耐电压氧化铝陶瓷基板2瓦29dB衰减片的制作方法

文档序号:7049717阅读:191来源:国知局
耐电压氧化铝陶瓷基板2瓦29dB衰减片的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种耐电压氧化铝陶瓷基板2瓦29dB衰减片,其包括一0.635mm厚度的薄形氧化铝基板,所述氧化铝基板的整个背面印刷有高温银浆,所述氧化铝基板的正面印刷有高温银浆电导线,所述高温银浆电导线之间印刷有黑色电阻,所述电路通过所述电阻的依次排布形成衰减电路,所述衰减电路的衰减值通过精确调试所述阻值得出,所述电路的驻波特性通过导线排布得出。该衰减片在设计上充分考虑了基板变薄后电压击穿,介电常数,电容效应的影响,通过合理的线路设计,使得其性能能够满足目前市场3G频率的使用要求。
【专利说明】耐电压氧化铝陶瓷基板2瓦29dB衰减片

【技术领域】
[0001]本发明涉及一种氧化铝陶瓷衰减片,特别涉及一种耐电压氧化铝陶瓷基板2瓦29dB衰减片。

【背景技术】
[0002]目前集成了五个膜状电阻设计的衰减片广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域。使用负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率,而使用衰减片在吸收反向输入的功率同时还能抽取需要的信号进行分析,并在高频电路上调整功率电平,去耦,对相关设备起到了保护作用。
[0003]由于国外对同类产品的研发与制造比国内起步早,无论在产品系列还是产品特性上都处于优势地位。同时国内市场上现有的衰减片衰减精度低,且能使用的频段相对较窄。我们希望的衰减器是一个功率消耗元件,不能对两端电路有影响,也就是说,与两端电路都是匹配的。当衰减精度或VSWR达不到要求时,输出端得到的信号不符合实际要求。


【发明内容】

[0004]针对上述现有技术的不足,本发明要解决的技术问题是提供一种阻抗满足50.1±3% Ω,在3G频段以内衰减精度为29±ldB,驻波要求输入、输出端在1.2以内,能够满足目前3G网络的应用要求的耐电压氧化铝陶瓷基板2瓦29dB衰减片,取代国外同类产品,并在特性上填补国内产品的空白。
[0005]为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:
[0006]一种耐电压氧化铝陶瓷基板2瓦29dB衰减片,其包括一 0.635mm厚度的薄形氧化铝基板,所述氧化铝基板的整个背面印刷有高温银浆,所述氧化铝基板的正面印刷有高温银浆电导线,所述高温银浆电导线之间印刷有黑色电阻,所述电路通过所述电阻的依次排布形成衰减电路,所述衰减电路的衰减值通过精确调试所述阻值得出,所述电路的驻波特性通过导线排布得出。
[0007]优选的,所述膜状电阻上印刷有保温透明保护膜。
[0008]优选的,所述导线及玻璃保护膜的上表面还印刷有一层低热膨胀系数黑色环氧树脂膜。
[0009]上述技术方案具有如下有益效果:该耐电压氧化铝陶瓷基板2瓦29dB衰减片让衰减电路处于一个完全对称的状态,该产品体积小,频率特性好,低热膨胀系数黑色环氧树脂膜的应用,使其耐受高低温的能力加强,电路的稳定性得到提升,打破了原来衰减片只能应用于低频的局面,使得衰减片能应用于2G-3G的网络,同时该衰减片在设计上充分考虑了基板变薄后电压击穿,介电常数,电容效应的影响。可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域隔离器、环形器等微波产品的生产。
[0010]上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。 本发明的【具体实施方式】由以下实施例及其附图详细给出。

【专利附图】

【附图说明】
[0011]图1为本发明实施例的结构示意图。

【具体实施方式】
[0012]下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细介绍。
[0013]如图1所示,该耐电压氧化铝陶瓷基板2瓦29dB衰减片包括一 0.635mm厚度的薄形氧化铝基板1,氧化铝基板I的背面印刷有背导层,氧化铝基板I的正面印刷有导线2及膜状电阻R1、R2、R3、R4、R5,,膜状电阻R1、R2、R3、R4、R5通过导线连接形成衰减电路,衰减电路通过银浆与背导层电连接,从而使衰减电路接地导通。膜状电阻Rl、R2、R3、R4、R5上印刷有玻璃保护膜3,导线2及玻璃保护膜3的上表面还印刷有一层低热膨胀系数黑色环氧树脂膜4,这样可对导线2及膜状电阻Rl、R2、R3、R4、R5形成保护。
[0014]该耐电压氧化铝陶瓷基板2瓦29dB衰减片要求输入端和接地的阻抗为50.1±3%Ω,输出端和接地端的阻抗为50.1 ±3% Ω。信号输入端进入衰减片,经过膜状电阻Rl、R2、R5、R3、R4对功率的逐步吸收,从输出端输出实际所需要的信号。
[0015]该耐电压氧化铝陶瓷基板2瓦29dB衰减片让衰减电路处于一个完全对称的状态,该产品体积小,频率特性好,低热膨胀系数黑色环氧树脂膜的应用,使其耐受高低温的能力加强,电路的稳定性得到提升,打破了原来衰减片只能应用于低频的局面,使得衰减片能应用于2G-3G的网络,同时该衰减片在设计上充分考虑了基板变薄后电压击穿,介电常数,电容效应的影响。可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域隔离器、环形器等微波产品的生产。
[0016]以上对本发明实施例所提供的一种耐电压氧化铝陶瓷基板2瓦29dB衰减片进行了详细介绍,对于本领域的一般技术人员,依据本发明实施例的思想,在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制,凡依本发明设计思想所做的任何改变都在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种耐电压氧化铝陶瓷基板2瓦29dB衰减片,其特征在于:其包括一 0.635mm厚度的薄形氧化铝基板,所述氧化铝基板的整个背面印刷有高温银浆,所述氧化铝基板的正面印刷有高温银浆电导线,所述高温银浆电导线之间印刷有黑色电阻,所述电路通过所述电阻的依次排布形成衰减电路,所述衰减电路的衰减值通过精确调试所述阻值得出,所述电路的驻波特性通过导线排布得出。
2.根据权利要求1所述的耐电压氧化铝陶瓷基板2瓦29dB衰减片,其特征在于:所述膜状电阻上印刷有保温透明保护膜。
3.根据权利要求1所述的耐电压氧化铝陶瓷基板2瓦29dB衰减片,其特征在于:所述导线及玻璃保护膜的上表面还印刷有一层低热膨胀系数黑色保护膜。
【文档编号】H01P1/22GK104241772SQ201410234724
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年5月29日 优先权日:2014年5月29日
【发明者】不公告发明人 申请人:苏州市新诚氏电子有限公司
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