技术总结
本发明提供一种金属化穿透孔结构及其制造方法，金属化穿透结构的制造方法包括：以可蚀刻磊晶结构而无法蚀刻化合物半导体基板的蚀刻介质自磊晶结构的上表面蚀刻基板之上的磊晶结构以形成磊晶凹槽，使蚀刻自动终止于基板；在磊晶结构之上以及磊晶凹槽的内表面形成正面金属层；以可蚀刻基板而无法蚀刻磊晶结构及正面金属层的蚀刻介质自基板的下表面蚀刻基板以形成基板凹槽，其中基板凹槽的底部与该磊晶凹槽的底部至少部分相接触，使蚀刻自动终止于磊晶结构及正面金属层或自动终止于正面金属层；以及在基板之下以及基板凹槽的内表面形成背面金属层，使该背面金属层与正面金属层相接触；从而大幅缩小正面金属层的面积，在应用时可大幅缩小元件的大小。
技术研发人员：花长煌;卓宜德;陈家豪
受保护的技术使用者：稳懋半导体股份有限公司
文档号码：201510169138
技术研发日：2015.04.10
技术公布日：2016.11.23