专利名称：压电装置及压电基板的制造方法
技术领域：
本发明涉及具有在包围振动片的框部上形成引出电极的压电基板的压电装置及压电基板的制造方法。
背景技术：
存在具有包含振动片、包围该振动片的框部以及从框部支撑振动片的支撑部的压电基板，在框部的上下面接合盖部及底部的3张重合的压电装置。在这种压电装置中，由于能够以形成多个压电基板、盖部及底部的晶片单位进行制造，因此能够一次性地制造大量的压电装置。例如，在专利文献1(日本特开2009-260739号公报)中公开了在框部的上下面分别接合盖部及底部的3张重合的压电装置。可是，在专利文献1所公开的压电装置中，由于贯通槽部的宽度形成得较宽，因此可能会使其周边的框部的宽度变窄、强度变弱。另外，从四边形的振动片的一边侧观察，存在励振电极和引出电极部分重合的区域。若存在这种励振电极和引出电极部分重合的区域，则会对振动片的振动特性产生影响、会使压电装置的CI (晶体阻抗)值变差。若为了消除励振电极和引出电极部分重合的区域，而减小励振电极的面积，则会使振动特性变差。因此，为了得到稳定的振动特性，应该尽量使振动片的大小变大的同时，使励振电极的面积变大。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供引出电极以不影响振动片的振动特性的方式形成在支撑部的侧面的压电装置的同时，在支撑部的侧面具有引出电极的压电基板的制造方法。第1观点的压电装置，具备具有在第1主面及第2主面形成有一对励振电极的四边形的振动片、包围该振动片的框部、在形成于所述振动片和所述框部之间的具有规定宽度的贯通槽部上连接并支撑所述振动片和所述框部的支撑部、以及从所述一对励振电极通过所述支撑部形成至所述框部的一对引出电极的压电基板；接合在所述框部的所述第1 主面的盖部；以及包含接合在所述框部的所述第2主面的底面和所述底面的相反侧的实装面的底部。另外，从所述振动片的四边形的第1边方向及与该第1边交叉的第2边方向观察，形成在所述第1主面的引出电极在不与所述振动片的励振电极重合的区域上通过所述规定宽度的贯通槽部的侧面延伸至所述第2主面。第2观点的压电装置，根据第1观点，所述框部的外边为四边形，所述底部具有形成在从底面至所述实装面之间的侧面的一对侧槽，在所述实装面形成有一对外部电极，在所述一对侧槽上形成有与所述一对外部电极连接的一对导通电极。第3观点的压电装置，根据第1观点或第2观点，所述支撑部具有第1支撑部和从所述第1支撑部隔着所述贯通槽部而配置的第2支撑部，所述第1支撑部和所述第2支撑部形成在所述振动片的四边形的角上或所述第1边的中间。第4观点的压电装置，根据第1观点或第2观点，所述支撑部具有第1支撑部和从所述第1支撑部隔着所述贯通槽部而配置的第2支撑部，所述第1支撑部和所述第2支撑部配置在所述振动片的四边形的对角线上。第5观点的压电装置，根据第1观点至第4观点，所述规定宽度的贯通槽部仅以湿刻从所述第1主面贯通至所述第2主面所需的宽度形成，比所述框部的宽度更窄。第6观点的压电装置，根据第1观点至第5观点，形成在所述第1主面的引出电极与形成在所述第2主面的引出电极相比形成在所述框部上的引出电极的长度短。第7观点的制造压电基板的压电基板的制造方法，具备在由压电材料构成的压电晶片上残留四边形的振动片、包围该振动片的框部以及连接并支撑所述振动片和所述框部的支撑部而形成规定宽度的贯通槽部的贯通槽部形成工序；在所述压电晶片的第1主面、第2主面及所述规定宽度的贯通槽部的侧面形成金属膜的金属膜形成工序；在所述金属膜的表面形成曝光用的光致抗蚀剂的光致抗蚀剂形成工序；以及以在所述振动片的所述第1主面及所述第2主面上形成一对励振电极和从所述一对励振电极通过所述支撑部形成至所述框部的一对引出电极的方式通过掩膜进行曝光的曝光工序。另外，以从所述振动片的四边形的第1边方向及与该第1边交叉的第2边方向观察，形成在所述第1主面的引出电极在不与所述振动片的励振电极重合的区域上通过所述规定宽度的贯通槽部的侧面延伸至所述第2主面的方式形成所述掩膜。第8观点的压电基板的制造方法，根据第7观点，若所述光致抗蚀剂为正向型，则所述掩膜对不与所述振动片的励振电极重合的区域进行遮光，瑞所述光致抗蚀剂为负向型，则所述掩膜对不与所述振动片的励振电极重合的区域进行开口。第9观点的压电基板的制造方法，根据第7观点或第8观点，所述支撑部具有第1 支撑部和从所述第1支撑部隔着所述贯通槽部而配置的第2支撑部，形成在所述贯通槽部的侧面的所述引出电极仅配置在所述第1支撑部或所述第2支撑部的一方且其单侧侧面。根据本发明，能够提供具有在包围振动片的框部上形成引出电极的压电基板，以不影响振动片的振动特性的方式形成引出电极，较大地形成振动片的压电装置及压电基板的制造方法。
图1是压电装置100的分解立体图。图2(a)是压电装置100的剖视图。图2(b)是盖部10的俯视图。图2(c)是底部20的俯视图。图3 (a)是压电基板30的俯视图。图3 (b)是压电基板30a的俯视图。
图4 (a)是压电基板30b的俯视图。图4 (b)是压电基板30c的俯视图。图5 (a)是压电基板30d的俯视图。图5 (b)是压电基板30e的俯视图。图6是压电基板30f的俯视图。图7(a)是图2(a)的虚线D所包围的区域的放大图。
图7(b)是压电基板30与底部20a的接合部的放大剖视图。图7(c)是以引出电极36和连接电极沈接触的方式形成的压电装置的压电基板 30和底部20b的接合部的放大剖视图。图7(d)是以引出电极36和连接电极沈不直接接触的方式形成的压电装置的压电基板30和底部20b的接合部的放大剖视图。图8是表示压电基板30的制造方法的流程图。图9(a)是第1掩膜44a的概略俯视图。图9(b)是第1掩膜4 和压电晶片W30重合时的概略俯视图。图10(a)是图9(b)的点划线E所包围的区域的放大图。图10(b)是形成在压电晶片W30上的压电基板30d的俯视图。图11 (a)是第2掩膜44b的概略俯视图。图11 (b)是第2掩膜44b和压电晶片W30重合时的概略俯视图。图中10-盖部，11J4-凹部，20-底部，21-外部电极，22-侧槽，23-导通电极，25a-底面，25b-实装面，26-连接电极，30-压电基板，31-振动片，32-框部，33-支撑部，33a_第1支撑部，33b-第2支撑部，34、34a-贯通槽部，35a-第1励振电极，35b-第2励振电极，36a-第 1引出电极，36b-第2引出电极，37-电极引出部，38a-第1主面，38b_第2主面，39a_第 1边，39b-第2边，40-封装材料，41-空腔，42-金属膜，43-光致抗蚀剂，44a-第1掩膜， 44b-第2掩膜，45-定向面，46a-铬(Cr)层，46b_金(Au)层，47a_第1掩膜区域，47b_第 2掩膜区域，50-表面电极，100-压电装置，W30-压电晶片。
具体实施例方式以下，基于附图详细地对本发明的最优的实施方式进行说明。此外，只要在以下的说明中不存在特别限定本发明的意思，则本发明的范围并不限于这些实施方式。〈压电装置100的构成〉图1是压电装置100的分解立体图。压电装置100由盖部11、底部20及压电基板 30构成。压电基板30例如使用AT切割的水晶材料。AT切割的水晶材料是主面( 面) 相对于晶轴(XYZ)的Y轴，以X轴为中心从Z轴方向朝向Y轴方向倾斜了 35度15分。以下，将AT切割的水晶材料的轴方向为基准，将倾斜的新的轴作为Y’轴及V轴而使用。艮口， 在压电装置100中将压电装置100的长度方向作为X轴方向，将压电装置100的高度方向作为Y’轴方向，将与X及Y’轴垂直的方向作为Ζ’轴方向进行说明。压电基板30主要由四边形的振动片31和包围振动片31的框部32形成。另外， 在振动片31和框部32之间形成有以规定的宽度在Y’轴方向上贯通压电基板30的贯通槽部34。在贯通槽部34在振动片31的-X轴侧形成有连接并支撑振动片31和框部32的支撑部33。压电基板30具有两个主面，将+Y’轴侧的主面作为第1主面38a，将-Y’轴侧的主面作为第2主面38b。在振动片31的第1主面38a上形成第1励振电极35a，在第2主面38b上形成第2励振电极35b。另外，第1引出电极36a从第1励振电极3 通过支撑部 33及支撑部的侧面形成至框部32的第2主面38b的-X轴侧、-V轴侧的角32a。第2引出电极36b从第2励振电极3 通过支撑部33形成至框部32的第2主面38b的+X轴侧、
6+Ζ，轴侧的角32b。压电基板30在框部32的第1主面38a上与盖部10接合，在框部32的第2主面3 上与底部20接合。底部20具有接合在底部20的+Y’轴侧的面的压电基板30的框部32的第2主面 38b上的底面2 和底面25a的相反侧的实装面25b，并且在实装面2 上形成有外部电极 21。另外，在底部20的四角从底面2 至实装面2 之间的侧面形成有侧槽22。在侧槽 22上形成有导通电极23，导通电极23与外部电极21连接。另外，底部20在+Y’轴侧的面具有凹部M。盖部10的-Y’轴侧面与框部32的第1主面38a连接。盖部10在-Y’轴侧的面具有凹部11。压电装置100的振动片31配置在由凹部11和凹部M形成的空腔41 (参照图2(a))内。图2(a)是压电装置100的剖视图。另夕卜，图2 (a)是图1的A-A剖视图。盖部10 与压电基板30、压电基板30与底部20分别由封装材料40进行接合。封装材料40例如包含低熔点玻璃、环氧树脂及聚亚胺树脂的粘接剂等。另外，接合底部20和压电基板30之后， 表面电极50通过喷镀或无电解镀金形成在外部电极21的表面及侧槽22。表面电极50以相互电连接外部电极21、导通电极23以及第1引出电极36a或第2引出电极36b的方式形成。第1引出电极36a还形成在作为贯通槽部34的侧面的一部分的电极引出部37上，从形成在第1主面38a的第1引出电极36a连接至形成在第2主面38b的第1引出电极36a。图2(b)是盖部10的俯视图。盖部10，主面以四边形形状形成。另外，在-Y’轴侧的面上形成有凹部11，凹部11的周边区域通过封装材料40接合在框部32的第1主面38a 上。图2(c)是底部20的俯视图。底部20，主面为四边形形状，在四角上形成侧槽22， 在侧槽22上形成导通电极23 (参照图2(a))。另外，在底部20的+Y’轴侧的面的底面25a 上形成四边形的凹部24，凹部M的周围区域与压电基板30的框部32接合。<压电基板30及其变形例>压电基板30能够以各种形状形成。以下，对作为压电基板30及其压电基板30的变形例的压电基板30a至压电基板30f进行说明。图3(a)是压电基板30的俯视图。形成在压电基板30上的第1引出电极36a从第1励振电极3 通过支撑部33 (被图中的点划线所夹持的区域)及贯通槽部34的侧面的一部分的电极引出部37形成至框部32的第2主面38b的角3 上。另外，第2引出电极 36b从第2励振电极3 通过支撑部33形成至框部32的第2主面38b的角32b上。第1 引出电极36a的长度形成比第2引出电极36b的长度还要短。另外，若将框部32的+Z’轴侧及-V轴侧的宽度设为Wz，将框部32的+X轴侧及-X轴侧的宽度设为ffx，则宽度Wz与宽度fe以相同的宽度形成。再有，若将贯通槽部34的垂直于Z’轴的部分的宽度设为Mz， 将贯通槽部；34的垂直于X轴的部分的宽度Mx，则宽度Mz与宽度Mx以相同的宽度形成。将第1励振电极3 及第2励振电极35b的垂直于V轴的边设为第1边39a，将垂直于X轴的边设为39b，将第1边39a的长度设为Rz，将第2边39b的长度设为Rx。第1边39a的长度Rz及第2边39b的长度Rx与振动片31的X轴及Z’轴方向的大小吻合，尽可能大地形成。这是因为能够得到稳定的振动频率。另外，当从垂直于Y’轴的Z’轴方向观察压电基板30的情况下，电极引出部37的第1引出电极36a与励振电极35的第1边39a不重合，当从垂直于Y’轴的X轴方向观察压电基板30的情况下，电极引出部37的第1引出电极36a 与励振电极35的第2边39b不重合。这是因为，若形成在电极引出部37的第1引出电极 36a与第1励振电极3 及第2励振电极3 的第1边39a或第2边39b重合，则会使侧面的电极引出部37的第1引出电极36a的振动特性恶化。压电基板30，较大地形成振动片31，与此同时较大地形成励振电极35，由此能够得到稳定的振动频率。因此，贯通槽部34最好使其宽度较小地形成，较大地形成振动片31 的大小。所以，贯通槽部34最好是能够以湿刻或喷砂等来贯通的最小宽度。另外，考虑到压电基板30的强度，最好使贯通槽部34的宽度一定。另外，形成在电极引出部37的第1引出电极36a的金属厚度，由于是侧面因此难以通过喷镀或真空蒸镀形成，容易变薄。因此，第1引出电极36a的整体的电阻值容易变得比第2引出电极36b的电阻值大。所以，通过使形成在电极引出部37上的第1引出电极 36a的长度比第2引出电极36b的长度短，使第1引出电极36a的电阻值与第2引出电极 36b的电阻值的差变小。再有，虽然在底部20上形成侧槽22，但是在压电基板30上不形成侧槽。当在压电基板上形成侧槽的情况下，考虑到底部20与压电基板的接合时产生的位置偏移，需要较大地制造侧槽，在这种情况下，相对于压电基板的落下等地冲击等地强度变弱。由于在压电基板30上没有形成侧槽，因此能够较强地保证相对于落下等的冲击等的强度。另外，压电基板30与后述的压电基板30的变形例相比，由于支撑部33与振动片31及框部32连接的部分的长度较长，因此相对于较高地落下等的冲击等的刚性较强。图3(b)是压电基板30a的俯视图。压电基板30a是压电基板30的变形例，支撑部33的V轴方向的长度形成得比压电基板30还短。因此，沿贯通槽部34的槽的长度比压电基板30还长。另外，在压电基板30a中贯通槽部34的宽度Mz与宽度Mx也相同地形成。压电基板30a通过使支撑部33的Z’轴方向的长度变短，能够容易封闭产生于振动片 31的振动能量，并且使CI值降低。另外，由于能够更宽地取得可以形成电极引出部37的区域，因此能够使形成在电极弓丨出部37的电极的电阻值变小。图4(a)是压电基板30b的俯视图。压电基板30b通过第1支撑部33a及形成在第1支撑部33a的+Z’轴方向的第2支撑部33b的两个支撑部支撑振动片31。在第1支撑部33a上形成有第1引出电极36a，在第2支撑部3 上形成有第2引出电极36b。在压电基板30b的第1支撑部33a与第2支撑部3 之间也以宽度Mx形成有贯通槽部34，贯通槽部34的宽度Mz与宽度Mx相同地形成。在压电基板30b中，由于支撑部33a、3 与振动片31连接的区域小于压电基板30的区域，因此容易封闭产生于振动片31的振动能量，能够较低地抑制CI值。另外，在从垂直于Y’轴的Z’轴方向观察压电基板30b情况下，电极引出部37的第1引出电极36a与励振电极35的第1面39a不重叠，在从垂直于Y’轴的X 轴方向观察压电基板30b的情况下，电极引出部37的第1引出电极36a与励振电极35的第2边39b不重叠。图4(b)是压电基板30c的俯视图。压电基板30c将压电基板30b的第1支撑部 33a向+Z’轴侧移动，将第2支撑部33b向-Z’轴侧移动而形成。因此，如图4(b)所示，能够形成电极引出部37的区域变宽，能够较大地取得形成在电极引出部37的电极的宽度，所以能够减小形成在电极引出部37的电极的电阻值。S卩，比起压电基板30b，压电基板30c能够较小地抑制第1引出电极36a的电阻值。另外，在从垂直于Y’轴的Z’轴方向观察压电基板30c的情况下，电极引出部37的第1引出电极36a与励振电极35的第1边39a不重叠，在从垂直于Y’轴的X轴方向观察压电基板30c的情况下，电极引出部37的第1引出电极36a与励振电极35的第2边39b不重叠。图5(a)是压电基板30d的俯视图。就压电基板30d而言，第1支撑部33a及第2 支撑部3 连接振动片31的角与框部32的内侧的角，互相相对于振动片31而配置在对角上而形成。另外，在从垂直于Y’轴的Z’轴方向观察压电基板30c的情况下，电极引出部37 的第1引出电极36a与励振电极35的第1边39a不重叠，在从垂直于Y’轴的X轴方向观察压电基板30c的情况下，电极引出部37的第1引出电极36a与励振电极35的第2边39b 不重叠。在压电基板30d中，为了能够尽量较宽地取得电极引出部37所形成的区域，最好使电极引出部37形成在第1支撑部33a的两侧。压电基板30d比起压电基板30b等的第 1支撑部33a与第2支撑部3 形成在振动片的同侧的压电基板，刚性得到提高。图5(b)是压电基板30e的俯视图。就压电基板30e而言，第1支撑部33a及第2 支撑部3 互相相对于振动片31配置在对角上而形成，以平行于X轴的方式形成。因此， 压电基板30e比起压电基板30d，由于在电极引出部37的位置上不存在贯通槽部34的锐角，因此容易通过蚀刻或喷砂等形成贯通槽部34。另外，容易在电极引出部37上形成规定厚度的第1引出电极36a。图6是压电基板30f的俯视图。压电基板30f在振动片31及贯通槽部34的一部分上形成曲线。另外，贯通槽部34的宽度Mz及宽度Mx相同，电极引出部37与将第1边 39a向+Z’轴方向及-Z’轴方向移动的区域及将第2边向+X轴方向及-X轴方向移动的区域不重叠地形成。振动片31、励振电极34及贯通槽部34其一部分也可以由曲线形成。例如，通过将框部32的贯通槽部34侧的角如6所示地形成曲线，能够使框部32的角的厚度变厚，能够提高框部32的刚性。<压电基板与底部的接合方法>压电基板与底部通过各种方法进行接合。另外，根据接合方法，形成在底部的电极的形状或形成电极的方法各不同。以下，参照图7，对形成在底部的电极以及压电基板与底部的接合方法进行说明。图7(a)是图2(a)的虚线D所包围的区域的放大图。形成在压电基板30及底部 20的电极由铬(Cr)层46a和金(Au)层46b构成。首先，铬层46a形成在压电基板30及底部20上，在铬层46a的表面形成金层46b。铬层46a为了加强与压电基板30及底部20 的接合强度而形成，金层46b可以防止因铬层46a的氧化而引起的电阻值的上升。另外，压电基板30与底部20通过封装材料40相互接合。封装材料40例如使用低熔点玻璃、环氧树脂及聚亚胺树脂的粘接剂。在图7(a)中，压电基板30与底部20通过封装材料40进行接合，之后，表面电极50通过喷镀及无电解镀金等方法形成。表面电极50通过形成在外部电极21及侧槽22上而形成在引出电极36的一部分、外部电极21以及导通电极23的表面上，并相互电连接。图7(b)是压电基板30与底部20a的接合部的放大剖视图。在图7(b)中，首先， 压电基板30与底部20a通过封装材料40相互接合。此时，虽然在压电基板30上形成引出电极36，但是在底部20a上不形成外部电极21以及导通电极23等的电极。接合了压电基板30与底部20a之后，通过喷镀等在形成外部电极21的位置与侧槽22上形成铬层46a、 金层46b。该铬层46a及金层妨b成为外部电极21及导通电极23。另外，铬层46a及金层 46b还同时形成在引出电极36上，因此能够使外部电极21及导通电极23与引出电极36电连接。图7(c)是以引出电极36与连接电极沈相接触的方式形成的压电装置的压电基板30与底部20b的接合部的放大剖视图。在底部20b上，在外部电极21、导通电极23及底面2 上形成连接电极沈，并相互电连接。底部20b与压电基板30以连接电极沈与引出电极36相接触、并电连接的状态相互接合。图7(d)是以引出电极36与连接电极沈不直接接触的方式形成的压电装置的压电基板30与底部20b的接合部的放大剖视图。图7(d)与图7(c)不同，压电基板30的引出电极36与底部20b的连接电极沈相互不直接地形成。在途7(d)中，通过封装材料40接合了压电基板30与底部20b之后，通过在外部电极21以及侧槽22上形成表面电极50而使引出电极36与外部电极21电连接。即使在图7(c)所示的直接接触了引出电极36与连接电极26的情况，能够通过形成表面电极50来防止因引出电极36与连接电极沈的接触不良引起的不合格品的产生。<压电基板30的制造方法>压电基板30通过在将压电材料作为基材的压电晶片W30上形成贯通槽部34、励振电极35及引出电极36进行制造。以下，参照图8的流程图，对在压电晶片W30上形成贯通槽部34、励振电极35及引出电极36而制造压电基板30的过程进行说明。图8是表示压电基板30的制造方法的流程图。图8(a)至图8(f)是用于说明流程图而参照的图，表示形成在压电晶片W30上的压电基板30、即图1所示的压电基板30的 A-A剖面。另外，表示与图2(a)的压电基板30相同部分的剖面。首先，在步骤SOOl中，在压电晶片W30上形成贯通槽部34。在图8(a)中，表示压电晶片W30的剖面的一部分。在步骤SOOl中，在该压电晶片W30上通过蚀刻形成贯通槽部 34 (参照图8(b))。通过形成贯通槽部34，还形成贯通槽部34的侧面的一部分的电极引出部37。步骤SOOl是贯通槽部形成工序。其次，在步骤S002中，在压电晶片W30上形成金属膜42 (参照图8(c))。金属膜 42通过在包含贯通槽部34的侧面的整个压电晶片W30上形成铬膜，在铬膜上形成金膜而形成。步骤S002是金属膜形成工序。其次，步骤S003是在形成于压电晶片W30上的金属膜42的表面形成曝光用光致抗蚀剂43的光致抗蚀剂形成工序(参照图8 (d))。在以下的说明中，光致抗蚀剂43以显影后曝光部分被除去的正向型的光致抗蚀剂进行说明。其次，在步骤S004中，光致抗蚀剂43被曝光而显影。在光致抗蚀剂43的曝光工序中，使用了用于形成第1主面38a及电极引出部37的电极的第1掩膜4 和用于形成第 2主面38b的电极的第2掩膜44b。图9(a)是第1掩膜44a的概略俯视图。第1掩膜4 覆盖第1励振电极35a、形成在第1主面38a的第1引出电极36a及形成在电极引出部37的第1引出电极36a。在图 9(a)中，形成该掩膜的区域以第1掩膜区域47a进行表示。第1掩膜区域47a由区域47c 和区域47d形成，其中区域47c覆盖第1励振电极35a，区域47d覆盖形成在第1主面38a的第1引出电极36a及形成在电极引出部37的第1引出电极36a。在图9 (a)中，为了便于说明，仅图示了与3个压电基板30的第1掩膜区域47a。图9(b)是重合了第1掩膜4 与压电晶片W30时的概略俯视图。在图9(b)中， 在压电晶片W30的第1主面38a侧配置第1掩膜44a。因此，在图9(b)中，以实线表示第1 掩膜44a，以虚线表示压电晶片W30。在图9(b)中，为了便于说明，以虚线表示形成3处压电基板30的区域30g。在压电晶片W30上形成有定向面45，在确认压电晶片W30的晶轴方向时成为参考。第1掩膜44a以如下方式进行配置在区域30g的形成第1励振电极35a 的位置上重合区域47c，在区域30g的形成有底1引出电极36a的位置上重合区域47d，其中第1引出电极36a形成在第1主面38a及电极引出部37上。图10(a)是图9(b)的点划线E所包围的区域的放大图。另外，图10(a)表示形成在晶片上的一个压电基板30及配置在压电基板30的第1主面38a的第1掩膜区域47a。 在压电基板30上形成有贯通槽部34。在第1掩膜区域47a的与形成在电极引出部37的第1引出电极36a对应的区域仅覆盖了贯通槽部34的电极引出部37的上部的情况下，存在如下情况曝光光致抗蚀剂43时照射的包含紫外线的光相对于第1掩膜区域47a倾斜地射入，使得形成在电极引出部37的第1引出电极36a也被曝光。另外，在第1掩膜区域47a 相对于区域30g偏移的情况下，存在如下情况与形成在电极引出部37的第1引出电极36a 对应的区域没有被第1掩膜区域47a所覆盖。为了避免这些情况，第1掩膜区域47a的形成于电极引出部37的第1引出电极36a所形成的区域，以覆盖包含电极引出部37的贯通槽部34的端部(贯通槽部的3个边)的方式形成。在图10(a)中，该第1掩膜区域47a以区域47e表示。通过该区域47e可以防止相对于第1掩膜区域47a倾斜地射入的包含紫外线的光，可以防止以第1掩膜区域47a的偏移为起因的形成于电极引出部37的光致抗蚀剂 43被曝光。图10(b)是形成在压电晶片W30上的压电基板30d的俯视图。配置在压电基板 30d上的第1掩膜区域47a的形状以覆盖压电基板30d的第1励振电极35a、形成在第1主面38a的第1引出电极36a及形成在电极引出部37的第1引出电极36a的方式形成。与图10 (a)相同，第1掩膜区域47a包含区域47e，其中区域47e为包含电极引出部37的贯通槽部34上的虚线所包围的区域。图11 (a)是第2掩膜44b的概略俯视图。第2掩膜44b覆盖第2励振电极35b、 形成在第2主面38b的第2引出电极36b、形成在第2主面38b的第1引出电极36a及形成在电极引出部37的第1引出电极36a。在图11(a)中，形成该掩膜的区域以第2掩膜区域47b表示。第2掩膜区域47b包括覆盖第2励振电极35b的区域47f ；覆盖形成于第2 主面38b的第2引出电极36b的区域47g ；以及覆盖形成于第2主面38b的第1引出电极 36a及形成于电极引出部37的第1引出电极36a的区域47h。如图11(a)所示，区域47h 包含区域47e，其中区域47e覆盖包含电极引出部37的整个贯通槽部34。为了便于说明， 图11 (a)仅表示了 3处第2掩膜区域47b。图11 (b)是重合了第2掩膜44b与压电晶片W30时的概略俯视图。在图11 (b)中， 表示在压电晶片W30的第2主面38b上配置第2掩膜44b的形态。另外，以实线表示形成 3处压电基板30的区域30g，以虚线表示第2掩膜区域47b。形成在压电基板30的第2主面38b的电极使用这种第2掩膜44b形成。
返回图8，在图8(e)中，表示步骤S004中进行的曝光的形态。在压电晶片W30的 +Y’轴侧的面上配置第1掩膜44a，在压电晶片W30的-Y’轴侧的面上配置第2掩膜44b。 在这种状态下，从+Y’轴侧的面及-Y’轴侧在压电晶片W30上照射包含紫外线的光，对光致抗蚀剂43进行曝光。没有被第1掩膜4 及第2掩膜44b覆盖的光致抗蚀剂43被包含紫外线的光曝光而显影。再有，除去形成在已显影的光致抗蚀剂43的下层的金属膜42。在图 8(e)中，以区域48表示除去的金属膜42及显影部分的光致抗蚀剂43。形成在电极引出部 37上的金属膜42及光致抗蚀剂43没有被除去而残留。在图8(f)中，表示在步骤S004之后从压电晶片W30除去全部光致抗蚀剂43的状态。另外，图8(f)是在压电晶片W30上形成图3(a)所示的压电基板30的状态。在图8中，虽然表示使用了正向型的光致抗蚀剂的例子，但是光致抗蚀剂43还可以使用负向型的光致抗蚀剂。正向型的光致抗蚀剂是显影后曝光部分被除去，而负向型的光致抗蚀剂是曝光后残留曝光部分。因此，在使用负向型的光致抗蚀剂的情况下，在图8至图11所示的第1掩膜4 及第2掩膜44b中，在第1掩膜区域47a及第2掩膜区域47所示的区域形成开口，除此之外的区域形成遮蔽包含紫外线的光的区域。以上，虽然对本发明的最优的实施方式进行了说明，但是在本领域技术人员的技术范围内，本发明可以在其技术范围内对实施方式进行各种变更、变形而实施。例如，虽然表示了将AT切割的水晶材料用作压电基板30的情况，但是同样也适用于进行厚度滑动模式振动的BT切割等。再有，压电基板30不仅适用水晶材料，还基本适用包含钽酸锂、铌酸锂或压电陶瓷的压电材料。另外，还能够适用于搭载压电基板和IC芯片的水晶振荡器。
权利要求
1.一种压电装置，具备具有在第1主面及第2主面形成有一对励振电极的四边形的振动片、包围该振动片的框部、在形成于所述振动片和所述框部之间的具有规定宽度的贯通槽部上连接并支撑所述振动片和所述框部的支撑部、以及从所述一对励振电极通过所述支撑部形成至所述框部的一对引出电极的压电基板；接合在所述框部的所述第1主面的盖部；以及包含接合在所述框部的所述第2主面的底面和所述底面的相反侧的实装面的底部， 从所述振动片的四边形的第1边方向及与该第1边交叉的第2边方向观察，形成在所述第1主面的引出电极在不与所述振动片的励振电极重合的区域上通过所述规定宽度的贯通槽部的侧面延伸至所述第2主面。
2.根据权利要求1所述的压电装置，其特征在于， 所述框部的外边为四边形，所述底部具有形成在从底面至所述实装面之间的侧面的一对侧槽， 在所述实装面形成有一对外部电极，在所述一对侧槽上形成有与所述一对外部电极连接的一对导通电极。
3.根据权利要求1或2所述的压电装置，其特征在于，所述支撑部具有第1支撑部和从所述第1支撑部隔着所述贯通槽部而配置的第2支撑部，所述第1支撑部和所述第2支撑部形成在所述振动片的四边形的角上或所述第1边的中间。
4.根据权利要求1或2所述的压电装置，其特征在于，所述支撑部具有第1支撑部和从所述第1支撑部隔着所述贯通槽部而配置的第2支撑部，所述第1支撑部和所述第2支撑部配置在所述振动片的四边形的对角线上。
5.根据权利要求1至4的任意一项所述的压电装置，其特征在于，所述规定宽度的贯通槽部仅以湿刻从所述第1主面贯通至所述第2主面所需的宽度形成，比所述框部的宽度更窄。
6.根据权利要求1至5的任意一项所述的压电装置，其特征在于，形成在所述第1主面的引出电极与形成在所述第2主面的引出电极相比形成在所述框部上的引出电极的长度短。
7.—种制造压电基板的压电基板的制造方法，其特征在于，具备在由压电材料构成的压电晶片上残留四边形的振动片、包围该振动片的框部以及连接并支撑所述振动片和所述框部的支撑部而形成规定宽度的贯通槽部的贯通槽部形成工序；在所述压电晶片的第1主面、第2主面及所述规定宽度的贯通槽部的侧面形成金属膜的金属膜形成工序；在所述金属膜的表面形成曝光用的光致抗蚀剂的光致抗蚀剂形成工序；以及以在所述振动片的所述第1主面及所述第2主面上形成一对励振电极和从所述一对励振电极通过所述支撑部形成至所述框部的一对引出电极的方式通过掩膜进行曝光的曝光工序，以从所述振动片的四边形的第1边方向及与该第1边交叉的第2边方向观察，形成在所述第1主面的引出电极在不与所述振动片的励振电极重合的区域上通过所述规定宽度的贯通槽部的侧面延伸至所述第2主面的方式形成所述掩膜。
8.根据权利要求7所述的压电基板的制造方法，其特征在于，若所述光致抗蚀剂为正向型，则所述掩膜对不与所述振动片的励振电极重合的区域进行遮光，瑞所述光致抗蚀剂为负向型，则所述掩膜对不与所述振动片的励振电极重合的区域进行开口。
9.根据权利要求7或8所述的压电基板的制造方法，其特征在于，所述支撑部具有第1支撑部和从所述第1支撑部隔着所述贯通槽部而配置的第2支撑部，形成在所述贯通槽部的侧面的所述引出电极仅配置在所述第1支撑部或所述第2支撑部的一方且其单侧侧面。
全文摘要
本发明提供引出电极形成在支撑部的侧面的压电装置。压电装置(100)具备具有在第1主面(38a)及第2主面(38b)形成有一对励振电极(35a、35b)的振动片(31)、包围该振动片的框部(32)、在形成于振动片和框部之间的具有规定宽度的贯通槽部(34)上连接并支撑振动片和框部的支撑部(33)、以及从一对励振电极通过支撑部形成至框部的一对引出电极(36a、36b)的压电基板(30)；接合在第1主面的盖部(10)；以及包含接合在第2主面的底面(25a)和底面的相反侧的实装面的底部(20)。形成在第1主面的引出电极在不与振动片的励振电极重合的区域上通过规定宽度的贯通槽部的侧面延伸至第2主面。
文档编号H03H9/02GK102457241SQ20111030975
公开日2012年5月16日 申请日期2011年10月10日 优先权日2010年10月20日
发明者高桥岳宽 申请人:日本电波工业株式会社