1.一种金属化穿透孔结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
形成一磊晶结构在一化合物半导体基板之上；
在所述磊晶结构的上表面划定一磊晶凹槽蚀刻区；
以至少一磊晶蚀刻介质自所述磊晶结构的上表面蚀刻所述磊晶凹槽蚀刻区内的所述磊晶结构以形成一磊晶凹槽，其中所述至少一磊晶蚀刻介质可蚀刻所述磊晶结构而无法蚀刻所述化合物半导体基板，藉此使得对于所述磊晶凹槽蚀刻区内的所述磊晶结构的蚀刻自动终止于所述化合物半导体基板，此时所述磊晶凹槽的底部为所述化合物半导体基板；
在所述磊晶结构之上以及所述磊晶凹槽的内表面形成一正面金属层，其中所述正面金属层覆盖住所述磊晶凹槽的内表面的所述磊晶结构及所述化合物半导体基板，且所述正面金属层覆盖住所述磊晶凹槽口周围的所述磊晶结构；
在所述化合物半导体基板的下表面划定一基板凹槽蚀刻区；
以至少一基板蚀刻介质自所述化合物半导体基板的下表面蚀刻所述基板凹槽蚀刻区内的所述化合物半导体基板以形成一基板凹槽，其中所述基板凹槽的底部与所述磊晶凹槽的底部至少部分相接触，其中所述至少一基板蚀刻介质可蚀刻所述化合物半导体基板而无法蚀刻所述磊晶结构且无法蚀刻所述正面金属层，藉此使得对于所述基板凹槽蚀刻区内的所述化合物半导体基板的蚀刻自动终止于所述磊晶结构及所述正面金属层或自动终止于所述正面金属层，此时所述基板凹槽的底部为所述磊晶结构及所述正面金属层，或所述基板凹槽的底部为所述正面金属层；以及
在所述化合物半导体基板之下以及所述基板凹槽的内表面形成一背面金属层，其中所述背面金属层覆盖住所述基板凹槽的内表面的所述化合物半导体基板、所述磊晶结构及所述正面金属层，或覆盖住所述基板凹槽的内表面的所述化合物半导体基板及所述正面金属层，使得所述背面金属层与所述正面金属层相接触而电性连接；
通过自所述磊晶结构的上表面划定所述磊晶凹槽蚀刻区并蚀刻出所述磊晶凹槽，可由所述磊晶结构的上表面更精准地对准所述磊晶凹槽的位置，藉此大幅地缩小所述正面金属层的面积。
2.根据权利要求1所述的金属化穿透孔结构的制造方法，其特征在于，所述化合物半导体基板由碳化硅SiC所构成。
3.根据权利要求2所述的金属化穿透孔结构的制造方法，其特征在于，所述至少一基板蚀刻介质包括一氟气F2，且以干蚀刻的方式蚀刻所述基板凹槽蚀刻区内的所述化合物半导体基板，以形成所述基板凹槽。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的金属化穿透孔结构的制造方法，其特征在于，所述磊晶结构包括至少一氮化镓层GaN，其中所述氮化镓层形成于所述化合物半导体基板之上。
5.根据权利要求4所述的金属化穿透孔结构的制造方法，其特征在于，所述至少一磊晶蚀刻介质包括一氯气Cl2，且以干蚀刻的方式蚀刻所述磊晶凹槽蚀刻区内的所述磊晶结构，以形成所述磊晶凹槽。
6.根据权利要求1所述的金属化穿透孔结构的制造方法，其特征在于，所述正面金属层为一源极电极。
7.根据权利要求6所述的金属化穿透孔结构的制造方法，其特征在于，所述源极电极沿着一源极电极长轴呈一长条状，所述源极电极具有一源极电极长度以及一源极电极宽度，其中所述源极电极长度与所述源极电极长轴呈平行。
8.根据权利要求7所述的金属化穿透孔结构的制造方法，其特征在于，所述源极电极宽度介于大于5μm且小于45μm之间。
9.根据权利要求8所述的金属化穿透孔结构的制造方法，其特征在于，所述源极电极宽度介于大于5μm且小于30μm之间。
10.根据权利要求7所述的金属化穿透孔结构的制造方法，其特征在于，所述磊晶凹槽沿着一磊晶凹槽长轴呈一长条状，所述磊晶凹槽具有一磊晶凹槽长度以及一磊晶凹槽宽度，其中所述磊晶凹槽长度与所述磊晶凹槽长轴呈平行，且所述磊晶凹槽长轴与所述源极电极长轴呈平行，且所述磊晶凹槽长度小于所述源极电极长度，所述磊晶凹槽宽度小于所述源极电极宽度。
11.根据权利要求10所述的金属化穿透孔结构的制造方法，其特征在于，所述磊晶凹槽宽度介于大于3μm且小于25μm之间。
12.根据权利要求11所述的金属化穿透孔结构的制造方法，其特征在于，所述磊晶凹槽宽度介于大于3μm且小于15μm之间。
13.根据权利要求6所述的金属化穿透孔结构的制造方法，其特征在于，所述磊晶凹槽的底部全部与所述基板凹槽的底部相接触。
14.一种金属化穿透孔结构，其特征在于，包括：
一化合物半导体基板，所述化合物半导体基板具有一基板凹槽，所述基板凹槽在所述化合物半导体基板的下表面具有一开口；
一磊晶结构，形成于所述化合物半导体基板之上，所述磊晶结构具有一磊晶凹槽，所述磊晶凹槽在所述磊晶结构的上表面具有一开口，其中所述基板凹槽的底部与所述磊晶凹槽的底部至少部分相接触，且其中所述磊晶凹槽与所述基板凹槽在所述磊晶结构与所述化合物半导体基板的交界面及其延伸平面为界；
一正面金属层，形成于所述磊晶结构之上以及所述磊晶凹槽的内表面，其中所述正面金属层覆盖住所述磊晶凹槽口周围的所述磊晶结构；以及
一背面金属层，形成于所述化合物半导体基板之下以及所述基板凹槽的内表面，其中所述背面金属层覆盖住所述基板凹槽的内表面的所述化合物半导体基板，所述正面金属层覆盖住所述磊晶凹槽的内表面的所述磊晶结构，且所述背面金属层与所述正面金属层在所述磊晶结构与所述化合物半导体基板的交界面及其延伸平面为界而相接触而电性连接，
通过使所述基板凹槽的底部与所述磊晶凹槽的底部至少部分相接触，藉此大幅地缩小所述正面金属层的面积。
15.根据权利要求14所述的金属化穿透孔结构，其特征在于，所述化合物半导体基板由碳化硅SiC所构成。
16.根据权利要求14至15中任一项所述的金属化穿透孔结构，其特征在于，所述磊晶结构包括至少一氮化镓层GaN，其中所述氮化镓层形成于所述化合物半导体基板之上。
17.根据权利要求14所述的金属化穿透孔结构，其特征在于，所述正面金属层为一源极电极。
18.根据权利要求17所述的金属化穿透孔结构，其特征在于，所述源极电极沿着一源极电极长轴呈一长条状，所述源极电极具有一源极电极长度以及一源极电极宽度，其中所述源极电极长度与所述源极电极长轴呈平行。
19.根据权利要求18所述的金属化穿透孔结构，其特征在于，所述源极 电极宽度介于大于5μm且小于45μm之间。
20.根据权利要求19所述的金属化穿透孔结构，其特征在于，所述源极电极宽度介于大于5μm且小于30μm之间。
21.根据权利要求18所述的金属化穿透孔结构，其特征在于，所述磊晶凹槽沿着一磊晶凹槽长轴呈一长条状，所述磊晶凹槽具有一磊晶凹槽长度以及一磊晶凹槽宽度，其中所述磊晶凹槽长度与所述磊晶凹槽长轴呈平行，且所述磊晶凹槽长轴与所述源极电极长轴呈平行，且所述磊晶凹槽长度小于所述源极电极长度，所述磊晶凹槽宽度小于所述源极电极宽度。
22.根据权利要求21所述的金属化穿透孔结构，其特征在于，所述磊晶凹槽宽度介于大于3μm且小于25μm之间。
23.根据权利要求22所述的金属化穿透孔结构，其特征在于，所述磊晶凹槽宽度介于大于3μm且小于15μm之间。
24.根据权利要求14所述的金属化穿透孔结构，其特征在于，所述磊晶凹槽的底部完全与所述基板凹槽的底部相接触。