硅膜的形成方法及其形成装置制造方法
【专利摘要】本发明提供硅膜的形成方法及其形成装置。在表面形成有槽的被处理体的槽中形成硅膜的硅膜形成方法中，该硅膜的形成方法包括以下工序：第1成膜工序，以填充被处理体的槽的方式形成含有杂质的第1硅膜；掺杂工序，对在上述第1成膜工序中形成的上述第1硅膜的表面附近掺杂上述杂质；蚀刻工序，对在上述第1成膜工序中形成的上述第1硅膜进行蚀刻而扩展上述槽的开口部；以及第2成膜工序，以将第2硅膜填充于在上述蚀刻工序中被扩展了开口部的槽的方式形成第2硅膜。
【专利说明】硅膜的形成方法及其形成装置
[0001]本申请基于2013年I月17日提出的日本专利申请第2013-006042号的优先权的利益，将该日本申请的全部内容作为参照文献包含于本说明书中。
【技术领域】
[0002]本发明涉及硅膜的形成方法及其形成装置。
【背景技术】
[0003]在半导体装置等的制造工艺中存在如下工序:在硅基板上的层间绝缘膜中形成沟槽、孔形状的槽(例如，接触孔或者线间距(日文:^7 'y F 7~一 7))，并填充多晶硅月吴、非晶娃I吴以及惨杂有杂质的多晶娃I吴和非晶娃I吴等娃I吴(Si I吴)而形成电极。
[0004]在这样的工序中，例如，公开有如下的方法:在硅基板上的层间绝缘膜中形成接触孔，并用CVD (Chemical Vapor Deposition)法形成多晶娃膜,在对该多晶娃膜稍微进行蚀刻后，再次形成多晶硅膜。
【发明内容】
[0005]发明要解决的问题
[0006]此外，在形成硅膜后，若在进行蚀刻的工序中硅膜的表面粗糙度恶化，就不能良好地填充硅膜，从而有可能导致Si膜的作为电极的特性发生劣化。此外，尤其在使用掺杂有磷(P)的硅膜的情况下会显著地发生该问题。
[0007]本发明提供一种能良好地填充硅膜的硅膜形成方法及其形成装置。此外，本发明提供一种能够抑制蚀刻后的表面粗糙度的恶化的硅膜形成方法及其形成装置。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]为了达成上述目的，本发明的第I技术方案的硅膜的形成方法是一种在表面形成有槽的被处理体的上述槽中形成硅膜的硅膜形成方法，其特征在于，该硅膜的形成方法包括以下工序--第I成膜工序，以填充上述被处理体的上述槽的方式形成含有杂质的硅膜；掺杂工序，对在上述第I成膜工序中形成的硅膜的表面附近掺杂上述杂质；蚀刻工序，对在上述第I成膜工序中形成的硅膜进行蚀刻而扩展上述槽的开口部；以及第2成膜工序，以将硅膜填充于在上述蚀刻工序中被扩展了开口部的槽的方式形成硅膜。
[0010]本发明的第2技术方案的硅膜的形成装置是一种在表面形成有槽的被处理体的上述槽中形成硅膜的形成装置，其特征在于，该硅膜的形成装置包括:第I成膜部件，其用于以填充上述被处理体的上述槽的方式形成含有杂质的硅膜；掺杂部件，其用于对利用上述第I成膜部件形成的硅膜的表 面附近掺杂上述杂质；蚀刻部件，其用于对利用上述第I成膜部件形成的硅膜进行蚀刻而扩展上述槽的开口部；以及第2成膜部件，其用于以将硅膜填充于利用上述蚀刻部件扩展了开口部的槽的方式形成硅膜。
【专利附图】
【附图说明】[0011]附图作为本说明书的一部分而被记入而用于表示本发明的实施方式，与上述的一般性说明以及后述的实施方式的详细描述一起用于说明本发明的概念。
[0012]图1是表示本发明的实施方式的热处理装置的图。
[0013]图2是表示图1的控制部的结构的图。
[0014]图3是表示说明本实施方式的硅膜的形成方法的制程程序的图。
[0015]图4是用于说明本实施方式的硅膜的形成方法的图。
[0016]图5是用于说明在未进行掺杂工序的情况下的硅膜的形成方法的图。
[0017]图6是用于说明本实施方式的硅膜的形成方法的图。
【具体实施方式】
[0018]以下，对本发明的硅膜的形成方法及其形成装置进行说明。在下述的详细说明中，为了能够充分理解本发明而给出了较多的具体的详细描述。但是，显而易见的是，没有进行这样的详细的说明，本领域技术人员也能做出本发明。在其他的例子中，为了避免使各种各样的实施方式难以理解，未对公知的方法、顺序、系统、结构要素进行详细表示。
[0019]在本实施方式中，以使用图1所示的批量式的立式热处理装置作为硅膜的形成装置的情况为例进行说明。
[0020]如图1所示，热处理装置I具备长度方向朝向铅垂方向的大致圆筒状的反应管2。反应管2具有由内管3和有顶部的外管4构成的双重管结构,该外管4覆盖内管3、并且与内管3之间具有恒定的间隔。内管3和外管4由耐热和耐腐蚀性优异的材料、例如石英形成。
[0021]在外管4的下方配置有形成为筒状的由不锈钢(SUS)构成的歧管5。歧管5与外管4的下端气密地连接。另外，内管3被支承在支承环6上，该支承环6从歧管5的内壁突出并与歧管5形成为一体。
[0022]在歧管5的下方配置有盖体7，盖体7构成为利用舟皿升降机8能上下移动。而且，当盖体7利用舟皿升降机8上升时，歧管5的下方侧(炉口部分)被关闭，当盖体7利用舟皿升降机8下降时，歧管5的下方侧(炉口部分)被打开。
[0023]在盖体7上载置有由例如石英构成的晶圆舟皿9。晶圆舟皿9构成为能够在铅垂方向上隔开规定的间隔地收容多张被处理体、例如半导体晶圆10。
[0024]在反应管2的周围以围绕反应管2的方式设置有隔热体11。在隔热体11的内壁面上设置有例如由电阻发热体构成的升温用加热器12。利用该升温用加热器12将反应管2的内部加热至规定的温度，其结果，半导体晶圆10被加热到规定的温度。
[0025]在歧管5的侧面穿通(连接)有多个处理气体导入管13。此外，图1中仅描绘了一个处理气体导入管13。处理气体导入管13以面对内管3内的方式配设。例如，如图1所示，处理气体导入管13穿通在歧管5的侧面中的比支承环6靠下方(内管3的下方)的部分。
[0026]处理气体导入管13经由未图示的质量流量控制器等连接于未图示的处理气体供给源。因此，从处理气体供给源经由处理气体导入管13向反应管2内供给希望量的处理气体。作为从处理气体导入管13供给的处理气体，有用于形成掺杂有杂质的多晶硅膜和非晶硅膜等硅膜(Si膜)的成膜用气体。作为成膜用气体，使用例如单硅烷(SiH4)等作为硅源，为了掺杂杂质，使用例如磷化氢(PH3)。
[0027]另外，在本发明的硅膜的形成方法中，如后述那样，在第I成膜工序中向形成于半导体晶圆10的表面的槽中填充Si膜后，在蚀刻工序中使被填充的槽的开口部扩展，在第2成膜工序中向开口部被扩展后的槽中填充Si膜。因此，作为从处理气体导入管13供给的处理气体，有蚀刻气体。作为蚀刻气体，可使用例如氯气(Cl2)。
[0028]在歧管5的侧面设置有用于排出反应管2内的气体的排气口 14。排气口 14被设置于比支承环6靠上方的位置，与反应管2内的形成在内管3和外管4之间的空间连通。而且，内管3中产生的气体等通过内管3与外管4之间的空间从排气口 14排出。
[0029]在歧管5的侧面的排气口 14的下方穿通有吹扫气体供给管15。在吹扫气体供给管15上连接有未图示的吹扫气体供给源，从吹扫气体供给源经由吹扫气体供给管15向反应管2内供给希望量的吹扫气体、例如氮气。
[0030]排气管16气密地连接于排气口 14。在排气管16上自其上游侧起夹设有阀门17、真空泵18。阀门17用于调整排气管16的开度，而将反应管2内的压力控制为规定的压力。真空泵18经由排气管16排出反应管2内的气体并调整反应管2内的压力。
[0031]此外，在排气管16上夹设有未图示的捕集器、洗涤器等，构成为在对从反应管2排出的废气进行无害化之后排出到热处理装置I夕卜。
[0032]另外，热处理装置I具备用于控制装置各部的控制部100。图2中示出了控制部100的结构。如图2所示，在控制部100上连接有操作面板121、温度传感器(组)122、压力计(组)123、加热器控制器124,MFC (Mass Flow Controller)控制部125以及阀门控制部126 等。
[0033]操作面板121具备显示画面和操作按钮，用于将操作人员的操作指示传递到控制部100，并且将来自控制部100的各种信息显示到显示画面。
[0034]温度传感器(组)122用于测定反应管2内、处理气体导入管13内、排气管16内等各部的温度，并向控制部100通知其测定值。
[0035]压力计(组)123用于测定反应管2内、处理气体导入管13内、排气管16内等各部的压力，并向控制部100通知其测定值。
[0036]加热器控制器124用于分别独立地控制升温用加热器12，响应来自控制部100的指示，对升温用加热器12通电而加热升温用加热器12，并且，分别独立地测定升温用加热器12的功耗，并向控制部100通知。
[0037]MFC控制部125用于对设置于处理气体导入管13和吹扫气体供给管15的未图示的质量流量控制器(MFC)进行控制，将在两者中流动的气体的流量设为自控制部100指示的量，并且测定实际流动的气体的流量，而向控制部100通知。
[0038]阀门控制部126用于将配置于各管的阀门的开度控制为自控制部100指示的值。
[0039]控制部100由制程程序存储部11UR0M (只读存储器)112、RAM (随机存储器)113、I / O接口(Input / Output Port) 114、CPU (中央处理单元)115、以及将上述各部相互连接的总线116构成。
[0040]在制程程序存储部111中存储有安装用制程程序和多个工艺用制程程序。制造热处理装置I的最初只储存有安装用制程程序。安装用制程程序在生成与各热处理装置相应的热模型等时被执行。工艺用制程程序是针对用户实际进行的热处理(工艺)而准备的制程程序，例如，工艺用制程程序规定从向反应管2装载半导体晶圆10起、到对处理完毕的半导体晶圆10进行卸载为止的、各部的温度变化、反应管2内的压力变化、处理气体的供给开始及停止的时机和供给量等。
[0041]ROMl12 由 EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory:电可擦可编程只读存储器)、闪存器、硬盘等构成，是用于存储CPU115的动作程序等的存储介质。
[0042]RAMl 13作为CPUl 15的工作区域等发挥作用。
[0043]I / O接口 114与操作面板121、温度传感器122、压力计123、加热器控制器124、MFC控制部125以及阀门控制部126等连接起来，用于控制数据、信号的输入输出。
[0044]CPUl 15构成控制部100的中枢，执行被存储于R0M112的控制程序，根据来自操作面板121的指示，按照存储于制程程序存储部111的制程程序(工艺用制程程序)控制热处理装置I的动作。即，CPUl 15使温度传感器(组)122、压力计(组)123、及MFC控制部125等测定反应管2内、处理气体导入管13内、及排气管16内的各部的温度、压力、流量等，根据该测定数据，向加热器控制器124、MFC控制部125、阀门控制部126等输出控制信号等，按照工艺用制程程序控制上述各部。
[0045]总线116用于在各部之间传递信息。
[0046]接着，对使用如上那样构成的热处理装置I的硅膜的形成方法进行说明。此外，在以下的说明中，构成热处理装置I的各部的动作被控制部100 (CPU115)控制。另外，如上述那样，通过由控制 部100 (CPU115)控制加热器控制器124 (升温用加热器12)、MFC控制部125、阀门控制部126等，将各处理中的反应管2内的温度、压力及气体的流量等设定为例如遵循图3所示那样的制程程序的条件。
[0047]另外，在本实施方式中，如图4 (a)所示，在作为被处理体的半导体晶圆10上，在基板51上形成有绝缘膜52，在半导体晶圆10的表面形成有用于形成接触孔的槽53。本发明的硅膜的形成方法包括以下工序--第I成膜工序，以填充被形成于该半导体晶圆10的表面的槽53的方式形成掺杂有杂质的多晶硅膜和非晶硅膜等硅膜(Si膜);掺杂工序，使用含有杂质的气体来掺杂杂质；蚀刻工序，对所形成的Si膜进行蚀刻而扩展槽53的开口部；以及第2成膜工序，以将Si膜填充于在蚀刻工序中被扩展了开口部的槽53的方式进行成膜。以下，对包含上述工序的硅膜的形成方法进行说明。
[0048]首先，将反应管2 (内管3)内设定为规定的温度，例如，如图3 (a)所示，设定为300°C。另外，如图3 (c)所示，从吹扫气体供给管15向内管3 (反应管2)内供给规定量的氮气(N2)。接着，将图4 (a)所示的收容有半导体晶圆10的晶圆舟皿9载置于盖体7上。然后，利用舟皿升降机8使盖体7上升，将半导体晶圆10 (晶圆舟皿9)装载到反应管2内(装载工序)。
[0049]接着，如图3 (C)所示，从吹扫气体供给管15向内管3内供给规定量的氮气，并且将反应管2内设定为规定的温度，例如，如图3 (a)所示，设定为500°C。另外，排出反应管2内的气体，将反应管2设为规定的压力，例如，图3 (b)所示，设为266Pa (2Torr)。并且，在该温度和压力下使反应管2内稳定(稳定化工序)。
[0050]这里，反应管2内的温度优选为450°C~700°C，进一步优选为490°C~650°C。另外，反应管2内的压力优选为13.3Pa~666Pa (0.1Torr~5Torr)。通过将反应管2内的温度和压力设为上述范围，能够更均匀地形成Si膜。
[0051]当反应管2内在规定的压力和温度下稳定时，停止自吹扫气体供给管15供给氮气。然后，如图3 (d)和图3 (e)所示，自处理气体导入管13向反应管2内供给规定量的成膜用气体、例如单硅烷(SiH4)和磷化氢(PH3)(第I成膜工序)。如图4 (b)所示，通过该第I成膜工序，在半导体晶圆10的绝缘膜52上以及槽53内形成掺杂有杂质的Si膜54。此外，第I成膜工序后的Si膜54的杂质浓度例如是3X 102°cm_3左右。
[0052]此外，在第I成膜工序中，优选的是，以具有槽53的开口部的方式在半导体晶圆10的绝缘膜52上及槽53内形成Si膜54。即，在第I成膜工序中，优选的是，不是以完全填充槽53的方式形成Si膜54，而是以槽53具有开口部的方式形成Si膜54。由此，能够防止在第I成膜工序中在槽53内产生空洞。
[0053]当在半导体晶圆10上形成规定量的Si膜时，停止来自处理气体导入管13的成膜用气体的供给。接着，如图3 (c)所示，从吹扫气体供给管15向内管3内供给规定量的氮气，并且将反应管2内设定为规定的温度，例如，图3 (a)所示，设定为500°C。另外，排出反应管2内的气体，将反应管2设为规定的压力，例如，图3 (b)所示，设为666Pa (5Torr)。并且，在该温度和压力下使反应管2内稳定(吹扫.稳定化工序)。
[0054]接着，如图3 (e)所示 ，向反应管2内供给PH3并使反应管2内在规定的压力和温度下稳定，掺杂杂质(掺杂工序)。在这里，在使用非晶硅膜作为Si膜54的情况下，优选将反应管2内的温度设为非晶硅不会结晶化的温度、例如500°C。此外，优选将压力设为例如13.3Pa~53kPa (0.1Torr~400Torr)。使用作为含有该杂质的气体的PH3，通过进行气相掺杂(日文 '为H I八^ K — 7°:gas phase doping),向Si膜54的表面附近的在蚀刻工序中被蚀刻除去的区域追加掺杂作为杂质的磷(P)。该掺杂工序后的Si膜54的表面附近的杂质浓度例如是3X IO21CnT3程度。
[0055]在本实施方式中，通过像这样在蚀刻工序前设置掺杂工序，能够抑制蚀刻工序后的Si膜的表面粗糙度的恶化。
[0056]例如，若只关注第I成膜工序后的Si膜54的表面附近，则如图5 (a)示意性地所示，Si膜54的表面存在局部性的杂质浓度的偏差。可以想到:掺杂有杂质的Si膜与未掺杂杂质的Si膜相比，蚀刻速率高出数倍，因此，若在杂质浓度存在偏差的状态下进行蚀刻工序，则如图5 (b)所示，会产生蚀刻进展得较快的部分和进展得较慢的部分，容易在Si膜54的表面产生凹凸，表面粗糙度恶化。
[0057]另一方面，若像本实施方式这样设置掺杂工序，并向图6 (a)的状态下的Si膜54的表面附近追加掺杂杂质P，则如图6 (b)所示，能够抑制Si膜54的表面附近的杂质浓度的偏差。由此，如图6 (C)所示，能够缩小由蚀刻速率的差导致的蚀刻进度情况的差异，能够抑制在Si膜54的表面产生凹凸，能够抑制表面粗糙度的恶化。
[0058]当在Si膜54中掺杂了规定量的杂质P后，停止来自处理气体导入管13的包含杂质的气体的供给。接着，如图3 (c)所示，从吹扫气体供给管15向内管3内供给规定量的氮气，并且将反应管2内设定为规定的温度，例如，如图3 (a)所示，设定为275°C。此外，排出反应管2内的气体，将反应管2设为规定的压力，例如，如图3 (b)所示，设为400Pa(3Torr)0而且，在该温度和压力下使反应管2内稳定(吹扫?稳定化工序)。此外，为了可靠地排出反应管2内的气体，优选的是，多次重复进行反应管2内的气体的排出以及氮气的供给。
[0059]在这里，优选的是，反应管2内的温度是100°C?550°C。其原因在于:若低于IOO0C，则有可能不能对后述的蚀刻工序中的Si膜54进行蚀刻的问题，若高于550°C，则Si膜54的蚀刻控制有可能变困难。反应管2内的压力优选13.3Pa?13.3kPa (0.1Torr?lOOTorr)。
[0060]接着，在规定的压力和温度下使反应管2内稳定，如图3 (c)所示，从吹扫气体供给管15向内管3内供给规定量的氮气，并且，如图3 (f)所示，从处理气体导入管13向反应管2内供给规定量的蚀刻用气体、例如氯气(Cl2)(蚀刻工序)。如图4 (c)所示，利用该蚀刻工序将形成于半导体晶圆10的槽53的Si膜54蚀刻。如上述那样，因为向Si膜54的表面附近追加掺杂有杂质，所以能够不使表面粗糙度恶化地进行蚀刻。
[0061]此外，在该蚀刻工序中，以扩展槽53的开口部的方式蚀刻在第I成膜工序中形成的Si膜54。S卩，如图4 (c)所示，使形成于槽53的开口部的Si膜54的蚀刻量较大，并且使形成于槽53的底部附近的Si膜54的蚀刻量较小。由此，在后述的第2成膜工序中容易在槽53的底部附近形成Si膜54。
[0062]此外，优选的是，在蚀刻工序中，将反应管2内的温度设为250°C?300°C。此外，优选的是，将反应管2内的压力设为400Pa(3Torr)。通过将反应管2内的温度和压力设为上述范围，能够使蚀刻均匀性优良。
[0063]当蚀刻出所希望的Si膜54时，停止来自处理气体导入管13的蚀刻用气体的供给。接着，如图3 (c)所示，从吹扫气体供给管15向内管3内供给规定量的氮气，并且将反应管2内设定成规定的温度，例如，如图3 (a)所示，设定成500°C。此外，排出反应管2内的气体，将反应管2设为规定的压力，例如，如图3 (b)所示，设为266Pa (2Torr)。并且，在该温度和压力下使反应管2内稳定(吹扫.稳定化工序)。此外，为了可靠地排出反应管2内的气体，优选的是，多次反复反应管2内的气体的排出以及氮气的供给。
[0064]当反应管2内在规定的压力和温度下稳定时，停止来自吹扫气体供给管15的氮气的供给。然后，如图3 (d)和图3 (e)所示，从处理气体导入管13向反应管2内供给规定量的成膜用气体、例如SiH4和PH3 (第2成膜工序)。通过该第2成膜工序，如图4 (d)所示，在半导体晶圆10的槽53内形成Si膜56。
[0065]在这里，在本实施方式中，因为在蚀刻工序之前设置有掺杂工序，所以Si膜56的表面粗糙度处于良好的状态。因此，在向槽53填充Si膜56时，能够抑制在槽53内产生空洞。而且，利用蚀刻工序对在第I成膜工序中形成的Si膜54以扩展槽53的开口部的方式进行了蚀刻，因此，更容易在槽53的底部附近形成Si膜56，能够进一步抑制空洞的产生。
[0066]当形成了所希望的Si膜56时，停止来自处理气体导入管13的成膜用气体的供给。接着，如图3 (c)所示，从吹扫气体供给管15向内管3内供给规定量的氮气，并且将反应管2内设定成规定的温度，例如，如图3 (a)所示，设定为300°C。另外,排出反应管2内的气体，使反应管2返回到常压(吹扫工序)。此外，为了可靠地排出反应管2内的气体，优选多次重复进行反应管2内的气体的排出及氮气的供给。然后，利用舟皿升降机8使盖体7下降，从而从反应管2内卸载半导体晶圆10 (晶圆舟皿9)(卸载工序)。由此，结束Si膜的形成。
[0067]如以上说明的那样，根据本实施方式，通过在以形成于半导体晶圆10的表面的槽53具有开口部的方式形成Si膜54的第I成膜工序之后进行掺杂工序，能够抑制以扩展槽53的开口部的方式对Si膜54进行蚀刻的蚀刻工序之后的Si膜54表面粗糙度的恶化。由此，在以再度向槽53填充Si膜56的方式成膜的第2成膜工序中，能够抑制在槽53内产生空洞，能够良好地填充Si膜56。
[0068]此外，本发明不限于上述实施方式，能够行各种变形、应用。以下，对能够应用于本发明的其他实施方式进行说明。
[0069]在上述实施方式中，举出了使用PH3作为含有杂质的气体的情况为例，但不限于此，也可以使用三氯化硼(BCl3)等。此外，在上述实施方式中，以使用Cl2作为蚀刻气体的情况为例来说明了本发明，但只要是能够对在第I成膜工序中形成的Si膜进行蚀刻的气体即可，也可以使用氟气(F2)、三氟化氯(ClF3)等其他的卤素气体。此外，在上述实施方式中，以使用SiH3作为成膜用气体的硅源的情况为例来说明了本发明，但可以使用其他气体。
[0070]此外，在上述实施方式中，举出了只在Si膜的表面附近追加掺杂杂质的结构为例，但不限于此。只要能够至少对将要通过蚀刻而被除去的区域进行掺杂，则也可以在掺杂工序中对其他不会被蚀刻的区域也追加掺杂杂质。
[0071]在上述实施方式中，举出了主要具备第I成膜工序、蚀刻工序以及第2成膜工序的硅膜的形成方法为例来进行了说明，但并不限于此。例如，对掺杂有磷(P)等杂质的硅膜进行回蚀时，与上述实施方式一样，由于杂质浓度的偏差导致蚀刻进度产生差异，若不进行过刻蚀则有残留刻蚀残渣的可能性。在该情况下，在进行回蚀之前，或者回蚀过程中，通过像本实施方式这样利用含有杂质的气体进行掺杂，抑制杂质浓度的偏差而缩小蚀刻进度的差异，由此，即使不过度地进行蚀刻，也能不产生蚀刻残渣地进行回蚀。
[0072]此外，在上述实施方式中，以实施了第I成膜工序、蚀刻工序以及第2成膜工序的情况为例来说明了本发明，但是，例如也可以在第I成膜工序之后反复多次实施蚀刻工序以及第2成膜工序。
[0073]在上述实施方式中，以在第I成膜工序中以槽53具有开口部的方式在半导体晶圆10的绝缘膜52上以及槽53内形成Si膜54的情况为例来说明了本发明，但也可以在第I成膜工序中以槽53不具有开口部的方式形成Si膜54。在该情况下，通过在蚀刻工序中以槽53具有开口部的方式蚀刻Si膜54，能够得到与上述实施方式相同的效果。
[0074]上述实施方式中，以使用双重管结构的批量式立式热处理装置作为热处理装置的情况为例说明了本发明，但例如也能够将本发明应用单管结构的批量式热处理装置。
[0075]本发明的实施方式的控制部100依赖于专用的系统，也能够使用通常的计算机系统来实现。例如，通过从储存有用于执行上述处理的程序的存储介质(软盘、CD-ROM(Compact Disc Read Only Memory)等)将该程序安装到通用计算机中，从而能够构成用于执行上述处理的控制部100。
[0076]而且，用于供给上述程序的方法是任意的。除了能够如上所述借助规定的存储介质进行供给之外，例如，也可以借助通信线路、通信网络以及通信系统等进行供给。在该情况下，例如，也可以在通信网络的布告栏系统(BBS bulletin Board System)中公布该程序，并将该程序经由网络叠加于输送波来提供。然后，启动像这样提供的程序，通过在OS(Operating System)的控制下与其他应用程序同样地执行,从而能够执行上述处理。
[0077]采用本发明，能够良好地填充硅膜，并且抑制蚀刻后的表面粗糙度的恶化。[0078]本发明对硅膜的形成方法及其形成装置有用。
[0079]本次公开的实施方式应视为在所有方面是例示而不是限制性的。事实上，上述的实施方式能够以多种形式来实现。此外，在上述实施方式中，在不脱离附加的权利要求书及其主旨的前提下，也可以以各种方式进行省略、置换以及变更。本发明谋求的保护范围包含所附加的权利要求书和与其等同的意思以及范围内的所有的变更。
【权利要求】
1.一种娃膜的形成方法，其是在表面形成有槽的被处理体的上述槽中形成娃膜的娃膜形成方法，其中， 该硅膜的形成方法包括以下工序: 第I成膜工序，以填充上述被处理体的上述槽的方式形成含有杂质的第I硅膜； 掺杂工序，对在上述第I成膜工序中形成的上述第I硅膜的表面附近掺杂上述杂质；蚀刻工序，对在上述第I成膜工序中形成的上述第I硅膜进行蚀刻而扩展上述槽的开口部；以及 第2成膜工序，以将第2硅膜填充于在上述蚀刻工序中被扩展了开口部的槽的方式形成第2硅膜。
2.根据权利要求1所述的硅膜的形成方法，其中， 上述杂质是磷。
3.根据权利要求1所述的硅膜的形成方法，其中， 在上述蚀刻工序中，使用氯气作为蚀刻气体。
4.一种硅膜的形成装置，其用于在表面形成有槽的被处理体的上述槽中形成硅膜，其中， 该硅膜的形成装置包括: 第I成膜部件，其用于以填充上述被处理体的上述槽的方式形成含有杂质的第I硅膜； 掺杂部件，其用于对利用上述第I成膜部件形成的上述第I硅膜的表面附近掺杂上述杂质； 蚀刻部件，其用于对利用上述第I成膜部件形成的上述第I硅膜进行蚀刻而扩展上述槽的开口部；以及 第2成膜部件，其用于以将第2硅膜填充于利用上述蚀刻部件扩展了开口部的槽的方式形成第2硅膜。
5.根据权利要求4所述的硅膜的形成装置，其中， 上述杂质是磷。
6.根据权利要求4所述的硅膜的形成装置，其中， 上述蚀刻部件使用氯气作为蚀刻气体。
【文档编号】H01L21/28GK103943474SQ201410022488
【公开日】2014年7月23日 申请日期:2014年1月17日 优先权日:2013年1月17日
【发明者】小森克彦 申请人:东京毅力科创株式会社