聚3,8-二吲哚并吡咯及其制备方法和应用的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种聚3,8-二吲哚并吡咯及其制备方法和应用，其结构如下：其中，R1是C6～C20的烷基链；R2为C6～C20的烷基链或芳香基团，n为≥1的整数。其制备方法为将二(2-硝基-4-溴苯)吡咯衍生物和亚磷酸三乙酯或者三苯基膦反应，得到3,8-二溴吲哚并吡咯衍生物；在3,8-二溴吲哚并吡咯衍生物上接上烷基后，通过Miyaura反应再将3,8-二溴吲哚并吡咯转化为相应的硼酸酯，将3,8-二溴吲哚并吡咯和它的硼酸酯进行聚合反应，得到聚3,8-二溴吲哚并吡咯。本发明工艺可靠，合成步骤少。该聚合物具有可溶性，因而适合旋涂或者打印成膜，从而在电致发光、光伏电池、非线性光学和传感领域得到应用。
【专利说明】聚3, 8-二吲哚并吡咯及其制备方法和应用
【技术领域】
[0001] 本发明属于新型功能高分子材料，尤其是一种可溶性聚3, 8-二吲哚并吡咯，可广 泛用于电致发光、光伏电池、薄膜场效应晶体管、记忆材料和传感领域。
【背景技术】
[0002] 自1977年日本科学家白川英树发现聚乙炔导电以来，这种被称为"第四代高分子 材料"的导电聚合物以其突出的光电性能吸引了众多科学家进行研究。与具有相同或相近 用途的无机材料相比，导电高分子具有轻质、易加工等优点。由于这类材料结构的共轭特 性，使它能传输电荷、受激发光、从而能够或可能在许多电子或光电子器件上得到应用，如 高分子发光二极管、光伏电池、场效应管等。潜在的应用前景和广泛的应用领域促使科学家 竞相研究这类具有光电活性的共轭材料，如聚乙炔、聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、聚苯撑乙烯、 聚芴等。
【发明内容】
[0003] 本发明的目的在于提一种富含空穴传输基团的聚3, 8-二吲哚并吡咯。该聚合物 因为芳基上有长链的取代基团而可溶于各种溶剂，适合旋涂或者打印成膜，从而在光伏电 池、非线性光学和传感领域得到应用。
[0004] 同时，本发明还提供上述聚3, 8-二吲哚并吡咯的合成方法。
[0005] 本发明的目的通过以下技术方案实现：
[0006] 聚3, 8-二吲哚并吡咯，具有如下结构：
[0007]
【权利要求】
1. 聚3, 8-二吲哚并吡咯，其特征在于，具有如下结构：
其中，R1是C6?C20的烷基链；R2为C6?C20的烷基链或芳香基团，n为彡1的整数。
2. 根据权利要求1所述的聚3, 8-二吲哚并吡咯，其特征在于，所述R1为下列结构中的 一种： C6H13-, C8H17-, C10H21-, C12H25-. C16H33-. C20H410
3. 根据权利要求2所述的聚3, 8-二吲哚并吡咯，其特征在于，所述R1为下列结构中的 一种：
4. 根据权利要求1或2或3所述的聚3, 8-二吲哚并吡咯，其特征在于，所述芳香基团 为：
其中，R为CO?C20的烷基或者烷氧基。
5. 根据权利要求4所述的聚3, 8-二吲哚并吡咯，其特征在于，所述R为CH3、C2H7、C4H 9、 C6H13CK C8H170、C1(iH210、C12H 25CK C16H33O 或 C2(iH410。
6. 根据权利要求5所述的聚3, 8-二吲哚并吡咯，其特征在于，所述R为下列结构中的 一种：
7. 根据权利要求1或2或3所述的聚3, 8-二吲哚并吡咯，其特征在于，当R2为烷基链 时，结构选自上述R1中的一种。
8. 根据权利要求1?7任意一项所述聚3, 8-二吲哚并吡咯的制备方法，其特征在于， 将二（2-硝基-4-溴苯）吡咯衍生物和亚磷酸三乙酯或者三苯基膦反应，得到3, 8-二溴 吲哚并吡咯衍生物；在3, 8-二溴吲哚并吡咯衍生物上接上烷基后，通过Miyaura反应再将 3, 8-二溴吲哚并吡咯转化为相应的硼酸酯，将3, 8-二溴吲哚并吡咯和它的硼酸酯进行聚 合反应，得到聚3, 8-二溴吲哚并吡咯。
9. 根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述3, 8-二溴吲哚并吡咯衍生物通 过Suzuki或者Yamamoto方法聚合。
10. 权利要求1?7任意一项所述聚3, 8-二溴吲哚并吡咯的应用，其特征在于，所述 聚3, 8-二溴吲哚并吡咯应用于电致发光、光伏电池、非线性光学、薄膜场效应晶体管、记忆 材料和传感领域。
【文档编号】H01L51/30GK104341584SQ201410466573
【公开日】2015年2月11日 申请日期:2014年9月12日 优先权日:2014年9月12日
【发明者】莫越奇 申请人:华南理工大学