体层213定义为发光结构210。
[0300]接下来,如图18所示,可以在发光结构210上形成沟道层230。可以通过使用绝缘材料来形成沟道层230。[0301]然后,如图所示18,可以在发光结构210中形成欧姆接触层215和反射层217。
[0302]欧姆接触层215可以布置在反射层217与第二导电半导体层213之间。欧姆接触层215可以与第二导电半导体层213接触。
[0303]然后,如图19所示,可以在反射层217上形成第一金属层235、第二绝缘层240、第二金属层250、接合层260以及导电支承构件270。
[0304]第一金属层235可以包含选自Au、Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一种。根据实施方案,第二电极282可以包括反射层217、欧姆接触层215以及第一金属层235中的至少之一。例如,第二电极282可以包括反射层217、欧姆接触层215以及第一金属层235的全部,或者可以选择性地包括反射层217、欧姆接触层215以及第一金属层235中的一种或两种。
[0305]可以在第一金属层235上形成第二绝缘层240。可以通过使用氧化物或氮化物来形成第二绝缘层240。可以在第二绝缘层240上形成第二金属层250。第二金属层250可以用作扩散阻挡层。可以在第二金属层250上设置接合层260和导电支承构件270。
[0306]第二金属层250可以在设置接合层260的过程中防止包含在接合层260中的材料扩散到反射层217。第二金属层250可以防止包含在接合层260中的材料(例如Sn)对反射层217施加影响。
[0307]根据实施方案,第一电极281可以包括第二金属层250、接合层260以及导电支承构件270中的至少之一。第一电极281可以包括第二金属层250、接合层260以及导电支承构件270的全部。另外,第一电极281可以选择性地包括第二金属层250、接合层260以及导电支承构件270中的一种或两种。
[0308]接下来,将衬底205从第一导电半导体层211移除。根据一个实施例,可以通过激光剥离(LLO)工艺移除衬底205。
[0309]另外,如图20所示,通过隔离蚀刻工艺对发光结构210的侧面进行蚀刻以使沟道层230的一部分露出。
[0310]然后,如图20所示,可以形成第一绝缘层231、第一接触部291以及第二接触部292。
[0311]首先,通孔220可以布置为穿过发光结构210。可以在通孔220中形成第一绝缘层
231。然后,可以在通孔220中形成第一接触部291。
[0312]第一接触部291可以布置为穿过发光结构210。第一接触部291可以布置为穿过第一导电半导体层211、有源层212以及第二导电半导体层213。
[0313]例如,如图16所示,可以在发光结构210中形成多个通孔220。第一接触部291可以沿发光结构210的通孔220布置。
[0314]第一接触部291的第一区域可以电连接到第一电极281,并且第一接触部291的第二区域可以与第一导电半导体层211的顶表面接触。例如,第一接触部291的第一区域可以与第二电极281的顶表面接触。第一接触部291的第一区域可以与第二金属层250的顶表面接触。
[0315]尽管在图20中所示的发光器件中示出了仅一个第一接触部291,但是根据实施方案的发光结构210可以形成为具有如图16所示的多个通孔220,并且可以在每个通孔220中形成第一接触部291。[0316]同时,通孔220可以具有在5 μ m至200 μ m的范围内的宽度或直径。如果通孔220具有小于5μπι的宽度或直径,则形成第一接触部291的过程可能是困难的。另外,如果通孔220具有大于200 μ m的宽度或直径,则发光结构210的发光面积减少,使得光提取效率可能劣化。布置在通孔220中的第一接触部291也可以具有在5μπι至200μπι的范围内的
宽度或直径。
[0317]第一接触部291可以在第一导电半导体层211的顶表面上彼此间隔开。因为第一接触部291分布在发光结构210上,所以可以使施加到第一导电半导体层211的电流分散。因而,可以防止第一导电半导体层211的劣化并且可以提高有源层212中的电子和空穴的
复合效率。
[0318]例如,布置在第一导电半导体层211的顶表面上的第一接触部291可以从通孔220的外周部分延伸5 μ m至50 μ m。
[0319]第一绝缘层231的第一区域可以布置在发光结构210中。第一绝缘层231的第二区域可以布置在发光结构210的顶表面上。第一绝缘层231的第二区域可以布置在第一导电半导体层211与第一接触部291之间。
[0320]第一绝缘层231的第一区域可以使第一接触部291绝缘于有源层212和第二导电半导体层213。第一绝缘层231的第一区域可以使第一接触部291与有源层212电绝缘。第一绝缘层231的第一区域可以使第一接触部291与第二导电半导体层213电绝缘。
[0321]第一绝缘层231可以布置为穿过第二导电半导体层213、有源层212以及第一导电半导体层211。第一绝缘层231可以布置在第一接触部291周围。
[0322]另外,根据实施方案的发光器件可以包括第二接触部292。第二接触部292可以与发光结构210间隔开。第二接触部292可以电连接到第二电极282。第二接触部292可以通过穿过沟道层230电连接到第二电极282。第二接触部292可以电连接到第一金属层235。第二接触部292可以与第一金属层235的顶表面接触。
[0323]根据实施方案的第二电极282可以布置在发光结构210之下。第二电极282可以电连接到第二导电半导体层213。第一电极281可以布置在发光结构210之下。第一电极281可以电连接到第一导电半导体层211。第一电极281的底表面可以定位成低于第二电极282的底表面。
[0324]第二绝缘层240可以布置在发光结构210之下。第二绝缘层240可以布置在第二导电半导体层213之下。第二绝缘层240的第一区域可以与发光结构210的底表面接触。第二绝缘层240的第一区域可以与第二导电半导体层213的底表面接触。
[0325]第二电极282可以布置在发光结构210之下。第二电极282可以电连接到第二导电半导体层213。第二电极282的底表面可以定位成高于第一电极281的顶表面。
[0326]根据实施方案,可以通过第一电极281和第二电极282将电力施加到发光结构210。例如,在根据实施方案的发光器件中,可以通过第一电极281的导电支承构件270和第二接触部292将电力施加到发光结构210。
[0327]因此,可以通过将导电支承构件270附接到接合焊盘的方案来将电力供应到第一导电半导体层211。根据实施方案,第二接触部292可以电连接到第二电极282。因此,通过引线接合方案将第二接触部292连接到电源焊盘,由此将电力供应到第二导电半导体层213。[0328]根据实施方案的发光器件,可以通过导电支承构件270和第二接触部292将电力供应到发光结构210。因此,根据实施方案,可以防止电流集中,并且可以提高电可靠性。
[0329]在根据实施方案的发光器件中,通孔220从发光结构210的顶表面形成。因而,可以简化制造工艺并且可以提高产品产率。另外,根据实施方案的发光器件,可以减小布置在发光结构210的顶表面上的电极的面积,使得可以从发光结构210的顶表面和侧面省略保护层。因此,可以提高从发光结构210发射到外界的光的提取效率。
[0330]根据实施方案,第二绝缘层240与发光结构210的下部接触以使得可以减少分层现象。另外,第二绝缘层240可以用作电流阻挡层。此外,因为没有在发光结构210的下部露出第一接触部291的区域处形成附加的电流阻挡层,所以欧姆接触层215和反射层217可以均匀地形成在发光结构210的下部中心区域而不弯曲。因此,可以减小第二绝缘层240的厚度。例如,第二绝缘层240可具有在300nm至3000nm的范围内的厚度,从而可以减小发光器件的总厚度。
[0331]图21为示出根据实施方案的发光器件的另一实施例的截面图。在关于图21中所示的发光器件的以下描述中,可以简化或省略参照图15和图16已经描述的内容以避免赘述。
[0332]根据实施方案的发光器件,可以在发光结构210之下设置欧姆反射层219。可以实现欧姆反射层219,使得欧姆反射层219可以既用作反射层217又用作欧姆接触层215。因此,欧姆反射层219可以与第二导电半导体层213欧姆接触并且反射从发光结构210入射到欧姆反射层219的光。
[0333]在这种情况下,欧姆反射层219可以包括多个层。例如,欧姆反射层219可以具有Ag层和Ni层交替形成的结构,或者可以包括Ni/Ag/Ni层、Ti层或Pt层。
[0334]根据实施方案的发光器件,设置在欧姆反射层219之下的导电支承构件270可以电连接到设置在欧姆反射层219上的第一导电半导体层211。
[0335]第一接触部291可以布置为穿过发光结构210。第一接触部291可以布置为穿过第一导电半导体层211、有源层212以及第二导电半导体层213。
[0336]第一接触部291的第一区域可以电连接到第一电极281,并且第一接触部291的第二区域可以与第一导电半导体层211的顶表面接触。例如,第一接触部291的第一区域可以与第一电极281的顶表面接触。第一接触部291的第一区域可以与第二金属层250的顶表面接触。
[0337]尽管在图21所示的发光器件中示出了仅一个第一接触部291,但是根据实施方案的发光结构210可以形成为具有如图16所示的多个通孔,并且第一接触部291可以分别形成在通孔220中。
[0338]第一绝缘层231可以布置在第一接触部291周围。第一绝缘层231的第一区域可以布置在发光结构210中。第一绝缘层231的第二区域可以布置在发光结构210的顶表面上。第一绝缘层231的第二区域可以布置在第一导电半导体层211与第一接触部291之间。
[0339]第一绝缘层231的第一区域可以使第一接触部291绝缘于有源层212和第二导电半导体层213。第一绝缘层231的第一区域可以使第一接触部291与有源层212电绝缘。第一绝缘层231的第一区域可以使第一接触部291与第二导电半导体层213电绝缘。
[0340]第一绝缘层231可以布置为穿过第二导电半导体层213、有源层212以及第一导电半导体层211。第一绝缘层231可以布置在第一接触部291周围。
[0341]另外,根据实施方案的发光器件可以包括第二接触部292。第二接触部292可以与发光结构210间隔开。第二接触部292可以电连接到第二电极282。第二接触部292可以通过穿过沟道层230电连接到第二电极282。第二接触部292可以电连接到第一金属层235。第二接触部292可以与第一金属层235的顶表面接触。
[0342]根据实施方案的第二电极282可以布置在发光结构210之下。第二电极282可以电连接到第二导电半导体层213。第一电极281可以布置在发光结构210之下。第一电极281可以电连接到第一导电半导体层211。第一电极281的底表面可以定位成低于第二电极282的底表面。
[0343]第二绝缘层240可以布置在发光结构210之下。第二绝缘层240可以布置在第二导电半导体层213之下。第二绝缘层240的第一区域可以与发光结构210的底表面接触。第二绝缘层240的第一区域可以与第二导电半导体层213的底表面接触。
[0344]根据实施方案,可以通过第一电极281和第二电极282将电力施加到发光结构210。例如,在根据实施方案的发光器件中,可以通过第一电极281的导电支承构件270和第二接触部292将电力施加到发光结构210。
[0345]图22为示出根据实施方案的发光器件的截面图并且图23为示出图22中所示的发光器件的第一接触部的布置的图。可以简化或省略参照图1至图7已经描述的关于的结构和元件的描述以避免赘述。
[0346]如图22和图23所示,根据实施方案的发光器件可以包括发光结构310、第一半导体层330、第一电极381、第二电极382以及第一接触部391。
[0347]发光结构310可以包括第一导电半导体层311、有源层312以及第二导电半导体层313。有源层312可以布置在第一导电半导体层311与第二导电半导体层313之间。有源层312可以设置在第一导电半导体层311之下,并且第二导电半导体层313可以设置在有源层312之下。
[0348]根据实施方案的发光器件可以包括反射层317。反射层317可以电连接到第二导电半导体层313。反射层317可以布置在发光结构310之下。反射层317可以布置在第二导电半导体层313之下。反射层317可以反射从发光结构310入射到其上的光来增加提取到外界的光的量。
[0349]根据实施方案的发光器件可以包括布置在反射层317与第二导电半导体层313之间的欧姆接触层315。欧姆接触层315可以与第二导电半导体层313接触。欧姆接触层315可以与发光结构310欧姆接触。欧姆接触层315可以包括与发光结构310欧姆接触的区域。欧姆接触层315可以包括与第二导电半导体层313欧姆接触的区域。
[0350]根据实施方案的发光器件可以包括设置在反射层317之下的第一金属层335。第一金属层335可以包含Au、Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一种。
[0351]根据实施方案,第二电极382可以包括反射层317、欧姆接触层315以及第一金属层335中的至少之一。例如,第二电极382可以包括反射层317、第一金属层335以及欧姆接触层315的全部,或者可以包括选自反射层317、第一金属层335以及欧姆接触层315中的一种或两种。
[0352]根据实施方案的第二电极382可以布置在发光结构310之下。第二电极382可以电连接到第二导电半导体层313。
[0353]根据实施方案的发光器件可以包括设置在发光结构310下部周围的第一半导体层330。第一半导体层330的一端可以设置在第二导电半导体层313之下。第一半导体层330的这一端可以与第二导电半导体层313的底表面接触。第一半导体层330的这一端可以布置在第二导电半导体层313与反射层317之间。第一半导体层330的这一端可以布置在第二导电半导体层313与欧姆接触层315之间。
[0354]第一半导体层330可以在发光结构310的下部外周部分处露出。第一半导体层330可以从发光结构310的侧壁向外延伸。第一半导体层330的侧面可以与第二电极382的侧面接触。第一半导体层330的侧面可以与欧姆接触层315的侧面接触。第一半导体层330的一部分可以布置在第二电极382的顶表面上。第一半导体层330的一部分可以与第一金属层335的顶表面接触。
[0355]第一半导体层330可以被称作隔离层。第一半导体层330可以在稍后进行关于发光结构310的隔离工艺时用作蚀刻阻挡物。另外,第一半导体层330可以防止由隔离工艺引起的发光器件的电特性劣化。
[0356]第一半导体层330可以与发光结构310肖特基接触。第一半导体层330可以与第二导电半导体层313肖特基接触。另外,第一半导体层330可以具有绝缘特性。例如,第一半导体层330可以实施为具有KT1Qm或更小的电阻系数。例如,第一半导体层330可以通过使用如AlInGaN、AlN或ZnO的半导体材料来形成。另外,第一半导体层330可以制备成未掺杂的半导体层。
[0357]例如,第一半导体层330的厚度可以在IOnm至IOOOnm的范围内。由于包含有半导体材料的第一半导体层330被制备为沟道层,所以根据实施方案的沟道层可以具有超薄厚度。
[0358]根据该实施方案的发光器件可以包括第一接触部391。第一接触部391可以布置为穿过发光结构310。第一接触部391可以布置为穿过第一导电半导体层311、有源层312以及第二导电半导体层313。
[0359]例如,如图23所示,可以在发光结构310中形成多个第一接触部391。第一接触部391可以沿发光结构310的通孔320布置。第一接触部391的第一区域可以电连接到第一电极381并且第一接触部391的第二区域可以与第一导电半导体层311的顶表面接触。例如,第一接触部391的第一区域可以与第二金属层350接触。第一接触部391的第一区域可以与第二金属层350的顶表面接触。例如,当发光结构310生长为GaN半导体层时,第一接触部391可以与第一导电半导体层311的η面接触。
[0360]尽管在图22所示的发光器件中示出了仅一个第一接触部391,但是根据实施方案的发光结构310可以形成为具有如图23所示的多个第一接触部391,并且第一接触部391可以分别形成在通孔320中。
[0361]第一接触部391可以在第一导电半导体层311的顶表面上彼此间隔开。因为第一接触部391分布在发光结构310上,所以可以使施加到第一导电半导体层311的电流分散。因而,可以防止第一导电半导体层311的劣化并且可以提高有源层312中的电子和空穴的
复合效率。
[0362]根据实施方案的发光器件可以包括第一绝缘层333。例如,第一绝缘层333可以通过使用氧化物或氮化物来实现。例如,第一绝缘层333可以包括选自Si02、SixOy, Si3N4,Si具、SiO具、Al203、Ti02以及AlN中的至少一种。第一绝缘层333可以布置在发光结构310中。第一绝缘层333可以布置在第一接触部391周围。第一绝缘层333可以包围第一接触部391的侧面。第一绝缘层333可以布置为穿过第一导电半导体层311、有源层312以及第二导电半导体层313。
[0363]第二半导体层331可以布置在第一接触部391周围。第二半导体层331可以布置在第一接触部391的侧面周围。第二半导体层331可以布置在第一绝缘层333周围。第二半导体层331可以包围第一绝缘层333的侧面。第二半导体层331可以布置在发光结构310之下。第二半导体层331可以布置在第二导电半导体层313之下。第二半导体层331可以与第二导电半导体层313的底表面接触。
[0364]第二半导体层331可以与发光结构310肖特基接触。第二半导体层331可以与第二导电半导体层313肖特基接触。另外,第二半导体层331可以具有绝缘特性。例如,第二半导体层331可以实施为具有KT1 Ωπι或更小的电阻系数。例如,第二半导体层331可以通过使用如AlInGaN、AlN或ZnO的半导体材料来形成。另外,第二半导体层331可以制备成未掺杂的半导体层。例如,第二半导体层331的厚度可以在IOnm至IOOOnm的范围内。
[0365]第二绝缘层340可以布置在第一金属层335与第一接触部391之间。第二绝缘层340可以通过使用氧化物或氮化物来形成。例如,第二绝缘层340可以包括选自Si02、Six0y、Si3N4, SixNy、SiOxNy> A1203、TiO2以及AlN中的至少一种。第二绝缘层340可以布置在第一金属层335之下。第二绝缘层340可以布置在第一绝缘层333之下。第二绝缘层340可以布置在第一半导体层330之下。第二绝缘层340可以布置在第二半导体层331之下。
[0366]可以在第一接触部391之下形成第二金属层350。第二金属层350可以电连接到第一接触部391。第二金属层350的顶表面可以与第一接触部391的底表面接触。可以在第二绝缘层340之下形成第二金属层350。
[0367]第二金属层350可以包含Cu、N1、T1、Ti_W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一种。
第二金属层350可以用作扩散阻挡层。可以在第二金属层350之下设置接合层360和导电支承构件370。
[0368]根据实施方案,第一电极381可以包括第二金属层350、接合层360以及导电支承构件370中的至少之一。第一电极381可以包括第二金属层350、接合层360以及导电支承构件370的全部。另外,第一电极381可以选择性地包括第二金属层350、接合层360以及导电支承构件370中的一种或两种。
[0369]第一电极381可以布置在发光结构310之下。第一电极381可以电连接到第一导电半导体层311。第一电极381的底表面可以定位成低于第二电极382的底表面。第一电极381的顶表面可以定位成低于第二电极382的底表面。第一接触部391的底表面可以定位成低于第二电极382的底表面。
[0370]另外,根据实施方案的发光器件可以包括第二接触部392。第二接触部392可以与发光结构310间隔开。第二接触部392可以电连接到第二电极382。第二接触部392可以通过穿过第一半导体层330电连接到第二电极382。第二接触部392可以电连接到第一金属层335。第二接触部392可以与第一金属层335的顶表面接触。第二接触部392可以包含Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中至少一种。第二接触部392可以通过使用与第一接触部391的材料相同的材料形成。另外,第二接触部392可以通过使用与第一接触部391的材料不同的材料形成。
[0371]根据实施方案的发光器件可以包括布置在第一金属层335与第二金属层350之间的第二绝缘层340。第二绝缘层340可以使第一金属层335与第二金属层350绝缘。第二绝缘层340可以使第一金属层335与导电支承构件370绝缘。
[0372]第二绝缘层340的一部分可以包围第二金属层350的外周部分。第二绝缘层340的上部可以与第一绝缘层331的底表面接触。
[0373]可以在第一电极381与第二电极382之间布置第二绝缘层340。第二绝缘层340可以使第一电极381与第二电极382电绝缘。
[0374]根据实施方案,可以通过第一电极381和第二电极382将电力施加到发光结构310。例如,在根据实施方案的发光器件中,可以通过第一电极381的导电支承构件370和第二接触部392将电力施加到发光结构310。
[0375]因此,可以通过将导电支承构件370附接到接合焊盘的方案来将电力供应到第一导电半导体层311。根据实施方案,第二接触部392可以电连接到第二电极382。因此,通过引线接合方案将第二接触部392连接到电源焊盘,由此将电力供应到第二导电半导体层313。
[0376]根据实施方案的发光器件,可以通过导电支承构件370和第二接触部392将电力供应到发光结构310。因此,根据实施方案,可以防止电流集中,并且可以提高电可靠性。
[0377]在根据实施方案的发光器件中,通孔320从发光结构310的顶表面形成。因而,可以简化制造工艺并且可以提高产品产率。另外,根据实施方案的发光器件,可以减小布置在发光结构310的顶表面上的电极的面积,使得可以从发光结构310的顶表面和侧面省略保护层。因此,可以提高从发光结构310发射到外界的光的提取效率。
[0378]根据实施方案的发光器件包括布置在发光结构310下部的第一半导体层330。因此,用作沟道层或隔离层的发光结构310和第一半导体层330可以包括半导体层以使得可以减小界面裂纹。
[0379]在下文中,将参照图24至图27描述根据实施方案的制造发光器件的方法。可以简化或省略参照图1至图7已经描述的内容以避免赘述。
[0380]根据实施方案的制造发光器件的方法,如图24所示,可以在衬底305上形成第一导电半导体层311、有源层312以及第二导电半导体层313。可以将第一导电半导体层311、有源层312以及第二导电半导体层313定义为发光结构310。
[0381]接下了,如图25所示,可以在发光结构310上形成第一半导体层310和第二半导体层331。可以通过使用相同的材料或相互不同的材料形成第一半导体层310和第二半导体层331。
[0382]例如,第一半导体层310和第二半导体层331可以生长在发光结构310上。第一半导体层310和第二半导体层331可以与发光结构330肖特基接触。第一半导体层310和第二半导体层331可以与第二导电半导体层313肖特基接触。另外,第一半导体层310和第二半导体层331可以具有绝缘特性。例如,第一半导体层310和第二半导体层331可以实施为具有ΙΟ—1 Ωπι或更小的电阻系数。例如,第一半导体层310和第二半导体层331可以通过使用如AlInGaN、AlN或ZnO的半导体材料而形成。另外,第一半导体层310和第二半导体层331可以制备成未掺杂的半导体层。
[0383]例如,第一半导体层330的厚度可以在IOnm至IOOOnm的范围内。由于包含有半导体材料的第一半导体层330被制备为沟道层,所以根据实施方案的沟道层可以具有超薄厚度。
[0384]然后,如图25所示,可以在发光结构310中形成欧姆接触层315和反射层317。
[0385]欧姆接触层315可以布置在反射层317与第二导电半导体层313之间。欧姆接触层315可以与第二导电半导体层313接触。
[0386]然后,如图26中所不,可以在反射层317上形成第一金属层335、第二绝缘层340、第二金属层350、接合层360以及导电支承构件370。
[0387]第一金属层335可以包含选自Au、Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一种。根据实施方案,第二电极382可以包括反射层317、欧姆接触层315以及第一金属层335中的至少之一。例如,第二电极382可以包括反射层317、欧姆接触层315以及第一金属层335的全部,或者可以选择性地包括反射层317、欧姆接触层315以及第一金属层335中的一种或两种。
[0388]可以在第一金属层335上形成第二绝缘层340。可以通过使用氧化物或氮化物来形成第二绝缘层340。可以在第二绝缘层340上形成第二金属层350。第二金属层350可以用作扩散阻挡层。可以在第二金属层350上设置接合层360和导电支承构件370。
[0389]根据实施方案,第一电极381可以包括第二金属层350、接合层360以及导电支承构件370中的至少之一。第一电极381可以包括第二金属层350、接合层360以及导电支承构件370的全部。另外,第一电极381可以选择性地包括第二金属层350、接合层360以及导电支承构件370中的一种或两种。
[0390]接下来,将衬底305从第一导电半导体层311移除。根据一个实施例,可以通过激光剥离(LLO)工艺移除衬底305。
[0391]另外,如图20所示,通过隔离蚀刻工艺对发光结构310的侧面进行蚀刻以使第一半导体层330的一部分露出。
[0392]然后,如图27所示,可以形成第一绝缘层331、第一接触部391以及第二接触部392。
[0393]第一绝缘层333可以布置为穿过发光结构310。第一绝缘层333可以通过穿过发光结构310与第二绝缘层340接触。第一绝缘层333可以通过穿过发光结构310与第二半导体层331的侧面接触。
[0394]第一接触部391可以布置为穿过发光结构310。第一接触部391可以布置为穿过第一导电半导体层311、有源层312以及第二导电半导体层313。
[0395]例如,如图23所示,可以在发光结构310中形成多个第一接触部391。第一接触部391可以沿发光结构310的通孔320布置。第一接触部391的第一区域可以电连接到第一电极381并且第一接触部391的第二区域可以与第一导电半导体层311的顶表面接触。例如,第一接触部391的第一区域可以与第二金属层350接触。第一接触部391的第一区域可以与第二金属层250的顶表面接触。
[0396]第一接触部391可以在第一导电半导体层311的顶表面上彼此间隔开。因为第一接触部391分布在发光结构310上,所以可以使施加到第一导电半导体层311的电流分散。因而,可以防止第一导电半导体层311的劣化并且可以提高有源层312中的电子和空穴的
复合效率。
[0397]第一绝缘层333的一部分可以布置在发光结构310中。第一绝缘层333的一部分可以布置在第一接触部391周围。例如,第一绝缘层333可以包围第一接触部391。第一接触部391的一部分可以布置为穿过第一导电半导体层311、有源层312以及第二导电半导体层 313。
[0398]另外,根据实施方案的发光器件可以包括第二接触部392。第二接触部392可以与发光结构110间隔开。第二接触部392可以电连接到第二电极382。第二接触部392可以通过穿过第一半导体层330电连接到第二电极382。第二接触部392可以电连接到第一金属层335。第二接触部392可以与第一金属层335的顶表面接触。
[0399]同时,上述制造方法仅是说明性的目的,并且可以根据设计进行各种修改。
[0400]根据实施方案的第二电极382可以布置在发光结构310之下。第二电极382可以电连接到第二导电半导体层313。第一电极381可以布置在发光结构310之下。第一电极381可以电连接到第一导电半导体层311。第一电极381的底表面可以定位成低于第二电极382的底表面。
[0401]第二绝缘层340可以布置在第一电极381与第二电极382之间。第二绝缘层340可以使第一电极381与第二电极382电绝缘。
[0402]根据实施方案,可以通过第一电极381和第二电极382将电力施加到发光结构310。例如,在根据实施方案的发光器件中,可以通过第一电极381的导电支承构件370和第二接触部392将电力施加到发光结构310。
[0403]在根据实施方案的发光器件中,通孔320从发光结构310的顶表面形成。因而,可以简化制造工艺并且可以提高产品产率。另外,根据实施方案的发光器件,可以减小布置在发光结构310的顶表面上的电极的面积,使得可以从发光结构310的顶表面和侧面省略保护层。因此,可以提高从发光结构310发射到外界的光的提取效率。
[0404]根据实施方案的发光器件包括布置在发光结构310下部周围的第一半导体层330。因此,发光结构310和用作沟道层或隔离层的第一半导体层330可以包括半导体层以使得可以减少界面裂纹。
[0405]图28为示出根据实施方案的发光器件的另一实施例的截面图。在关于图28中所示的发光器件的以下描述中,将省略参照图22和图23已经描述的内容以避免赘述。
[0406]根据实施方案的发光器件可以包括设置在发光结构310下部周围的第一半导体层330。第一半导体层330的一端可以设置在第二导电半导体层313之下。第一半导体层330的这一端可以与第二导电半导体层313的底表面接触。第一半导体层330的这一端可以布置在第二导电半导体层313与反射层317之间。第一半导体层330的这一端可以布置在第二导电半导体层313与欧姆接触层315之间。
[0407]第一半导体层330可以在发光结构310的下部外周部分处露出。第一半导体层330可以从发光结构310的侧壁向外延伸。第一半导体层330的侧面可以与第二电极382的侧面接触。第一半导体层330的侧面可以与欧姆接触层315的侧面接触。第一半导体层330的一部分可以布置在第二电极382的顶表面上。第一半导体层330的一部分可以与第一金属层335的顶表面接触。[0408]第一半导体层330可以被称作隔离层。第一半导体层330可以在稍后进行关于发光结构310的隔离工艺时用作蚀刻阻挡物。另外,第一半导体层330可以防止由隔离工艺引起的发光器件的电特性劣化。
[0409]第一半导体层330可以与发光结构310肖特基接触。第一半导体层330可以与第二导电半导体层313肖特基接触。另外,第一半导体层330可以具有绝缘特性。例如,第一半导体层330可以实施为具有KT1Qm或更小的电阻系数。例如,第一半导体层330可以通过使用如AlInGaN、AlN或ZnO的半导体材料而形成。另外,第一半导体层330可以制备成未掺杂的半导体层。
[0410]例如,第一半导体层330的厚度可以在IOnm至IOOOnm的范围内。由于包含有半导体材料的第一半导体层330被制备为沟道层,所以根据实施方案的沟道层可以具有超薄厚度。
[0411]可以在第一半导体层330的底表面上形成粗糙结构。第一半导体层330的界面接合性能可由于粗糙结构而得到提高。例如,粗糙结构可以在第一半导体层330处形成为具有5nm至50nm范围内的阶梯差。
[0412]根据实施方案的发光器件可以包括第一接触部391。第一接触部391可以布置为穿过发光结构310。第一接触部391可以布置为穿过第一导电半导体层311、有源层312以及第二导电半导体层313。
[0413]例如,如图23所示,可以在发光结构310中形成多个第一接触部391。第一接触部391可以沿发光结构310的通孔320布置。第一接触部391的第一区域可以电连接到第一电极381,并且第一接触部391的第二区域可以与第一导电半导体层311的顶表面接触。例如,第一接触部391的第一区域可以与第二金属层350接触。第一接触部391的第一区域可以与第二金属层350的顶表面接触。例如,当发光结构310生长为GaN半导体层时,第一接触部391可以与第一导电半导体层311的η面接触。
[0414]尽管在图28中所示的发光器件中示出了仅一个第一接触部391,但是根据实施方案的发光结构310可以形成为具有如图23中所示的多个第一接触部391,并且第一接触部391可以分别形成在通孔320中。
[0415]第一接触部391可以在第一导电半导体层311的顶表面上彼此间隔开。因为第一接触部391分布在发光结构310上,所以可以使施加到第一导电半导体层311的电流分散。因而,可以防止第一导电半导体层311的劣化并且可以提高有源层312中的电子和空穴的
复合效率。
[0416]根据实施方案的发光器件可以包括第一绝缘层333。例如,第一绝缘层333可以通过使用氧化物或氮化物来实现。第一绝缘层333可以布置在发光结构310中。第一绝缘层333可以布置在第一接触部391周围。第一绝缘层333可以包围第一接触部391的侧面。第一绝缘层333可以布置为穿过第一导电半导体层311、有源层312以及第二导电半导体层313。
[0417]第二半导体层331可以布置在第一接触部391周围。第二半导体层331可以布置在第一接触部391的侧面周围。第二半导体层331可以布置在第一绝缘层333周围。第二半导体层331可以包围第一绝缘层333的侧面。第二半导体层331可以布置在发光结构310之下。第二半导体层331可以布置在第二导电半导体层313之下。第二半导体层331可以与第二导电半导体层313的底表面接触。
[0418]第二半导体层331可以与发光结构310肖特基接触。第二半导体层331可以与第二导电半导体层313肖特基接触。另外,第二半导体层331可以具有绝缘特性。例如,第二半导体层331可以实施为具有KT1 Ωπι或更小的电阻系数。例如,第二半导体层331可以通过使用如AlInGaN、AlN或ZnO的半导体材料而形成。另外,第二半导体层331可以制备成未掺杂的半导体层。例如,第二半导体层331的厚度可以在IOnm至IOOOnm的范围内。
[0419]可以在第二半导体层331的底表面上形成粗糙结构,第二半导体层331的界面接合性能可由于粗糙结构而得到提高。例如,粗糙结构可以在第二半导体层331处形成为具有5nm至50nm范围内的阶梯差。
[0420]第二绝缘层340可以布置在第一金属层335与第一接触部391之间。第二绝缘层340可以通过使用氧化物或氮化物来形成。第二绝缘层340可以布置在第一金属层335之下。第二绝缘层340可以布置在第一绝缘层333之下。第二绝缘层340可以布置在第一半导体层330之下。第二绝缘层340可以布置在第二半导体层331之下。
[0421]可以在第一接触部391之下形成第二金属层350。第二金属层350可以电连接到第一接触部391。第二金属层350的顶表面可以与第一接触部391的底表面接触。可以在第二绝缘层340之下形成第二金属层350。
[0422]第二金属层350可以包含Cu、N1、T1、Ti_W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少之一。
第二金属层350可以用作扩散阻挡层。可以在第二金属层350下设置接合层360和导电支承构件370。
[0423]根据实施方案,第一电极381可以包括第二金属层350、接合层360以及导电支承构件370中的至少之一。第一电极381可以包括第二金属层350、接合层360以及导电支承构件370的全部。另外,第一电极381可以选择性地包括第二金属层350、接合层360以及导电支承构件370中的一种或两种。
[0424]第一电极381可以布置在发光结构310之下。第一电极381可以电连接到第一导电半导体层311。第一电极381的底表面可以定位成低于第二电极382的底表面。第一电极381的顶表面可以定位成低于第二电极382的底表面。第一接触部391的底表面可以定位成低于第二电极382的底表面。
[0425]另外,根据实施方案的发光器件可以包括第二接触部392。第二接触部392可以与发光结构310间隔开。第二接触部392可以电连接到第二电极382。第二接触部392可以通过穿过第一半导体层330电连接到第二电极382。第二接触部392可以电连接到第一金属层335。第二接触部392可以与第一金属层335的顶表面接触。
[0426]第二绝缘层340的一部分可以包围第二金属层350的外周部分。第二绝缘层340的上部可以与第一绝缘层331的底表面接触。
[0427]可以在第一电极381与第二电极382之间布置第二绝缘层340。第二绝缘层340可以使第一电极381与第二电极382电绝缘。
[0428]根据实施方案,可以通过第一电极381和第二电极382将电力施加到发光结构310。例如,在根据实施方案的发光器件中,可以通过第一电极381的导电支承构件370和第二接触部392将电力施加到发光结构310。
[0429]在根据实施方案的发光器件中,通孔320从发光结构310的顶表面形成。因而,可以简化制造工艺并且提高产品产率。此外,根据实施方案的发光器件,可以减小布置在发光结构310的顶表面上的电极的面积,使得可以从发光结构310的顶表面或侧面省略保护层。因此,可以提高从发光结构310发射到外界的光的提取效率。
[0430]根据实施方案的发光器件包括布置在发光结构310的下部周围的第一半导体层330。因而,发光结构310和用作沟道层或隔离层的第一半导体层330可以包括半导体层,使得可以减少界面裂纹。
[0431]图29为示出根据实施方案的发光器件的另一实施例的截面图。在关于图29中所示的发光器件的下面描述中,为了避免赘述,将省略与参照图22和23所描述的部件和结构相同的部件和结构。
[0432]根据实施方案的发光器件,可以在发光结构310之下设置欧姆反射层319。可以实现欧姆反射层319,使得欧姆反射层319可以既用作反射层317又用作欧姆接触层315。因此,欧姆反射层319可以与第二导电半导体层313欧姆接触,并且可以反射从发光结构310入射到欧姆反射层319的光。
[0433]在此情况下,欧姆反射层319可以包括多个层。例如,欧姆反射层319可以具有Ag层和Ni层交替形成的结构,或者可以包括Ni/Ag/Ni层、Ti层或Pt层。
[0434]根据实施方案的发光器件,设置在欧姆反射层319之下的导电支承构件370可以电连接到设置在欧姆反射层319上的第一导电半导体层311。
[0435]根据实施方案的第二电极382可以包括欧姆反射层319和第一金属层335中的至少之一。在根据实施方案的发光器件中,设置在第二电极382之下的导电支承构件370可以通过第一接触部391电连接到设置在第二电极382上的第一导电半导体层311。
[0436]根据实施方案的发光器件可以包括设置在发光结构310的下部周围的第一半导体层330。第一半导体层330的一端可以设置在第二导电半导体层313之下。第一半导体层330的这一端可以与第二导电半导体层313的底表面接触。第一半导体层330的这一端可以布置在第二导电半导体层313与欧姆反射层319之间。
[0437]第一半导体层330可以在发光结构310的下部外周部分处露出。第一半导体层330可以从发光结构310的侧壁向外延伸。第一半导体层330的侧面可以与第二电极382的侧面接触。第一半导体层330的侧面可以与欧姆反射层319的侧面接触。第一半导体层330的一部分可以布置在第二电极382的顶表面上。第一半导体层330的一部分可以与第一金属层335的顶表面接触。
[0438]虽然在图22中所示的发光器件中示出了仅一个第一接触部391,但根据实施方案的发光结构310可以形成为具有如图23中所示的多个第一接触部391,并且第一接触部391可以分别形成在通孔320中。
[0439]第一接触部391可以在第一导电半导体层311的顶表面上彼此间隔开。由于第一接触部391分布在发光结构310上,所以可以使施加到第一导电半导体层311的电流分散。因而,可以防止第一导电半导体层311的劣化并且可以提高有源层312中的电子和空穴的
复合效率。
[0440]根据实施方案的发光器件可以包括第一绝缘层333。例如,第一绝缘层333可以通过使用氧化物或氮化物来实现。第一绝缘层333可以布置在发光结构310中。第一绝缘层333可以布置在第一接触部391周围。第一绝缘层333可以包围第一接触部391的侧面。第一绝缘层333可以布置为穿过第一导电半导体层311、有源层312和第二导电半导体层313。
[0441]第二半导体层331可以布置在第一接触部391周围。第二半导体层331可以布置在第一接触部391的侧面周围。第二半导体层331可以布置在第一绝缘层333周围。第二半导体层331可以包围第一绝缘层333的侧面。第二半导体层331可以布置在发光结构310之下。第二半导体层331可以布置在第二导电半导体层313之下。第二半导体层331可以与第二导电半导体层313的底表面接触。
[0442]可以在第一金属层335与第一接触部391之间布置第二绝缘层340。第二绝缘层340可以通过使用氧化物或氮化物来形成。例如,第二绝缘层340可以布置在第一金属层335之下。第二绝缘层340可以布置在第一绝缘层333之下。第二绝缘层340可以布置在第一半导体层330之下。第二绝缘层340可以布置在第二半导体层331之下。
[0443]可以在第一接触部391之下形成第二金属层350。第二金属层350可以电连接到第一接触部391。第二金属层350的顶表面可以与第一接触部391的底表面接触。第二金属层350可以形成在第二绝缘层340之下。
[0444]第二金属层350可以包括Cu、N1、T1、Ti_W、Cr、W、Pt、V、Fe和Mo中的至少一种。
第二金属层350可以用作扩散阻挡层。可以在第二金属层350之下设置接合层360和导电支承构件370。
[0445]根据实施方案,第一电极381可以包括第二金属层350、接合层360和导电支承构件370中的至少之一。第一电极381可以包括第二金属层350、接合层360和导电支承构件370中的全部。此外,第一电极381可以选择性地包括第二金属层350、接合层360和导电支承构件370中的一种或两种。
[0446]可以在发光结构310之下布置第一电极381。第一电极381可以电连接到第一导电半导体层311。第一电极381的底表面可以定位成低于第二电极382的底表面。第一电极381的顶表面可以定位成低于第二电极382的底表面。第一接触部391的底表面可以定位成低于第二电极382的底表面。
[0447]此外,根据实施方案的发光器件可以包括第二接触部392。第二接触部392可以与发光结构310间隔开。第二接触部392可以电连接到第二电极382。第二接触部392可以通过穿过第一半导体层330而电连接到第二电极382。第二接触部392可以电连接到第一金属层335。第二接触部392可以与第一金属层335的顶表面接触。
[0448]根据实施方案的发光器件可以包括布置在第一金属层335与第二金属层350之间的第二绝缘层340。第二绝缘层340可以使第一金属层335与第二金属层350绝缘。第二绝缘层340可以使第一金属层335与导电支承构件370绝缘。例如,第二绝缘层340可以通过使用氧化物或氮化物来形成。
[0449]第二绝缘层340的一部分可以包围第二金属层350的外周部分。第二绝缘层340的上部可以与第一绝缘层331的底表面接触。
[0450]第二绝缘层340可以布置在第一电极381和第二电极382之间。第二绝缘层340可以使第一电极381与第二电极382电绝缘。
[0451]根据实施方案,可以通过第一电极381和第二电极382将电力施加到发光结构310。例如,在根据实施方案的发光器件中,可以通过第一电极381的导电支承构件370和第二接触部392将电力施加到发光结构310。
[0452]在根据实施方案的发光器件中,通孔320从发光结构310的顶表面形成。因而,可以简化制造工艺并且可以提高产品产率。此外,根据实施方案的发光器件,可以减小布置在发光结构310的顶表面上的电极的面积,使得可以从发光结构310的顶表面和侧面省略保护层。因此,可以提高从发光结构310发射到外界的光的提取效率。
[0453]根据实施方案的发光器件包括布置在发光结构310的下部周围的第一半导体层330。因而,发光结构310和用作沟道层或隔离层的第一半导体层330可以包括半导体层,使得可以减少界面裂纹。
[0454]图30为示出根据又一实施方案的发光器件的截面图以及图31为示出图30中所示的发光器件的第一接触部的布置的图。可以简化或省略参照图1至图7已经描述的内容以避免赘述。
[0455]如图30和图31所不,根据实施方案的发光器件可以包括发光结构410、第一电极481、第二电极482、导电支承构件470、第一接触部491、第二接触部492和第三接触部493。
[0456]发光结构410可以包括第一导电半导体层411、有源层412和第二导电半导体层413。有源层412可以布置在第一导电半导体层411与第二导电半导体层413之间。有源层412可以设置在第一导电半导体层411之下,并且第二导电半导体层413可以设置在有源层412之下。
[0457]根据实施方案的发光器件可以包括反射层417。反射层417可以电连接到第二导电半导体层413。反射层417可以布置在发光结构410之下。反射层417可以布置在第二导电半导体层413之下。反射层417可以反射从发光结构410入射到反射层417的光,以增加提取到外界的光的量。
[0458]根据实施方案的发光器件可以包括布置在反射层417与第二导电半导体层413之间的欧姆接触层415。欧姆接触层415可以与第二导电半导体层413接触。欧姆接触层415可以与发光结构410欧姆接触。欧姆接触层415可以包括与发光结构410欧姆接触的区域。欧姆接触层415可以包括与第二导电半导体层413欧姆接触的区域。
[0459]根据实施方案的发光器件可以包括设置在反射层417之下的第一金属层435。第一金属层435可以包括Au、Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe和Mo中的至少一种。
[0460]根据实施方案,第二电极482可以包括反射层417、欧姆接触层415和第一金属层435中的至少之一。例如,第二电极482可以包括反射层417、第一金属层435和欧姆接触层415中的全部,或者可以包括选自反射层417、第一金属层435和欧姆接触层415中的一种或两种。
[0461]根据实施方案的第二电极482可以布置在发光结构410之下。第二电极482可以电连接到第二导电半导体层413。
[0462]根据实施方案的发光器件可以包括设置在发光结构410的下部周围的沟道层430。沟道层430的一部分可以设置在第二导电半导体层413之下。沟道层430的一部分可以与第二导电半导体层413的底表面接触。沟道层430的一部分可以布置在第二导电半导体层413与反射层417之间。沟道层430的一部分可以布置在第二导电半导体层413与欧姆接触层415之间。
[0463]根据实施方案的发光器件可以包括第一接触部491。第一接触部491可以布置为穿过发光结构410。第一接触部491可以布置为穿过第一导电半导体层411、有源层412和第二导电半导体层413。
[0464]例如,如图31所示,可以在发光结构410中形成多个接触部491。可以沿发光结构410的通孔420布置第一接触部491。第一接触部491的第一区域可以电连接到第一电极481并且第一接触部491的第二区域可以与第一导电半导体层411的顶表面接触。例如,第一接触部491的第一区域可以与第一电极481接触。第一接触491的第一区域可以与第一电极481的顶表面接触。当发光结构410生长为GaN半导体层时,第一接触部491可以与第一导电半导体层411的η面接触。
[0465]虽然在图30中所示的发光器件中示出仅一个第一接触部491,但根据实施方案的发光结构410可以形成为具有如图31中所示的多个第一接触部491并且第一接触部491可以分别形成在通孔420中。
[0466]根据实施方案的发光器件可以包括第一绝缘层433。例如,第一绝缘层433可以通过使用氧化物或氮化物来实现。第一绝缘层433可以布置在发光结构410中。第一绝缘层433可以布置在第一接触部491周围。第一绝缘层433可以包围第一接触部491的侧面。第一绝缘层433可以布置为穿过第一导电半导体层411、有源层412和第二导电半导体层413。第一绝缘层433的底表面可以定位成低于第二导电半导体层413的底表面。
[0467]可以在第一金属层435与第一接触部491之间布置第二绝缘层440。第二绝缘层440可以通过使用氧化物或氮化物来形成。第二绝缘层440可以布置在第一金属层435之下。第二绝缘层440可以布置在第一绝缘层433之下。第二绝缘层440可以布置在沟道层430之下。
[0468]第一电极481可以布置在第一接触部491之下。第一电极481可以包括Au、Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe和Mo中的至少一种。例如,第一接触部491的底表面可以与第一电极481的顶表面布置在同一平面上。第一接触部491的底表面可以定位成低于第二电极482的底表面。第一电极481的顶表面可以定位成低于第二电极482的底表面。第二绝缘层440可以布置在第一电极481与第二电极482之间。
[0469]根据实施方案的发光器件可以包括布置在第一电极481之下的第三绝缘层445。第三绝缘层445可以通过使用氧化物或氮化物来形成。
[0470]可以在第三绝缘层445之下布置第二金属层450。第二金属层450可以电连接到第二电极482。第二金属层450可以电连接到第一金属层435。第三接触部493可以布置在第二金属层450与第二电极482之间。第二金属层450可以通过第三接触部493电连接到第二电极482。第二金属层450可以通过第三接触部493电连接到第一金属层435。
[0471]第三接触部493的顶表面可以定位成高于第一电极481的顶表面。第三接触部493的底表面可以定位成低于第一电极481的底表面。
[0472]第二金属层450 可以包括 Au、Cu、N1、T1、Ti_W、Cr、W、Pt、V、Fe 和 Mo 中的至少一
种。第二金属层450可以用作扩散阻挡层。可以在第二金属层450之下设置接合层460和导电支承构件470。导电支承构件470可以布置在第一电极481之下。第三接触部493可以电连接到第二电极482和导电支承构件470。
[0473]第一电极481可以布置在发光结构410之下。第一电极481可以电连接到第一导电半导体层411。第一电极481的底表面可以定位成低于第二电极482的底表面。第一电极481的顶表面可以定位成低于第二电极482的底表面。第一接触部491的底表面可以定位成低于第二电极482的底表面。
[0474]此外,根据本实施方案的发光器件可以包括第二接触部492。第二接触部492可以与发光结构410间隔开。第二接触部492可以在发光结构410的下部外周部分处露出。第二接触部492可以电连接到第一电极481。第二接触部492可以通过穿过沟道层430电连接到第一电极481。例如,第二接触部492的底表面可以与第一电极481的顶表面接触。第二接触部492可以包括Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au和Mo中的至少一种。第二接触部
492可以通过使用与第一接触部491的材料相同的材料形成。此外,第二接触部492可以通过使用与第一接触部491的材料不同的材料形成。
[0475]根据实施方案的发光器件可以包括布置在第一金属层435与第二金属层450之间的第二绝缘层440。第二绝缘层440的一部分可以包围第一接触部491的外周部分。第二绝缘层440的上部可以与第一绝缘层431的底表面接触。第二绝缘层440的一部分可以包围第三接触部493的外周部分。第二绝缘层440可以布置在第一电极481与第二电极482之间。第二绝缘层440可以使第一电极481与第二电极482电绝缘。
[0476]根据实施方案,可以通过第一电极481和第二电极482将电力施加到发光结构410。例如,在根据实施方案的发光器件中,可以通过电连接到第一电极481的第二接触部492和电连接到第二电极482的导电支承构件470将电力施加到发光结构410。
[0477]在根据本实施方案的发光器件中,通孔420从发光结构410的顶表面形成。因而,可以简化制造工艺并且可以提高产品产率。另外,根据实施方案的发光器件,可以减小布置在发光结构410的顶表面上的电极的面积,使得可以从发光结构410的顶表面或侧面省略保护层。因此,可以提高从发光结构410发射到外界的光的提取效率。
[0478]同时,根据实施方案,可以设置多个第二接触部492和第三接触部493。在此情况下,第二接触部492可以分别电连接到第一电极481。第二接触部492可以与第一电极481接触。此外,第三接触部493可以分别电连接到第二电极482。第三接触部493可以与第二电极482接触。另外,第三接触部493可以与第二金属层450、接合层460和导电支承构件470中的至少之一接触。
[0479]在下文中,将参照图32至图35来描述根据实施方案的制造发光器件的方法。可以简化或省略参照图1至图7已经描述内容以避免赘述。
[0480]根据实施方案的制造发光器件的方法,如图32所示,可以在衬底405上形成第一导电半导体层411、有源层412和第二导电半导体层413。第一导电半导体层411、有源层412和第二导电半导体层413可以被定义为发光结构410。
[0481]接下来,如图33所示,可以在发光结构410上形成沟道层430。沟道层430可以通过使用绝缘材料来形成。例如,沟道层430可以通过使用氧化物或氮化物来形成。
[0482]然后,如图33所示,可以在发光结构410中形成欧姆接触层415和反射层417。
[0483]可以在反射层417与第二导电半导体层413之间布置欧姆接触层415。欧姆接触层415可以与第二导电半导体层413接触。
[0484]欧姆接触层415可以与发光结构410欧姆接触。反射层417可以电连接到第二导电半导体层413。欧姆接触层415可以包括与发光结构410欧姆接触的区域。
[0485]然后,如图34所示,可以在反射层417上形成第一金属层435、第二绝缘层440、第一电极481、第三绝缘层445、第三接触部493、第二金属层450、接合层460和导电支承构件470。
[0486]第一金属层435可以包括选自Au、Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe和Mo中的至少一种。根据实施方案,第二电极482可以包括反射层417、欧姆接触层415和第一金属层435中的至少之一。例如,第二电极482可以包括反射层417、欧姆接触层415和第一金属层435中的全部,或者可以选择性地包括反射层417、欧姆接触层415和第一金属层435中的一种或两种。
[0487]可以在第一金属层435上形成第二绝缘层440。第二绝缘层440可以通过使用氧化物或氮化物来形成。
[0488]可以在第二绝缘层440上形成第一电极481。第一电极481可以包括Au、Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe 和 Mo 中的至少一种。
[0489]可以在第一电极481上形成第三绝缘层445。第三绝缘层445可以通过使用氧化物或氮化物来形成。
[0490]然后,第三接触部493可以布置为穿过第二绝缘层440和第三绝缘层445。第三接触部493可以与第二电极482接触。第三接触部493可以与第一金属层435接触。
[0491]可以在第三接触部493和第三绝缘层445上形成第二金属层450。第二金属层450可以包括Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe和Mo中的至少一种。第二金属层450可以用作扩散阻挡层。可以在第二金属层450上设置接合层460和导电支承构件470。
[0492]接下来,从第一导电半导体层411移除衬底405。根据一个实施例,衬底405可以通过激光剥离(LLO)工艺来移除。
[0493]此外,如图35中所示,通过隔离蚀刻工艺对发光结构410的侧面进行蚀刻以露出沟道层430的一部分。
[0494]然后,如图35中所示,可以形成第一绝缘层433、第一接触部491和第二接触部492。
[0495]第一绝缘层433可以布置为穿过发光结构410。第一绝缘层433可以通过穿过发光结构410与第二绝缘层440接触。
[0496]第一接触部491可以布置为穿过发光结构410。第一接触部491可以布置为穿过第一导电半导体层411、有源层412和第二导电半导体层413。
[0497]例如,如图31中所示,可以在发光结构410中形成多个第一接触部491。可以沿发光结构410的通孔420布置第一接触部491。第一接触部491的第一区域可以电连接到第一电极481并且第一接触部491的第二区域可以与第一导电半导体层411的顶表面接触。例如,第一接触部491的第一区域可以与第一电极481接触。第一接触部491的第一区域可以与第一电极481的顶表面接触。
[0498]第一接触部491可以在第一导电半导体层411的顶表面上彼此间隔开。由于第一接触部491分布在发光结构410上,所以可以使施加到第一导电半导体层411的电流分散。因而,可以防止第一导电半导体层411劣化并且可以提高有源层412中的电子和空穴的复
合效率。
[0499]根据实施方案的发光器件可以包括第一绝缘层433。例如,第一绝缘层433可以通过使用氧化物或氮化物来实现。第一绝缘层433可以布置在发光结构410中。第一绝缘层433可以布置在第一接触部491周围。第一绝缘层433可以包围第一接触部491的侧面。第一绝缘层433可以布置为穿过第一导电半导体层411、有源层412和第二导电半导体层413。第一绝缘层433的底表面可以定位成低于第二导电半导体层413的底表面。
[0500]可以在第一接触部491之下布置第一电极481。例如,第一接触部491的底表面可以与第一电极481的顶表面布置在同一平面上。第一接触部491的底表面可以定位成低于第二电极482的底表面。第一电极481的顶表面可以定位成低于第二电极482的底表面。可以在第一电极481与第二电极482之间布置第二绝缘层440。
[0501]此外,根据实施方案的发光器件可以包括第二接触部492。第二接触部492可以与发光结构410间隔开。第二接触部492可以在发光结构410的下部外周部分处露出。第二接触部492可以电连接到第一电极481。第二接触部492可以通过穿过沟道层430电连接到第一电极481。例如,第二接触部492的底表面可以与第一电极481的顶表面接触。
[0502]同时,上述制造工艺仅是说明性目的,并且可以根据设计进行各种改变。
[0503]根据实施方案,可以通过第一电极481和第二电极482将电力施加到发光结构410。例如,在根据实施方案的发光器件中,可以通过电连接到第一电极481的第二接触部492和电连接到第二电极482的导电支承构件470将电力施加到发光结构410。
[0504]在根据实施方案发光器件中,通孔420从发光结构410的顶表面形成。因而,可以简化制造工艺并且提高产品产率。此外,根据实施方案的发光器件,可以减小布置在发光结构410的顶表面上的电极的面积,使得可以从发光结构410的顶表面或侧面省略保护层。因此,可以提高从发光结构410发射到外界的光的提取效率。
[0505]同时,根据本实施方案,可以设置多个第二接触部492和第三接触部493。在此情况下,第二接触部492可以分别电连接到第一电极481。第二接触部492可以与第一电极481接触。此外,第三接触部493可以分别电连接到第二电极482。第三接触部493可以与第二电极482接触。另外,第三接触部493可以与第二金属层450、接合层460和导电支承构件470中的至少之一接触。
[0506]图36为示出根据本实施方案的发光器件的另一实施例的截面图。在关于图36中所示的发光器件的描述中,为了避免赘述,可以省略已参照图30和图31描述的内容。
[0507]根据实施方案的发光器件,可以在发光结构410之下设置欧姆反射层419。可以实现欧姆反射层419,使得欧姆反射层419可以既用作反射层417又用作欧姆接触层415。因此,欧姆反射层419可以与第二导电半导体层413欧姆接触,并且反射从发光结构410入射到欧姆反射层419的光。
[0508]在此情况下,欧姆反射层419可以包括多个层。例如,欧姆反射层419可以具有Ag层和Ni层交替形成的结构,或者可以包括Ni/Ag/Ni层、Ti层或Pt层。
[0509]根据实施方案的第二电极482可以包括欧姆反射层419和第一金属层435中的至少之一。
[0510]根据实施方案的发光器件可以包括第一接触部491。第一接触部491可以布置为穿过发光结构410。第一接触部491可以布置为穿过第一导电半导体层411、有源层412和第二导电半导体层413。
[0511]例如,如图31所示,可以在发光结构410中形成多个接触部491。可以沿发光结构410的通孔420布置第一接触部491。第一接触部491的第一区域可以电连接到第一电极481,并且第一接触部491的第二区域可以与第一导电半导体层411的顶表面接触。例如,第一接触部491的第一区域可以与第一电极481接触。第一接触部491的第一区域可以与第一电极481的顶表面接触。当发光结构410生长为GaN半导体层时,第一接触部491可以与第一导电半导体层411的η面接触。
[0512]虽然在图36中所示出的发光器件中示出仅一个第一接触部491,但根据实施方案的发光结构410可以形成为具有如图31中所示的多个第一接触部491,并且第一接触部491可以分别形成在通孔420中。
[0513]第一接触部491可以在第一导电半导体层411的顶表面上彼此间隔开。由于第一接触部491分布在发光结构410上,所以可以使施加到第一导电半导体层411的电流分散。因而,可以防止第一导电半导体层411的劣化并且可以改善有源层412中的电子和空穴的
复合效率。
[0514]根据实施方案的发光器件可以包括第一绝缘层433。例如,第一绝缘层433可以通过使用氧化物或氮化物来实现。第一绝缘层433可以布置在发光结构410中。第一绝缘层433可以布置在第一接触部491周围。第一绝缘层433可以包围第一接触部491的侧面。第一绝缘层433可以布置为穿过第一导电半导体层411、有源层412和第二导电半导体层413。第一绝缘层433的底表面可以定位成低于第二导电半导体层413的底表面。
[0515]可以在第一金属层435与第一接触部491之间布置第二绝缘层440。第二绝缘层440可以通过使用氧化物或氮化物来形成。第二绝缘层440可以布置在第一金属层435之下。第二绝缘层440可以布置在第一绝缘层433之下。第二绝缘层440可以布置在沟道层430之下。
[0516]第一电极481可以布置在第一接触部491之下。第一电极481可以包括Au、Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe和Mo中的至少之一。例如,第一接触部491的底表面可以与第一电极481的顶表面布置在同一平面上。第一接触部491的底表面可以定位成低于第二电极482的底表面。第一电极481的顶表面可以定位成低于第二电极482的底表面。第二绝缘层440可以布置在第一电极481与第二电极482之间。
[0517]根据实施方案的发光器件可以包括布置在第一电极481之下的第三绝缘层445。第三绝缘层445可以通过使用氧化物或氮化物来形成。
[0518]可以在第三绝缘层445之下布置第二金属层450。第二金属层450可以电连接到第二电极482。第二金属层450可以电连接到第一金属层435。第三接触部493可以布置在第二金属层450与第二电极482之间。第二金属层450可以通过第三接触部493电连接到第二电极482。第二金属层450可以通过第三接触部493电连接到第一金属层435。
[0519]第三接触部493的顶表面可以定位成高于第一电极481的顶表面。第三接触部
493的底表面可以定位成低于第一电极481的底表面。
[0520]第二金属层450 可以包括 Au、Cu、N1、T1、Ti_W、Cr、W、Pt、V、Fe 和 Mo 中的至少一
种。第二金属层450可以用作扩散阻挡层。可以在第二金属层450之下设置接合层460和导电支承构件470。导电支承构件470可以布置在第一电极481之下。第三接触部493可以电连接到第二电极482和导电支承构件470。
[0521]第一电极481可以布置在发光结构410之下。第一电极481可以电连接到第一导电半导体层411。第一电极481的底表面可以定位成低于第二电极482的底表面。第一电极481的顶表面可以定位成低于第二电极482的底表面。第一接触部491的底表面可以定位成低于第二电极482的底表面。
[0522]此外,根据本实施方案的发光器件可以包括第二接触部492。第二接触部492可以与发光结构410间隔开。第二接触部492可以在发光结构410的下部外周部分处露出。第二接触部492可以电连接到第一电极481。第二接触部492可以通过穿过沟道层430电连接到第一电极481。例如,第二接触部492的底表面可以与第一电极481的顶表面接触。
[0523]根据实施方案的发光器件可以包括布置在第一金属层435与第二金属层450之间的第二绝缘层440。第二绝缘层440的一部分可以包围第一接触部491的外周部分。第二绝缘层440的上部可以与第一绝缘层431的底表面接触。第二绝缘层440的一部分可以包围第三接触部493的外周部分。第二绝缘层440可以布置在第一电极481与第二电极482之间。第二绝缘层440可以使第一电极481与第二电极482电绝缘。
[0524]根据实施方案,可以通过第一电极481和第二电极482将电力施加到发光结构410。例如,在根据实施方案的发光器件中,可以通过电连接到第一电极481的第二接触部492和电连接到第二电极482的导电支承构件470将电力施加到发光结构410。
[0525]在根据本实施方案的发光器件中,通孔420从发光结构410的顶表面形成。因而,可以简化制造工艺并且可以提高产品产率。另外,根据实施方案的发光器件,可以减小布置在发光结构410的顶表面上的电极的面积使得可以从发光结构410的顶表面或侧面省略保护层。因此,可以提高从发光结构410发射到外界的光的提取效率。
[0526]同时,根据实施方案,可以设置多个第二接触部492和第三接触部493。在此情况下,第二接触部492可以分别电连接到第一电极481。第二接触部492可以与第一电极481接触。此外,第三接触部493可以分别电连接到第二电极482。第三接触部493可以与第二电极482接触。另外,第三接触部493可以与第二金属层450、接合层460和导电支承构件470中的至少之一接触。
[0527]图37为示出应用根据实施方案的发光器件的发光器件封装件的截面图。
[0528]参照图37,根据实施方案的发光器件封装件可以包括本体520、形成在本体520上的第一引线电极531和第二引线电极532、设置在本体520上并且电连接到第一引线电极531和第二引线电极532的发光器件500以及包围发光器件500的模制构件540。
[0529]本体520可以包括硅、合成树脂或金属材料,并且可以在发光器件500附近形成倾斜表面。
[0530]第一引线电极531和第二引线电极532可以彼此电绝缘以将电力供应到发光器件500。第一引线电极531和第二引线电极532可以通过反射从发光器件500发射的光来提高发光效率。另外,第一引线电极531和第二引线电极532可以使由发光器件500生成的热散发到外界。
[0531]可以将发光器件500安装在本体520或者第一引线电极531或第二引线电极532上。
[0532]可以通过引线方案、倒装芯片方案以及芯片接合方案中的一种方案将发光器件500电连接到第一引线电极531和第二引线电极532。
[0533]模制构件540可以包围发光器件500以保护发光器件500。另外,模制构件540可以包括磷光体以改变从发光器件500发射的光的波长。[0534]可以将根据实施方案的多个发光器件或多个发光器件封装件在衬底上布置为阵列,并且可以将包括透镜、导光板、棱镜片或扩散片的光学构件设置在从发光器件封装件发射的光的光路上。发光器件封装件、衬底以及光学构件可以用作光单元。光单元以顶视型或侧视型实现并且不同地设置在便携终端和膝上型计算机的显示装置或者照明设备和指示设备中。此外,根据其他实施方案的照明设备可以包括根据实施方案的发光器件或发光器件封装件。例如,照明设备可以包括灯、信号灯、电子显示板以及车辆的前灯。
[0535]可以将根据实施方案的发光器件应用到光单元。光单元具有布置有多个发光器件的结构。光单元可以包括如图38和图39所示的显示装置以及如图40所示的照明设备。
[0536]参照图38,根据实施方案的显不装置1000包括导光板1041、用于将光供应到导光板1041的发光模块1031、设置在导光板1041下方的反射构件1022、设置在导光板1041上方的光学片1051、设置在光学片1051上方的显不面板1061以及用于容纳导光板1041、发光模块1031以及反射构件1022的底盖1011。然而,实施方案不限于以上结构。
[0537]底盖1011、反射构件1022、导光板1041以及光学片1051可以构成光单元1050。
[0538]导光板1041使光扩散以提供面光。导光板1041可以包括透明材料。例如,导光板1041可以包括丙烯酰基树脂,例如PMMA (聚甲基丙烯酸甲酯)树脂、PET (聚对苯二甲酸乙二醇酯)树脂、PC (聚碳酸酯)树脂、COC (环烯烃共聚物)树脂以及PEN (聚萘二甲酸乙二醇酯)树脂中之一。
[0539]发光模块1031将光供应到导光板1041的至少一侧。发光模块1031用作显不装置的光源。
[0540]至少一个发光模块1031设置为从导光板1041的一侧直接或间接地供应光。发光模块1031可以包括板1033以及以上所述的根据实施方案的发光器件100或发光器件封装件200。发光器件封装件200可以布置在板1033上,同时以预定间隔彼此间隔开。
[0541]板1033可以为包括电路图案的印刷电路板(PCB)。此外,板1033也可以包括金属芯PCB (MCPCB)或柔性PCB (FPCB)以及PCB,但实施方案不限于此。如果发光器件封装件200安装在底盖1011的侧面上或散热板上,则可以省略板1033。散热板可以与底盖1011的顶表面部分地接触。
[0542]此外,安装发光器件封装件200,使得发光器件封装件200的光出射面以预定距离与导光板1041间隔开,但实施方案不限于此。发光器件封装件200可以将光直接或间接地供应到作为导光板1041的一侧的光入射部,但实施方案不限于此。
[0543]反射构件1022可以布置在导光板1041下方。反射构件1022将穿过导光板1041的底表面向下传播的光向上反射,由此提高光单元1050的亮度。例如,反射构件1022可以包括PET树脂、PC树脂或PVC树脂,但实施方案不限于此。反射构件1022可以用作底盖1011的顶表面,但实施方案不限于此。
[0544]底盖1011可以在其中容纳有导光板1041、发光模块1031以及反射构件1022。为此,底盖1011具有容纳部分1012,该容纳部分1012为具有开口顶表面的盒形状,但实施方案不限于此。底盖1011可以与顶盖(未示出)耦接,但实施方案不限于此。
[0545]底盖1011可以通过使用金属材料或树脂材料经由冲压工艺或挤出工艺来制造。此外,底盖1011可以包括具有极好热导率的金属或非金属材料,但实施方案不限于此。
[0546]显示面板1061例如为包括彼此相对的第一透明衬底和第二透明衬底以及布置在第一衬底与第二衬底之间的液晶层的LCD面板。可以将极化板附接至显示面板1061的至少一个表面,但实施方案不限于此。显示面板1061通过利用穿过光学片1051的光来显示信息。显示装置1000可以应用于各种便携式终端,笔记本计算机和膝上型计算机的屏幕以及电视机。
[0547]光学片1051布置在显示面板1061与导光板1041之间并且包括至少一个透射片。例如,光学片1051包括扩散片、水平和竖直棱镜片以及亮度增强片中至少之一。扩散片使入射光扩散,水平和/或竖直棱镜片将入射光会聚到显示区域上,并且亮度增强片通过重新利用损失的光来提高亮度。此外,可以在显示面板1061上设置保护片,但实施方案不限于此。
[0548]导光板1041和光学片1051可以设置在发光模块1031的光路上作为光学构件,但实施方案不限于此。
[0549]图39为示出根据实施方案的显示装置的另一实施例的截面图。
[0550]参照图39,显示装置1100包括底盖1152、在其上布置有发光器件100的板1020、光学构件1154以及显示面板1155。板1020和发光器件封装件200可以构成发光模块1060。此外,底盖1152、至少一个发光模块1060以及光学构件1154可以构成光单兀。可以在底盖1152中设置容纳部分1153,但实施方案不限于此。
[0551]在此情况下,光学构件1154可以包括透镜、导光板、扩散片、水平和竖直棱镜片以及亮度增强片中的至少之一。导光板可以包括PC或PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)。可以省略导光板。扩散片使入射光扩散,水平和竖直棱镜片将入射光会聚到显示区域上,并且亮度增强片通过重新利用损失的光来提高亮度。
[0552]光学构件1154布置在发光模块1060上,以将从发光模块1060发射的光转换为面光。此外,光学构件1154可以使光扩散或者聚集。
[0553]图40为示出根据实施方案的照明设备的透视图。
[0554]参照图40,根据实施方案的照明设备可以包括盖2100、光源模块2200、散热器2400、电源部分2600、内壳2700以及插座2800。根据实施方案的照明设备还可以包括构件2300和保持器2500之一。光源模块2200可以包括根据实施方案的发光器件封装件。
[0555]例如,盖2100可以具有灯泡状或半球形形状、盖2100可以具有部分打开的中空结构。盖2100可以与光源模块2200光学耦接。例如,盖2100可以对从光源2200提供的光进行扩散、散射或激发。盖2100可以为光学构件。盖2100可以与散热器2400耦接。盖2100可以包括与散热器2400耦接的耦接部分。
[0556]盖2100可以包括涂覆有奶白色颜料的内表面。奶白色颜料可以包括扩散材料以使光扩散。盖2100的内表面的粗糙度可以大于盖2100的外表面的粗糙度。设置表面粗糙度以使来自光源模块2200的光充分散射和扩散。
[0557]盖2100可以包括玻璃、塑料、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)或聚碳酸酯(PC)。在以上材料中,聚碳酸酯(PC)具有优良的耐光性、耐热性以及强度。盖2100可以为透明的使得使用者可以从外界观察光源模块2200,或者可以为不透明的。盖2100可以通过吹塑方案来形成。
[0558]光源模块220可以布置在散热器2400的一个表面处。因此,来自光源模块220的热被传递到散热器2400。光源模块2200可以包括光源2210、连接板2230以及连接器2250。[0559]构件2300布置在散热器2400的顶表面上,并且包括插入有多个光源2210和连接器2250的引导槽2310。引导槽2310对应于连接器2250和光源2210的板。
[0560]构件2300的表面可以涂覆有光反射材料。例如,构件2300的表面可以涂覆有白色颜料。构件2300将由盖2100的内表面反射并且返回至光源模块2200的方向的光再次反射到盖2100的方向。因此,可以提高根据实施方案的照明设备的发光效率。
[0561]例如,构件2300可以包括绝缘材料。光源模块2200的连接板2230可以包括导电材料。因此,散热器2400可以电连接到连接板2230。构件2300可以通过绝缘材料形成,由此防止连接板2230与散热器2400电短路。散热器2400接收来自光源模块2200和电源部分2600的热并且将热散发。
[0562]保持器2500覆盖内壳2700的绝缘部分2710的容纳槽2719。因此,将容纳在内壳2700的绝缘部分2710中的电源部分2600密封。保持器2500包括引导凸起2510。引导凸起2510具有孔并且电源部分2600的凸起通过穿过该孔而延伸。
[0563]电源部分2600对从外界接收的电信号进行处理或转换并且将经处理或转换的电信号提供到光源模块2200。电源部分2600容纳在内壳2700的容纳槽2719中,并且通过保持器2500被密封在内壳2700的内部。电源部分2600可以包括凸起2610、引导部分2630、基底2650以及延伸部分2670。
[0564]引导部分2630具有从基底2650的一侧向外侧凸出的形状。可以将引导部分2630插入保持器2500中。在基底2650的一个表面上可以布置多个部件。例如,部件可以包括:将从外部电源提供的AC电力转化为DC电力的DC转化器;控制光源模块2200的驱动的驱动芯片;以及保护光源模块2200的静电放电(ESD)保护装置,但实施方案不限于此。
[0565]延伸部分2670具有从基底2650的相反侧向外突出的形状。延伸部分2670插入内壳2700的连接部分2750的内部,并且接收来自外界的电信号。例如,延伸部分2670的宽度可以小于或等于内壳2700的连接部分2750的宽度。将“+电线”和电线”的第一端子电连接到延伸部分2670并且可以将“+电线”和电线”的第二端子电连接到插座2800。
[0566]内壳2700可以包括在其中的模制部分和电源部分2600。模制部分通过使模制液体硬化来制备,并且可以通过模制部分将电源部分2600固定在内壳2700的内部。
[0567]在该说明书中对“一个实施方案”、“实施方案”、“示例性实施方案”等的任意参考是指结合实施方案所描述的具体的特征、结构或特性被包括在本发明中的至少一个实施方案中。在说明书中的各个位置中的这样的短语的出现未必都指代相同的实施方案。此外,当结合任意实施方案描述具体的特征、结构或特性时,认为结合实施方案中的其他实施方案实现这样的特征、结构或特性在本领域技术人员的视野范围之内。
[0568]尽管已经参照大量说明性实施方案对实施方案进行了描述,应该理解,本领域技术人员可以作出的大量其他修改和实施方案将落在本公开内容的原则的精神和范围内。更具体地,可以在公开内容、附图以及所附的权利要求的范围内对主题组合布置的部件部分和/或布置方面进行各种变型和修改。除部件部分和/或布置方面的变型和修改之外,替代性用途对本领域技术人员也是明显的。
【权利要求】
1.一种发光器件,包括: 发光结构,所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层之下的有源层、以及在所述有源层之下的第二导电半导体层; 第一电极,所述第一电极电连接到所述第一导电半导体层并且设置在所述发光结构之下; 第二电极,所述第二电极电连接到所述第二导电半导体层并且设置在所述发光结构之下; 第一接触部,所述第一接触部设置为穿过所述发光结构并且包括电连接到所述第一电极的第一区域和接触所述第一导电半导体层的顶表面的第二区域;以及 绝缘离子注入层,所述绝缘离子注入层设置在所述第一接触部周围以使所述第一接触部绝缘于所述第二导电半导体层。
2.根据权利要求1所述的发光器件,还包括与所述发光结构间隔开并且电连接到所述第二电极的第二接触部。
3.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一接触部设置为穿过所述第一导电半导体层、所述有源层以及所述第二导电半导体层。
4.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一接触部的底表面与所述第二导电半导体层的底表面布置在同一平面上。
5.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一电极的底表面设置成低于所述第二电极的底表面。
6.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第二电极包括欧姆接触层和反射层。
7.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述绝缘离子注入层设置在所述有源层与所述第一接触部之间。
8.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述绝缘离子注入层设置为穿过所述有源层和所述第二导电半导体层。
9.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一电极的顶表面与所述第二电极的顶表面布置在同一平面上。
10.根据权利要求1所述的发光器件,还包括在所述发光结构的下部外周部分处露出的沟道层。
11.根据权利要求10所述的发光器件,其中所述沟道层的一端接触所述第二导电半导体层的底表面。
12.根据权利要求10所述的发光器件,其中所述绝缘离子注入层的底表面与所述沟道层的顶表面布置在同一平面上。
13.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述绝缘离子注入层通过注入N离子、O离子和Ar离子中的至少之一形成。
14.根据权利要求1所述的发光器件,还包括在所述第一电极与所述第二电极之间的绝缘层。
15.根据权利要求14所述的发光器件,其中所述绝缘层的顶表面接触所述绝缘离子注入层的底表面。
16.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一接触部包括导电离子注入层。
17.根据权利要求16所述的发光器件,其中所述导电离子注入层通过注入Ti离子、Al离子和Au离子中的至少之一形成。
18.根据权利要求1所述的发光器件,其中设置在所述发光结构中的所述第一接触部的宽度在3 μ m至5 μ m的范围内。
19.根据权利要求1所述的发光器件,其中设置有多个所述第一接触部。
20.根据权利要求19所述的发光器件,其中所述第一接触部彼此间隔开并且设置在所述第一导电半导体层的顶表面上。
21.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一电极包括金属层和在所述金属层之下的导电支承构件。
22.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述绝缘离子注入层设置在所述第二导电半导体层与所述 第一接触部之间。
23.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述绝缘离子注入层接触所述第一接触部的侧面。
24.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述绝缘离子注入层的顶表面接触所述第一导电半导体层。
25.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述绝缘离子注入层的底表面与所述第一接触部的底表面布置在同一平面上。
26.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述绝缘离子注入层的底表面与所述第二导电半导体层的底表面布置在同一平面上。
27.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一接触部的底表面与所述第二导电半导体层的底表面布置在同一平面上。
28.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第二导电半导体层设置在所述绝缘离子注入层周围。
29.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述有源层设置在所述绝缘离子注入层周围。
【文档编号】H01L33/36GK103928585SQ201410016144
【公开日】2014年7月16日 申请日期:2014年1月14日 优先权日:2013年1月14日
【发明者】丁焕熙 申请人:Lg伊诺特有限公司
再多了解一些
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1