专利名称：器件及制法、有源矩阵基板的制法及电光学装置和电子仪器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种器件及其制造方法、有源矩阵基板的制造方法及电光学装置和电子仪器。
本申请对2003年5月30日申请的日本专利申请第2003-155863号和2004年4月9日申请的日本专利申请第2004-115372号主张优先权，这里援引其内容。
背景技术：
以前，作为半导体集成电路等细微配线图案的制造方法，多使用光刻法。另一方面，例如特开平11-274671号公报或特开2000-216330号公报等中公开了使用液滴喷出方式的方法。在这些公报中公开的技术通过从液滴喷头向基板上喷出包含图案形成用材料的功能液，在图案形成面上配置(涂布)材料，形成配线图案，可对应于少量多种生产，很有效。
但是，近年来构成器件的电路的高密度化不断前进，例如对配线图案要求进一步细微化、细线化。
但是，在由基于上述液滴喷出方式的方法来形成这种细微的配线图案的情况下，尤其是难以充分保证该配线宽度的精度。因此，例如在特开平9-203803号公报或特开平9-230129号公报中，记载了如下技术，在基板上设置作为分隔部件的贮存格(bank)，同时实施表面处理，将贮存格的上部变为疏液性，此外的部分变为亲液性。
通过使用该技术，即使是细线，也可以贮存格间的宽度来所定配线图案的宽度，形成细线。
但是，上述现有技术中存在如下问题。
基于液滴喷出方式的油墨涂布可以高清晰度喷出、涂布直径为微米级的液滴。但是，涂布在基板上的微小液体的干燥极快，并且在基板上的涂布区域的端部(上端、下端、右端、左端)，由于从微小液体蒸发的溶剂分子分压(溶剂蒸气浓度)低，所以一般开始快速干燥。
如此涂布在基板上的液状体的干燥时间差引起导电膜配线的膜厚不均。另外，该膜厚不均导致导电性等电特性的不均匀等缺陷。
发明内容
本发明鉴于上述问题而做出的，其目的在于提供一种不产生膜厚不均、可消除电特性的不均匀性的器件及其制造方法、有源矩阵基板的制造方法及电光学装置和电子仪器。
本发明的第1方面是器件，其中，具备基板；形成于所述基板上的贮存格；通过喷出液滴形成于所述贮存格间的沟内的所定图案形成区域的导电性膜；和第2导电性膜，该第2导电膜配置在所述图案形成区域的外侧，并且与所述导电性膜电分离，通过喷出液滴形成。
因此，在本发明的器件中，尽管在干燥快的基板端部，作为虚设(虚设)配线的第2导电性膜的干燥提前，但在实际用作配线的配线图案区域中，由于存在第2导电性膜，溶剂蒸气浓度(气氛)变得均匀，可使导电性膜的干燥、烧成气氛变均匀，膜厚一定。因此，在本发明中，可消除膜厚不均引起的导电性等电特性的不均匀性。
另外，作为喷出的液滴，可采用包含金属微粒子的液滴。除了将第2导电性膜仅用作虚设配线以外，最好也可用作连接端子的构成也是合适的。
并且，作为液滴，也可选择包含通过加热或光照射发现导电性的材料的液滴。
作为第2导电性膜，也可采用形成于在所述图案形成区域的外侧中形成的第2贮存格间的沟内的构成。
最好所述贮存格与所述第2贮存格至少一方具有比各自之间的沟高的疏液性。
由此，在本发明中，即使喷出的液滴的一部分落在贮存格上，也由于贮存格表面变为疏液性，而不沾在贮存格上，容易流入贮存格间的沟内。
作为第2导电性膜，最好由与所述导电性膜相同的材料形成。
由此，在本发明中，由于可不交换液状体地连续喷出，所以可节省伴随液状体交换的作业，使生产效率提高。
另外，作为第2导电性膜，最好以与所述导电性膜大致相同的排列(排列参数)、且连续形成。例如，通过设排列间距、配线宽度等配线参数与导电性膜相同，另外，与导电性膜连续排列，不必单独形成液滴喷出时的点图案(点位图)等，使操作性提高。
在导电性膜以各不相同的多个间距排列的情况下，第2导电性膜为以平均所述多个间距的间距来排列的构成也是合适的。
此时，可以防止导电性膜之间溶剂蒸气浓度差变得不均匀。
另外，第2导电性膜为以在所述导电性膜的长度方向上分别从该导电性膜的两端突出的长度形成的构成也是合适的。
此时，即使导电性膜的长度方向上，也能够缓和导电性膜的干燥的不均匀性，使膜厚一定。
另外，本发明的第2方面是电光学装置，其中，具备上述器件。
由此，在本发明中，由于以均匀的膜厚来形成配线图案，所以可以得到消除了配线的膜厚不均引起的电特性的不均匀的高品质的电光学装置。
另外，本发明的第3方面是电子仪器，其中，具备上述电光学装置。
由此，在本发明中，由于以均匀的膜厚来形成配线图案，所以可以得到消除了配线的膜厚不均引起的电特性的不均匀的高品质的电子仪器。
另一方面，本发明的第4方面是器件的制造方法，其中，具有在基板上的所定图案形成区域中形成贮存格的工序；向所述贮存格间的沟内喷出液滴，形成导电性膜的工序；和向所述图案形成区域的外侧喷出液滴，形成与所述导电性膜电分离的第2导电性膜的工序。
由此，在本发明中，尽管在干燥快的基板端部，作为虚设配线的第2导电性膜的干燥提前，但在实际用作配线的配线图案区域中，由于存在第2导电性膜，溶剂蒸气浓度(气氛)变得均匀，能够使导电性膜的干燥、烧成气氛变均匀，膜厚一定。因此，在本发明中，可以消除膜厚不均引起的导电性等电特性的不均匀性。
另外，本发明的第5方面是有源矩阵基板的制造方法，其中，具有第1工序，在基板上形成栅极配线；第2工序，在所述栅极配线上形成栅极绝缘膜；第3工序，隔着所述栅极绝缘膜来层叠半导体层；第4工序，在所述栅极绝缘层上形成源极电极和漏极电极；第5工序，在所述源极电极和所述漏极电极上配置绝缘材料；和第6工序，在配置了所述绝缘材料之上形成象素电极，在所述第1工序和所述第4工序及所述第6工序至少一个工序中，使用上述器件制造方法。
根据本发明，能够消除栅极配线、源极电极和漏极电极、象素电极中因膜厚不均引起的导电性等电特性的不均匀，得到形成细线的薄膜图案的薄型有源矩阵基板。
图1是液滴喷出装置的示意立体图。
图2是说明基于压电方式的液状体喷出原理的图。
图3A和图3B是形成贮存格的基板的平面图。
图4A～图4D是表示配线图案形成的顺序图。
图5是表示配线的一部分的放大模式图。
图6A～图6C是说明喷出的液状体的动作的图。
图7是表示图案的位置与溶剂蒸气压浓度的关系的图。
图8是从相对向基板侧观看液晶显示装置的平面图。
图9是沿图8的H-H’线的截面图。
图10是液晶显示装置的等效电路图。
图11A和图11B是液晶显示装置的局部放大截面图。
图12是有机EL装置的局部放大截面图。
图13是用于说明制造薄膜晶体管的工序的图。
图14是用于说明制造薄膜晶体管的工序的图。
图15是用于说明制造薄膜晶体管的工序的图。
图16是用于说明制造薄膜晶体管的工序的图。
图17是表示液晶显示装置的其它方式的图。
图18是等离子体型显示装置的分解立体图。
图19是非接触型卡介质的分解立体图。
图20A～图20C是表示本发明的电子仪器的具体例的图。
图中，
B-贮存格，B2-贮存格(第2贮存格)，DP-虚设图案(第2导电性膜)，EP-电极图案(导电性膜)，L-间距，P-基板，PI-配线图案区域(图案形成区域)，PO-虚设区域，31-沟槽，32-液滴(功能液)，32a～32-液状体(功能液)，100-液晶显示装置(电光学装置)，400-非接触型卡介质(电子仪器)，500-等离子体型显示装置(电光学装置)，600-移动电话机主体(电子仪器)，700-信息处理装置(电子仪器)，800-手表主体(电子仪器)具体实施方式
下面，参照图1～图20来说明本发明的器件及其制造方法、有源矩阵基板的制造方法及电光学装置和电子仪器的实施方式。
(实施方式1)在本实施方式中，使用如下实例来进行说明，即通过液滴喷出法，从液体喷头的喷嘴中液滴状地喷出包含导电性微粒子的配线图案(薄膜图案)用油墨(功能液)，在基板上形成由导电性膜形成的配线图案的情况之例。
该配线图案用油墨，由使导电性微粒子分散到分散介质中的分散液、或使有机银化合物或氧化银纳米粒子分散到(溶剂)分散介质中的溶液构成。
在本实施方式中，作为导电性微粒子，除含有例如金、银、铜、钯和镍中的任一种的金属微粒子外，还可使用这些金属的氧化物及导电性聚合物、或超导体的微粒子等。
这些导电性微粒子为了提高分散性，也可以在表面涂布有机物等来使用。导电性微粒子的粒径最好为1nm或其以上、0.1微米或其以下。若大于0.1微米，则担心后述的液体喷头的喷嘴中产生堵塞。另外，若小于1nm，则涂布剂相对导电性微粒子的体积比变大，得到的膜中的有机物的比例过多。
作为分散介质，只要是可分散上述导电性微粒子、不引起凝聚，则不特别限定。例如，除水外，还可示例甲醇、乙醇、丙醇等醇类，正庚烷、正辛烷、癸烷、十二碳烷、十四烷、甲苯、二甲苯、甲基异丙基苯、杜稀、茚、双戊稀、四氢化奈、十氢化奈、环己基苯等烃类化合物，另外，乙二醇二甲基乙醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇甲基乙基醚、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、1，2-二甲氧基乙烷、双(2-甲氧基乙基)醚、对二噁烷等醚类化合物，进而碳酸丙稀酯、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、环己烷等极化化合物。其中，就微粒子的分散性与分散液的稳定性、或容易适用于液滴喷出法(喷墨法)的方面而言，最好是水、醇类、烃类化合物、醚类化合物，作为更好的分散介质，例如水、烃类化合物。
上述导电性微粒子的分散液的表面张力最好在0.02N/m或其以上、0.07N/m或其以下的范围内。当通过喷墨法喷出液体时，若表面张力不足0.02N/m，则油墨组成物对喷嘴面的润湿性增大，所以易产生飞行弯曲，若超过0.07N/m，则凸凹面在喷嘴前端的形状不稳定，所以难以控制喷出量或喷出定时。为了调整表面张力，最好在不使与基板的接触角过大地降低的范围内，向上述分散液中添加微量氟类、硅类、非离子类等表面张力调节剂。非离子类表面张力调节剂可使液体对基板的润湿性提高，改良膜的调整性，防止产生膜的细微凹凸等。上述表面张力调节剂在必要时也可以包含乙醇、乙醚、酯、酮等有机化合物。
上述分散液的粘度最好是1mPa·s或其以上、50mPa·s或其以下。当使用喷墨法喷出液体材料作为液滴时，在粘度比1mPa·s小的情况下，喷墨周围部容易因流出油墨而被污染，另外，在粘度比50mPa·s大的情况下，喷嘴孔的堵塞频度变高，难以圆滑地喷出液滴。
作为形成配线图案的基板，可使用玻璃、石英玻璃、Si晶片、塑料膜、金属板等各种基板。另外，还包含在这些各种原料基板的表面形成半导体膜、金属膜、电介质膜、有机膜等作为基底层。
这里，作为液滴喷出法的喷出技术，例如带电控制方式、加压振动方式、机电转换式、电热转换方式、静电吸引方式等。带电控制方式通过带电电极向材料赋予电荷，用偏转电极而控制材料的飞翔方向，使材料从喷嘴喷出。另外，加压振动方式是向材料施加30kg/cm2左右的超高压，向喷嘴前端侧喷出材料，在未施加控制电压的情况下，材料直行，从喷嘴喷出，若施加控制电压，则在材料间产生静电排斥，材料飞散，不从喷嘴喷出。另外，机电转换方式利用压电元件接受脉冲电信号后变形的性质，通过压电元件变形，通过挠性物质对存放材料的空间施加压力，从该空间压出材料，从喷嘴喷出。
另外，电热转换方式通过设置在存放材料的空间内的加热器，使材料急剧气化，产生气泡(泡)，通过气泡的压力使空间内的材料喷出。静电吸收方式是向存放材料的空间内施加微小压力，在喷嘴中形成材料的凸凹面，并在该状态下边施加静电引力边引出材料。此外，也可适用利用电场引起的液体的粘性变化的方式、或通过放电火花来飞散的方式等技术。液滴喷出法具有在材料的使用中浪费少、且可将期望量的材料准确配置在期望位置上的优点。另外，通过液滴喷出法喷出的液状材料(流动体)的一滴的量例如为1～300纳克。
下面，说明制造根据本发明的器件时使用的器件制造装置。
作为该器件制造装置，使用通过从液滴喷头向基板喷出液滴来制造器件的液滴喷出装置(喷墨装置)。
图1是表示液滴喷出装置IJ的示意结构的立体图。
液滴喷出装置IJ具备液滴喷头1、X轴方向驱动轴4、Y轴方向引导轴5、控制装置CONT、台架(stage)7、清洁机构8、基台9和加热器15。
台架7支撑由该液滴喷出装置IJ设置油墨(液体材料)的基板P，具备将基板P固定在基准位置上的未图示的固定机构。
液滴喷头1是具备多个喷嘴的多喷嘴类型的液滴喷头，使长方向与X轴方向一致。多个喷嘴沿Y轴方向以一定间隔设置在液滴喷头1的下面。从液滴喷头1的喷嘴向支撑在台架7上的基板P喷出包含上述导电性微粒子的油墨。
X轴方向驱动轴4上连接有X轴方向驱动电机2。X轴方向驱动电机2是步进电机等，若从控制装置CONT提供X轴方向的驱动信号，则使X方向驱动轴4旋转。若X方向驱动轴4旋转，则液滴喷头1向X轴方向移动。
固定Y轴方向引导轴5，使之不会相对基台9移动。台架7具备Y轴方向驱动电机3。Y轴方向驱动电机3是步进电机等，若从控制装置CONT提供Y轴方向的驱动信号，则使台架7向Y轴方向移动。
控制装置CONT向液滴喷头1提供液滴的喷出控制用电压。另外，向X轴方向驱动电机2提供控制液滴喷头1的X轴方向的移动的驱动脉冲信号，向Y轴方向驱动电机3提供控制台架7的Y轴方向的移动的驱动脉冲信号。
清洁机构8清洁液滴喷头1。清洁机构8中备有未图示的Y轴方向的驱动电机。通过该Y轴方向的驱动电机的驱动，清洁机构沿Y轴方向引导轴5移动。清洁机构8的移动也由控制装置CONT控制。
加热器15在这里是通过灯退火来热处理基板P的部件，蒸发和干燥包含在涂布在基板P上的液体材料的溶剂。该加热器15的电源的接通和断开也由控制装置CONT加以控制。
液滴喷出装置IJ在相对扫描液滴喷头1与支撑基板P的台架7的同时，向基板P喷出液滴。这里，以下说明中将X轴方向设为扫描方向，将与X轴方向正交的Y轴方向设为非扫描方向。因此，液滴喷头1的喷嘴在作为非扫描方向的Y轴方向上以一定间隔排列设置。另外，图1中，液滴喷头1相对于基板P的前进方向成直角配置，但也可调整液滴喷头1的角度，使之与基板P的前进方向交叉。
这样，通过调整液滴喷头1的角度，可以调节喷嘴间的间距。另外，也可以任意调节基板P与喷嘴面的距离。
图2是说明基于压电方式的液状体喷出原理的图。
图2中，邻接于容纳液体材料(配线图案用油墨、功能液)的液体室21，设置有压电元件22。经包含容纳液体材料的材料筒的液体材料提供系统23向液体室21提供液体材料。压电元件22被连接在驱动电路24上，经该驱动电路24向压电元件22施加电压，使压电元件22变形，从而液体室21变形，使液体材料从喷嘴25喷出。此时，通过以所定的驱动波形使施加电压的值变化，控制压电元件22的变形量。另外，通过使施加电压的频率变化，控制压电元件22的变形速度。因为基于压电方式的液滴喷出材料未向材料加热，所以具有难以对材料的组成造成影响的优点。
下面，参照图3～图7来说明在基板上形成导电膜配线的方法，作为本发明的配线图案形成方法(薄膜图案形成方法)的实施方式的一例。
在本实施方式中，如图3A所示，在位于基板P上的大致中央部的配线图案区域(图案形成区域)PI中形成电极图案(导电性膜)EP，并在配线图案区域PI的外侧(周围)的虚设区域PO中形成与电极图案EP电分离配线的虚设图案(第2导电性膜)DP。
电极图案EP在这里以线宽度120微米、线间隔240微米的排列间距360微米进行配线。虚设图案DP由与电极图案EP相同的材料形成，为了以与电极图案EP相同的排列(线宽度120微米、线间隔240微米的排列间距360微米)且连续排列，与在配线图案区域PI与虚设区域PO交界上相邻的电极图案EP的线间隔也为以240微米进行配线。
根据本实施方式的配线图案形成方法，在基板P上配置上述配线图案用的油墨，并在该基板P上形成配线用的导电膜图案(电极图案EP和虚设图案DP)，由贮存格形成工序、残渣处理工序、疏液化处理工序、材料配置工序和中间干燥工序、烧成工序大致构成。
下面，详细说明每个工序。
(贮存格形成工序)贮存格是用作分隔部件作用的部件，贮存格的形成可以通过平版印刷法或印刷法等任意方法进行。例如，在使用平版印刷法的情况下，通过旋涂、喷涂、辊涂、模涂、浸渍涂布等所定方法，在基板P上与贮存格的高度一致后涂布有机类感光性材料，并在其上涂布抗蚀剂层。另外，与贮存格形状(电极图案EP和虚设图案DP)一致后，实施掩模，曝光、显影抗蚀剂，从而残留与贮存格形状一致的抗蚀剂。最后蚀刻去除掩模以外的部分的贮存格材料。
另外，也可以由下层为无机物或有机物、对功能液示出亲液性的材料、上层为有机物、对功能液示出疏液性的材料构成的2层以上来形成贮存格(凸部)。
由此，如图4A所示，例如以10微米的宽度突出设置贮存格B，以包围配线图案区域PI中应形成电极图案EP的区域的沟槽部31。另外，在虚设区域PO中，在应形成虚设图案DP的沟的外侧形成贮存格(第2贮存格)B2，但两者截面形状都相同，所以在图4A～图4D中，图示电极图案EP和虚设图案DP两者。
另外，虽然在有机材料涂布前对基板P实施HMDS处理(将(CH3)3SiNHSi(CH3)3变为蒸气状后涂布的方法)，作为表面变性处理，但图4A～图4D中省略其图示。
作为形成贮存格的有机材料，既可以是对液体材料都示出疏液性的材料，也可如后所述，可以通过等离子体处理具有疏液性、与基底基板的密接性好、容易通过光刻来图案形成的绝缘有机材料。例如，可以使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、三聚氰氨树脂等高分子材料。
(残渣处理工序(亲液化处理工序)下面，为了去除贮存格间在贮存格形成时的抗蚀剂(有机物)残渣，对基板P实施残渣处理。
作为残渣处理，可以选择通过照射紫外线来进行残渣处理的紫外线(UV)照射处理或在大气气氛中将氧气作为处理气体的O2等离子体处理等，但这里实施O2等离子体处理。
具体而言，从等离子体放电电极向基板P照射等离子体状态的氧来进行。作为O2等离子体处理的条件，例如设等离子体功率为50-1000W，氧气流量为50～100ml/min，基板P对等离子体放电电极的板搬运速度为0.5～10mm/sec，基板温度为70-90℃。
另外，在基板P为玻璃基板的情况下，其表面对配线图案形成材料具有亲液性，但如本实施方式所示，为了进行残渣处理，实施O2等离子体处理或紫外线照射处理，从而可以提高沟槽部31的亲液性。在本实施方式中，调整等离子体处理条件(例如延迟基板P的搬运速度，延长等离子体处理时间)，使沟槽部31相对于用作配线图案形成材料的有机银化合物(后述)的接触角在10°或其以下。
(疏液化处理工序)之后，对贮存格B、B2进行疏液化处理，对其表面赋予疏液性。作为疏液化处理，例如可以采用在大气气氛中将四氟甲烷设为处理气体的等离子体处理法(CF4等离子体处理法)。CF4等离子体处理法的条件例如设等离子体功率为50～1000kW，4氟甲烷气体流量为50～100ml/min，相对等离子体放电电极的基板搬运速度为0.5～1020mm/sec，基板温度为70～90℃。
另外，作为处理气体，不限于四氟甲烷(四氟化碳)，也可使用其它氟代烃类气体。在本实施方式中，调整等离子体处理条件(例如延迟基板P的搬运速度，延长等离子体处理时间)，使贮存格B相对于用作配线图案形成材料的有机银化合物的接触角在60°以上。
通过进行这种疏液化处理，在贮存格B、B2中，向构成贮存格的树脂中导入氟基，对沟槽部31赋予高的疏液性。另外，作为上述亲液化处理的O2等离子体处理可以在形成贮存格B之前进行，但由于丙烯基树脂或聚酰亚胺树脂等具有进行基于O2等离子体的预处理一方更容易被氟化(疏液化)的性质，所以最好在形成贮存格B、B2之后进行O2等离子体处理。
另外，通过对贮存格B、B2的疏液化处理，尽管多少会对在先进行亲液化处理的基板P的表面造成影响，但是尤其是在基板P由玻璃等构成的情况下，由于疏液化处理难以导入氟元素，所以基板P的亲液性、即润湿性实质上未受损。
另外，关于贮存格B，也可以通过由具有疏液性的材料(例如具有氟基的树脂材料)形成，省略该疏液处理。
通过这些图案形成工序、残渣处理工序和疏液化处理工序，形成薄膜图案形成用基板。
(材料配置工序和中间干燥工序)下面，使用液滴喷出装置IJ的液滴喷出法，在基板P上的沟槽部31中涂布配线图案形成材料。另外，这里说明喷出将银用作导电性微粒子、将二甘醇二乙基醚用作溶剂(分散介质)的油墨(分散液)。
即，在材料配置工序中，在对未图示的冲洗区域进行预备喷出后，向贮存格间的沟槽喷出液滴，从而依次形成虚设区域PO(例如图3A中左侧的虚设区域)中的虚设图案DP、配线图案区域PI中的电极图案EP、虚设区域PO(例如图3A中右侧的虚设区域)中的虚设图案DP。
若将其详细描述，则一边使上述液滴喷出装置IJ的液滴喷头1与基板P相对移动，一边如图4B所示，从液体喷头1中喷出包含配线图案形成材料的液体材料，作为液滴32，并将该液滴32配置在基板P上的沟槽部31中。具体而言，沿沟槽部31的长度方向(配线图案的形成方向)使液滴喷头1与基板P相对移动，同时，以所定间距喷出多个液滴32，从而如后所述，形成线性的配线图案。
另外，在本例中，设液滴32的直径比贮存格B、B2的沟槽部31的宽度W(在本例中为沟槽部31的开口部的宽度)大。
这里，液滴喷出装置IJ的控制装置CONT如图5所示，在基板P上设定由格状的多个位(单位格子)构成的位图，根据设定在基板P上的位图，沿X轴方向对基板P进行扫描，同时，对位图中的多个位中、所定位(形成电极图案31和虚设图案32的位)进行液滴的喷出动作，从而，在相同的工序内在基板P上连续形成电极图案EP和虚设图案DP。
此时，若从液滴喷头1喷出液滴32，在沟槽部31内配置液状体，则贮存格B、B2的表面变为疏液性，并形成锥形，所以落于这些贮存格B、B2上的液滴32部分不沾在贮存格B、B2上，并由于沟槽部31的毛细管现象而流入该沟槽部31内。
但是，因为液滴32的直径D比沟槽部31的宽度W大，所以如图6A所示(图4C中双点划线所示)，喷出的液状体(符号32a所示)的部分溢出，残留在贮存格B、B2上。
之后，接着向离开间距L的沟槽部31内的位置喷出液滴32，但该喷出间距L被设定成在喷出到沟槽部31内的液状体(液滴)润湿扩散时、与间隔间距L喷出的相邻液状体接续的大小，并事先通过实验等求出的。
即，如图6B所示，相对于液状体32a间隔距离L喷出的液状体(用符号32b表示)通过润湿扩散，与在先喷出的液状体32a接续。此时，液状体32b的一部分有可能溢出后残留在贮存格B、B2上，但当液状体32a、32b接续时，接触部彼此拉拽，从而残留在贮存格B、B2中的液状体如图中箭头所示，被拉入沟槽部31内。
结果，在图4C和图6C中如符号32c所示，液状体不会溢出到贮存格B、B2中，进入沟槽部31内，以线性形成。
另外，喷出到沟槽部31内、或从贮存格B、B2流入的液状体32a、32b，由于基板P被亲液处理，所以易变得更宽，从而，液状体32a、32b更均匀地埋入沟槽部31。因此，尽管沟槽部31的宽度W比液滴32的直径D窄(小)，但向沟槽部31内喷出的液滴32(液状体32a、32b)不会残留在贮存格B、B2上，良好地进入沟槽部31内，并均匀地埋入其中。
(中间干燥工序)在向基板P喷出液滴后，为了去除分散介质，必要时进行干燥处理(中间干燥)。干燥处理可通过例如加热基板P的通常的热板、电炉等的加热处理来进行。在本实施方式中，例如在180℃下加热60分钟左右。该加热在N2气氛下等进行，未必在大气中进行。
另外，该干燥处理也可以通过灯退火来进行。
作为用于灯退火的光的光源，不特别限定，但可以将红外线灯、氙气灯、YAG激光器、氩激光器、二氧化碳气体激光器、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等激元激光器等用作光源。这些光源一般使用输出为10W或其以上、5000W或其以下范围内的光源，但在本实施方式中在100W或其以上、1000W或其以下的范围内就足够。
通过反复进行该中间干燥工序与上述材料配置工序，可将配线图案形成期望的膜厚。
(烧成工序)喷出工序后的干燥膜为了微粒子间更好地电接触，必需完全去除分散介质。另外，在为了使分散性提高而将有机物等涂布剂涂布在导电性微粒子表面上的情况下，还必需去除该涂布剂。因此，对喷出工序后的基板实施热处理和/或光处理。
热处理和/或光处理通常在大气中进行，但必要时也可在氮气、氩气、氦气等惰性气体气氛中进行。考虑分散介质的沸点(蒸气压)、气氛气体的种类或压力、微粒子的分散性或氧化性等热行为、涂布剂的有无或量、基体材料的耐热温度等来适当确定热处理和/或光处理的处理温度。
例如，为了去除由有机物构成的涂布剂，必需在约300℃下进行烧成。另外，在使用塑料等基板的情况下，最好在室温或其以上、100度或其以下进行。
通过以上工序，喷出工序后的干燥膜确保微粒子间的电接触，变换为导电性膜，从而如图4D所示，得到作为线状连续的膜的导电性图案、即电极图案EP(或虚设图案DP)。
这里，图7中示出热处理时基板上的图案位置与溶剂蒸气压浓度的关系。
如该图所示，在配线虚设图案DP的基板的端部，从图案(功能液)蒸发的溶剂蒸气浓度低，干燥快速进行，相反，在配线电极图案EP的基板内侧，由于虚设图案DP的存在，溶剂蒸气浓度为比外侧高的值，恒定不变。即，担心烧成状态不好的某区域(分散介质去除、涂布剂的均匀去除)变为配线图案区域PI的外侧虚设区域PO，配线在用于显示的区域中的电极图案EP变为良好的烧成状态。
通过以上说明的一连串工序，在基板上形成线性的导电膜图案(导电膜配线)。
这样，在本实施方式中，因为通过液滴喷出在配线图案区域PI的外侧配线虚设图案DP，所以即使在干燥、烧成时产生溶剂蒸气浓度的分布，电极图案EP也可以容易得到良好的烧成状态，能够以抑制膜厚不均的产生。因此，可以防止以前重复涂布的导电膜图案彼此由于干燥状态不均匀而导致线宽度或膜厚不一致，可以以在线宽度、膜厚中不产生差异地重复形成图案。因此，可以防止因膜厚不均而引起的导电性等电特性的不均匀，能够制造高品质的器件。
另外，在本实施方式中，因为由相同的材料形成了电极图案EP与虚设图案DP，所以可在相同的喷出处理工序(材料配置工序)中形成两个图案EP、DP，能够削减液状体交换所需的时间，使生产效率提高。并且，在本实施方式中，以相同的排列(参数)配置电极图案EP与虚设图案DP，连续进行液滴喷出处理，所以不必单独形成液滴喷出时的位图(点图案)，可以缩短位图形成所需的时间。
并且，在本实施方式中，因为向贮存格B、B2赋予比沟槽部31高的疏液性，所以即使在喷出的液滴的一部分落于贮存格B、B2上的情况下，也由于疏液性不沾液滴而流入沟槽部31内，从而可以更均匀地涂布液状体，能够得到具有一样膜厚的电极图案EP。另外，在本实施方式中，即使沟槽部31的宽度比液滴32的直径小的情况下，也因为液状体可以埋入沟槽部31内，所以能够得到形成更细线的配线图案的小型器件，同时，能够得到不产生短路等缺陷的高品质的器件。
并且，通过使用虚设图案DP来进行电阻检查等对电极图案EP的导通试验或密接性试验等品质检查，可以防止对电极图案EP造成损伤，另外，通过在端部配置虚设图案DP，还可得到与电极图案EP相比、试验时的访问变容易等效果。
(实施方式2)说明作为本发明的电光学装置一例的液晶显示装置，作为实施方式2。
图8是从与各构成要素同时表示的相对向基板侧观看根据本发明的液晶显示装置的平面图，图9是沿图8的H-H’线的截面图。图10是液晶显示装置的图像显示区域中形成为矩阵状的各种元件、配线等的等效电路图，图11是液晶显示装置的局部放大截面图。另外，在以下说明中使用的各图中，因为将各层或各部件设为图面上可识别程度的大小，所以使每个层或每个部件缩放不同比例。
在图8和图9中，本实施方式的液晶显示装置(电光学装置)100通过作为光固化性密封材料的密封件52，将成对的TFT阵列基板10与相对向基板20贴合，在由该密封件52区分的区域内封入、保持液晶50。密封件52在基板面内的区域中形成为密闭的框状，不配备液晶注入口，没有由密封材料密封的痕迹。
在密封件52的形成区域的内侧区域中，形成由遮光性材料构成的外围分型面53。在密封件52的外侧区域，沿TFT阵列基板10的一个边形成有数据线驱动电路201和安装端子202，沿邻接该一个边的两个边上形成有扫描线驱动电路204。在TFT阵列基板10的剩下的一个边设有用于连接设置在图像显示区域两侧的扫描线驱动电路204之间的多个配线205。另外，在相对向基板20的角部的至少一个部位配置用于取得TFT阵列基板10与相对向基板20之间的电导通的基板间导通件206。
另外，也可以代替在TFT阵列基板10上形成数据线驱动电路201和扫描线驱动电路204，例如经各向异性导电膜来机电连接安装了驱动用LSI的TAB(Tape Automated Bonding)基板与形成于TFT阵列基板10周围部的端子群。另外，在液晶显示装置100中，按照使用的液晶50的种类、即TN(Twisted Nematic)模式、C-TN法、VA方式、IPS方式等动作模式、或常白(normally white)模式/常黑(normally black)模式的不同，沿所定方向配置相位差板、偏振光板等，但这里省略图示。
另外，在将液晶显示装置100构成为彩色显示用的情况下，在相对向基板20中，在TFT阵列基板10的面对后述各象素电极的区域中，与保护膜一起形成例如红(R)、绿(G)、蓝(B)的彩色滤光片。
在具有这种结构的液晶显示装置100的图像显示区域中，如图10所示，在将多个象素100a构成为矩阵状的同时，在这种象素100a的每个中形成象素开关用的TFT(开关元件)30，将提供象素信号S1、S2、…、Sn的数据线6a电连接于TFT30的源极上。写入数据线6a的象素信号S1、S2、…、Sn既可按此顺序由线依次提供，也可以按每组提供给相邻接的多个数据线6a彼此。另外，构成为在TFT30的栅极上电连接有扫描线3a，在所定的定时，按顺序由线依次脉冲地向扫描线3a施加扫描信号G1、G2、…、Gm。
象素电极19电连接于TFT30的漏极上，通过仅在一定期间将作为开关元件的TFT30设为导通状态，可在所定定时向各象素写入从数据线6a提供的象素信号S1、S2、…、Sn。如此经象素电极19写入液晶的所定电平的象素信号S1、S2、…、Sn在一定期间中保持在图9所示的相对向基板20与相对向电极21之间。另外，为了防止保持的象素信号S1、S2、…、Sn泄漏，与形成于象素电极19与相对向电极21之间的液晶电容并联地附加有存储电容60。例如，存储电容60将象素电极19的电压保持比施加源极电压的时间还长3位的时间。由此，可以实现改善了电荷的保持特性、对比度高的液晶显示装置100。
图11A是具有底部栅极型TFT30的液晶显示装置100的局部放大截面图，在构成TFT阵列基板10的玻璃基板P上，突出设置有贮存格67、67，在贮存格67、67之间的沟槽68内，通过上述实施方式1的配线图案形成方法形成有栅极配线61。另外，在本实施方式中，由于在形成后述非晶硅层的过程中被加热到约350℃，所以使用无机的贮存格67来作为耐该温度的材料。
在栅极配线61上，隔着由SiNx构成的栅极绝缘膜62层叠有由非晶硅(a-Si)层构成的半导体层63。将面对该栅极配线部分的半导体层63的部分设为通道区域。在半导体层63上层叠了为得到欧姆耦合的例如由n+型a-Si层构成的接合层64a和64b，在通道区域的中央部的半导体层63上，形成用于保护通道的由SiNx构成的绝缘性止蚀膜(etch stop)65。另外，这些栅极绝缘膜62、半导体层63和止蚀膜65蒸镀(CVD)后通过实施抗蚀剂涂布、感光显影、光蚀刻，如图所示进行图案形成。
并且，也同样成膜接合层64a、64b和ITO(Indium Tin Oxide铟锡氧化物)构成的象素电极19，同时，通过实施光蚀刻，如图所示被图案形成。之后，在象素电极19、栅极绝缘膜62和止蚀膜65上分别突出设置贮存格66…，在这些贮存格66…之间使用上述液滴喷出装置IJ，喷出银化合物的液滴，从而可以形成源极线、漏极线。
另外，如图11B所示，在栅极绝缘膜62中设置凹部，在该凹部内与栅极绝缘膜62的表面大致齐平面地形成半导体层63，并在其上形成接合层64a、64b、象素电极19、止蚀膜65。此时，通过使贮存格66之间的沟槽底部平坦，不使这些各层和源极线、漏极线截面弯曲，可以形成平坦性好的高特性的TFT。
在上述结构的TFT中，使用上述液滴喷出装置IJ，例如喷出银化合物的液滴，从而可以形成栅极线、源极线、漏极线等，所以可以得到实现基于细线化的小型、薄型化、不产生电特性不均匀的高品质的液晶显示装置。
(实施方式3)在上述实施方式中，构成为将TFT30用作液晶显示装置100的驱动用开关元件，但除液晶显示装置之外，也能够应用于例如有机EL(场致发光)显示器件中。有机EL显示器件具有由阴极与阳极夹持包含荧光性的无机和有机化合物的薄膜的构成，通过向所述薄膜注入电子和空穴(hole)并使之激励，产生激子(激发子)，利用该激发子再结合时的光的放出(荧光、磷光)来发光。
另外，在具有上述TFT30的基板上，将用于有机EL显示元件中的荧光性材料中、呈现红、绿和蓝色各发光色的材料、即发光层形成材料和形成空穴注入/电子传输层的材料作为油墨，并图案形成，从而可以制造自发光全色EL器件。
在本发明的器件(电光学装置)的范围内还包含这种有机EL器件，可得到实现小型、薄型化、不产生电特性不均匀的高品质的有机EL器件。
图12是通过所述液滴喷出装置IJ来制造部分构成要素的有机EL装置的侧面截面图。参照图12来说明有机EL装置的示意结构。
在图12中，有机EL装置301在基板311、电路元件部321、象素电极331、贮存格部341、发光元件351、阴极361(相对向电极)和密封基板371构成的有机EL元件302上，连接柔性基板(省略图示)的配线和驱动IC(省略图示)。电路元件部321在基板311上形成作为有源元件的TFT30，多个象素电极331在电路元件部321上整齐排列构成。另外，构成TFT30的栅极配线61，通过上述实施方式的配线图案的形成方法来形成。
在各象素电极331之间，将贮存格部341形成为栅格状，在由贮存格部341产生的凹部开口344中，形成有发光元件351。另外，发光元件351由发红色光的元件、发绿色光的元件和发蓝色光的元件构成，从而，有机EL装置301实现全色显示。阴极361形成于贮存格部341和发光元件351的整体上部表面，在阴极361上层叠有密封用基板371。
包含有机EL元件的有机EL装置301的制造过程，具备形成贮存格部341的贮存格部形成工序；为适当形成发光元件351的等离子体处理工序；形成发光元件351的发光元件形成工序；形成阴极361的相对向电极形成工序；和在阴极361上层叠密封用基板371后进行密封的密封工序。
发光元件形成工序，通过在凹部开口344、即象素电极331上形成空穴注入层352和发光层353，形成发光元件351，备有空穴注入层形成工序和发光层形成工序。另外，空穴注入层形成工序具有向各象素电极331上喷出形成空穴注入层352用的液状体材料的第1喷出工序；和使喷出的液状体材料干燥后形成空穴注入层352的第1干燥工序。另外，发光层形成工序具有向空穴注入层352上喷出形成发光层353用的液状体材料的第2喷出工序；和使喷出后的液状体材料干燥后形成发光层353的第2干燥工序。另外，发光层353如上所述，由红、绿、蓝3色所对应的材料形成3种发光层，因此，为了分别喷出3种材料，所述第2喷出工序由3个工序构成。
在该发光元件形成工序中，可以在空穴注入层形成工序中的第1喷出工序、与发光层形成工序中的第2喷出工序中使用所述液滴喷出装置IJ。
(实施方式4)在上述实施方式中，使用根据本发明的图案形成方法，形成TFT(薄膜晶体管)的栅极配线，但也可制造源电极、漏电极、象素电极等其它构成要素。下面，参照图13至图16来说明制造TFT的方法。
如图13所示，首先，在洗净的玻璃基板510的上面，根据光刻法形成设置1个象素的1/20～1/10的沟槽511a的第1层贮存格511。作为该贮存格511，必需在形成后具备光透过性和疏液性，作为其原料，除丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、三聚氰氨树脂等高分子材料外，最好使用聚硅氮烷等无机类材料。
为了使形成后的贮存格511具有疏液性，必需实施CF4等离子体处理等(使用具有氟成分的气体的等离子体处理)，但也可代之以事先向贮存格511的原料本身填充疏液成分(氟代基等)。此时，可省略CF4等离子体处理等。
作为如上所述疏液化后的贮存格511相对于喷出油墨的接触角，最好确保为40°或其以上，另外，作为玻璃面的接触角，最好确保为10°或其以下。即，本发明者们通过试验确认的结果，例如相对导电性粒子(十四烷溶剂)的处理后的接触角在采用丙烯基树脂类作为贮存格511的原料的情况下可确保约为54.0°(未处理的情况下为10°或其以下)。另外，这些接触角在等离子体功率为550W、以0.1L(liter)/min提供4氟化甲烷的处理条件下得到。
在接着上述第1层贮存格形成工序的栅极扫描电极形成工序(第1次导电性图案形成工序)中，为了充满作为由贮存格511区分的描绘区域的所述沟槽511a内，通过喷墨喷出包含导电性材料的液滴，从而形成栅极扫描电极512。之后，当形成栅极扫描电极512时，适用根据本发明的图案的形成方法。
作为此时的导电性材料，最好适宜采用Ag、Al、Au、Cu、钯、Ni、W-Si、导电性聚合物等。如此形成的栅极扫描电极512由于事先向贮存格511提供充足的疏液性，所以可不从沟槽511a中溢出地形成细微的配线图案。
通过以上工序，在基板510上形成具备贮存格511与栅极扫描电极512构成的平坦上面的由银(Ag)构成的第1导电层Al。
另外，为了得到沟槽511a内的良好的喷出结果，如图13所示，最好采用准锥形(向喷出源头打开的锥形)，作为该沟槽511a的形状。由此，可使喷出的液滴充分进入，直到最深处。
接着，如图14所示，通过等离子体CVD法，进行栅极绝缘膜513、活性层521、接触层509的连续成膜。通过使原料气体或等离子体条件变化，形成氮化硅膜作为栅极绝缘膜513，非晶硅膜作为活性层521，n+型硅膜作为接触层509。在由CVD法形成的情况下，必需300-350℃的热历史，但通过在贮存格中使用无机类的材料，可以避免关于透明性、耐热性的问题。
在接着上述半导体层形成工序的第2层的贮存格形成工序中，如图15所示，根据光刻法，在栅极绝缘膜513的上面，形成设置以1个象素的1/20～1/10且与所述沟槽511a交叉的沟514a的第2层贮存格514。作为该贮存格514，在形成后必需具备光透过性和疏液性，作为原料，除丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、三聚氰氨树脂等高分子材料外，最好使用聚硅氮烷等无机类材料。
为了使形成后的贮存格514具有疏液性，必需实施CF4等离子体处理等(使用具有氟成分的气体的等离子体处理)，但也可代之以事先向贮存格514的原料本身填充疏液成分(氟代基等)。此时，可以省略CF4等离子体处理等。
作为如上所述疏液化后的贮存格514相对喷出油墨的接触角，最好确保为40°以上。
在接着上述第2层贮存格形成工序的源极、漏电极形成工序(第2次导电性图案形成工序)中，为了充满作为由贮存格514区分的描绘区域的所述沟槽514a内，通过喷墨喷出包含导电性材料的液滴，从而如图16所示，形成与所述栅极扫描电极512交叉的源电极515和源电极516。之后，当形成源电极515和漏电极516时，适用根据本发明的器件制造方法。
作为此时的导电性材料，最好适宜采用Ag、Al、Au、Cu、钯、Ni、W-Si、导电性聚合物等。如此形成的源电极515和漏电极516由于事先向贮存格514提供充足的疏液性，所以能够不从沟槽514a中溢出地形成细微的配线图案。
另外，配置绝缘材料517，以埋入配置源电极515和漏电极516的沟槽514a。通过以上工序，在基板510上形成由贮存格514和绝缘材料517构成的平坦上面520。
另外，在绝缘材料517上形成接触孔519的同时，在上面520上形成图案形成后的象素电极(ITO)518，并经接触孔519连接漏电极516与象素电极518，从而形成TFT。
(实施方式5)图17是表示液晶显示装置的其它实施方式的图。
图17所示的液晶显示装置(电光学装置)901大体上备有彩色的液晶面板(电光学面板)902、和连接于液晶面板上的电路基板903。另外，必要时，在液晶面板902上附设有背光灯等照明装置等附带设备。
液晶面板902具有由密封材料904粘接的一对基板905a和基板905b，在形成于这些基板905b与基板905b之间的间隙、所谓的单元间隙中封入液晶。这些基板905a和基板905b一般由透光性材料、例如玻璃、合成树脂等形成。在基板905a和基板905b的外侧表面粘贴偏振光板906a和另一个偏振光板。另外，图17中，省略另一个偏振光板的图示。
另外，在基板905a的内侧表面形成有电极907a，在基板905b的内侧表面形成电极907b。这些电极907a、907b形成为带状或文字、数字等适当的图案状。另外，这些电极907a、907b，例如由ITO等透光性材料形成。基板905a具有向基板905b扩张的扩张部，在该扩张部中形成有多个端子908。这些端子908在基板905a上形成电极907a时与电极907a同时形成。因此，这些端子908例如由ITO形成。在这些端子908中包含从电极907a一体延伸的和经导电材料(未图示)连接于电极907b上的端子。
在电路基板903中，在配线基板909上的所定位置上安装有作为液晶驱动用IC的半导体元件900。另外，虽省略图示，但也可以在安装半导体元件900的部位之外的部位的所定位置上安装电阻、电容等芯片部件。通过图案形成在例如聚酰亚胺等具有挠性的膜状基底基板911上形成的Cu等金属膜，之后形成配线图案912，以制造配线基板909。
在本实施方式中，通过上述器件制造方法来形成液晶面板902中的电极907a、907b和电路基板903中的配线图案912。
根据本实施方式的液晶显示装置，可得到实现小型、薄型化、不产生电特性不均匀的高品质的液晶显示装置。
另外，上述实例是无源型液晶面板，但也可以是有源矩阵型的液晶面板。即，在一个基板上形成薄膜晶体管(TFT)，对各TFT形成象素电极。另外，如上所述，使用喷墨技术来形成电连接于各TFT上的配线(栅极配线、源极配线)。另一方面，在相对向基板上形成相对向电极等。这种有源矩阵型的液晶面板也可适用本发明。
(实施方式6)下面，说明作为本发明的电光学装置一例的等离子体型显示装置，作为实施方式6。
图18表示本实施方式的等离子体型显示装置500的分解立体图。
等离子体型显示装置500包含彼此相对向而配置的基板501、502和形成于其间的放电显示部510。
放电显示部510集合多个放电室516。多个放电室516中，红色放电室516(R)、绿色放电室516(G)、蓝色放电室516(B)这三个放电室516成对配置，构成1个象素。
在基板501的上面，以所定间隔将地址电极511形成带状，形成有电介质层519，以覆盖地址电极511与基板501的上面。
在电介质层519上，位于地址电极511、511之间且沿各地址电极511那样地形成有隔壁515。隔壁515包含在地址电极515的宽度方向左右两侧邻接的隔壁、和在与地址电极511正交的方向上延伸设定的隔壁。另外，对应于由隔壁515分割的长方形区域，形成放电室516。
另外，在由隔壁515分割的长方形区域的内侧配置有荧光体517。荧光体517发出红、绿、蓝之任一的荧光，分别在红色放电室516(R)的底部配置有红色荧光体517(R)，在绿色放电室516(G)的底部配置绿色荧光体517(G)，在蓝色放电室516(B)的底部配置蓝色荧光体517(B)。
另一方面，在基板502中，沿与在先的地址电极511正交的方向，以所定间隔将多个显示电极512形成为带状。并且，覆盖这些电极地形成电介质层513、和由MgO等构成的保护膜514。
使基板501与基板502相对向而彼此贴合，使所述地址电极511…与显示电极512…彼此正交。
将上述地址电极511与显示电极512连接于未图示的交流电源上。通过向各电极通电，放电显示部510中荧光体517激励发光，可进行彩色显示。
在本实施方式中，分别根据上述器件制造方法来形成上述地址电极511和显示电极512，所以可得到实现小型、薄型化、不产生电特性不均匀的高品质的等离子体型显示装置。
(实施方式7)接着，作为实施方式7，说明非接触型卡介质的实施方式。如图19所示，根据本实施方式的非接触型卡介质(电子仪器)400在由卡基体402与卡盖418构成的壳体内内置半导体集成电路芯片408与天线电路412，通过未图示的外部收发信机与电磁波或静电电容耦合至少之一方来进行供电或数据传递等至少之一方。
在本实施方式中，上述天线电路412通过根据上述实施方式的器件制造方法来形成。
根据本实施方式的非接触型卡介质，可以得到实现小型、薄型化、不产生电特性不均匀的高品质的非接触型卡介质。
作为根据本发明的器件(电光学装置)，除上述外，也可适用于利用通过在形成于基板上的小面积的薄膜中、平行于膜面地流过电流、产生电子放出现象的表面传导型电子放出元件等。
(实施方式8)
作为实施方式8，说明本发明的电子仪器的具体例。
图20A是表示移动电话机之一例的立体图。图20A中，符号600表示移动电话机主体，符号601表示具备上述实施方式的液晶显示装置的液晶显示部。
图20B是表示字处理器、个人计算机等便携型信息处理装置之一例的立体图。图20B中，符号700表示信息处理装置，符号701表示键盘等输入部，符号703表示信息处理主体，符号702表示具备上述实施方式的液晶显示装置的液晶显示部。
图20C是表示手表型电子仪器之一例的立体图。图20C中，符号800表示手表主体，符号801表示具备上述实施方式的液晶显示装置的液晶显示部。
图20A～图20C中所示的电子仪器具备上述实施方式的液晶显示装置，可进行小型化、薄型化和高品质化。
另外，本实施方式的电子仪器具备液晶装置，但也可以是具备有机场致发光显示装置、等离子体型显示装置等其它电光学装置的电子仪器。
以上参照
了根据本发明的最佳实施方式例，但不用说，本发明不限于这些实例。上述实例中所示各构成部件的各形状或组合等是一例，在不脱离本发明的精神的范围下，可根据设计要求等进行各种变更。
例如，在上述实施方式中，在贮存格B2之间形成虚设图案DP，但不限于此，也可以构成为不在虚设区域PO中形成贮存格B2，而配线虚设图案DP，并且不必以一体线性配线虚设图案，也可以是由间隔开配置的多个点构成的图案。
另外，在上述实施方式中，沿电极图案EP的排列参数来形成虚设图案DP，但不限于此，也可以其它排列参数来形成虚设图案DP。另外，在上述实施方式、例如图3A中，示出以相同长度形成电极图案EP与虚设图案DP，但不限于此，就虚设图案DP而言，如图3B所示，最好是在长度方向上分别从电极图案EP两端突出的长度形成。
此时，即使是电极图案的长度方向，也可以缓和电极图案的干燥的不均匀性，使膜厚一定。
并且，在上述实施方式中，说明以一定间距排列电极图案EP的结构，但也可以是以各不相同的多个间距排列的构成。此时，最好以平均这些多个间距的间距来形成虚设图案DP。由此，可以防止电极图案间溶剂蒸气浓度差变得不均匀。
另外，说明了上述实施方式中形成的第2导电性膜为虚设图案，但不限于此，也可以通过在端部设置连接端子来用作与电极图案不同的连接配线。
并且，导电性膜和第2导电性膜未必由相同材料形成，也可以由不同材料来形成。
另外，上述实施方式中，使用使导电性微粒子分散到分散介质中的分散液构成的功能液，但不限于此，也可以使用例如在图案形成后通过加热等热处理或光照射等光处理发现导电性的材料。
权利要求
1.一种器件的制造方法，其中，具有在基板上的所定图案形成区域形成贮存格的工序；向所述贮存格间的沟槽内喷出液滴，形成导电性膜的工序；和向所述图案形成区域的外侧喷出液滴，形成与所述导电性膜电分离的第2导电性膜的工序。
2.一种器件，其中，具备基板；形成于所述基板上的贮存格；通过喷出液滴形成于所述贮存格间的沟槽内的所定图案形成区域内的导电性膜，；和第2导电性膜，其配置在所述图案形成区域的外侧，并且与所述导电性膜电分离，并通过喷出液滴形成。
3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于所述第2导电性膜，在所述图案形成区域的外侧中已形成的第2贮存格间的沟槽内形成。
4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于所述贮存格与所述第2贮存格的至少一方，具有比各自之间的沟槽高的疏液性。
5.根据权利要求2所述的器件，其特征在于所述第2导电性膜，由与所述导电性膜相同的材料形成。
6.根据权利要求2所述的器件，其特征在于所述第2导电性膜，以与所述导电性膜大致相同的排列、且连续形成。
7.根据权利要求2所述的器件，其特征在于所述导电性膜，以各不相同的多个间距排列，所述第2导电性膜，以平均所述多个间距的间距来排列。
8.根据权利要求2所述的器件，其特征在于所述第2导电性膜，以在所述导电性膜的长度方向上分别从该导电性膜的两端突出的长度形成。
9.根据权利要求2所述的器件，其特征在于所述第2导电性膜的端部是连接端子。
10.根据权利要求2所述的器件，其特征在于所述液滴包含金属微粒子。
11.根据权利要求2所述的器件，其特征在于所述液滴，包含通过加热或光照射而呈现导电性的材料。
12.一种电光学装置，其中，具备权利要求2所述的器件。
13.一种电子仪器，其中，具备权利要求12所述的电光学装置。
14.一种有源矩阵基板的制造方法，具有第1工序，在基板上形成栅极配线；第2工序，在所述栅极配线上形成栅极绝缘膜；第3工序，隔着所述栅极绝缘膜来层叠半导体层；第4工序，在所述栅极绝缘层上形成源电极和漏电极；第5工序，在所述源电极和所述漏电极上配置绝缘材料；和第6工序，在配置了所述绝缘材料之上形成象素电极，其中，在所述第1工序和所述第4工序及所述第6工序的至少一个工序中，使用权利要求1所述的器件制造方法。
全文摘要
提供一种器件，是在基板上形成贮存格，并通过液滴喷出在所述贮存格之间的沟槽内的所定图案形成区域形成导电性膜的器件，其中，在所述图案形成区域的外侧，通过液滴喷出形成与所述导电性膜电分离的第2导电性膜。
文档编号H05B33/10GK1573493SQ200410047688
公开日2005年2月2日 申请日期2004年5月26日 优先权日2003年5月30日
发明者长谷井宏宣 申请人:精工爱普生株式会社