技术总结
本发明公开了一种制备厘米尺度下均匀单层的硫化钼的方法。该方法包括如下步骤：在惰性气氛中，按照气路由上游至下游的顺序，依次放置硫粉、钼的氧化物和云母基底，由室温升温后进行化学气相沉积，沉积完毕降温，即在所述云母基底上得到硫化钼。该方法结合了化学气相沉积的大面积制备以及范德华外延对于层厚的精确控制特点，所制得的单层硫化钼面积只受到管式炉腔体大小的限制，而层厚均匀性则可得到有效保障。另外，低压条件下硫化钼生长速度可有效控制，使所得到的单层硫化钼材料表现出与机械剥离样品可比的晶体质量。
技术研发人员：刘忠范;纪清清;张艳锋;师恩政;曹安源
受保护的技术使用者：北京大学
文档号码：201510206099
技术研发日：2015.04.27
技术公布日：2016.11.23