1.一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，包括：
衬底；
隔离结构，形成在所述衬底上；
鳍结构，在所述衬底之上延伸，其中，所述鳍结构嵌入在所述隔离结构中；以及
外延结构，形成在所述鳍结构上，其中，所述外延结构具有五边形形状，并且其中，所述外延结构和所述鳍结构之间的界面低于所述隔离结构的顶面。
2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，还包括：
栅极堆叠件结构，形成在所述鳍结构的中心部分上方；以及
栅极侧壁间隔件，邻近所述栅极堆叠件结构形成。
3.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，其中，所述外延结构形成在沟槽中，并且所述沟槽在所述隔离结构中具有在从约0.1nm至约50nm的范围内的深度。
4.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，其中，所述外延结构包括底面和邻接所述底面的第一表面，并且其中，所述底面和所述第一表面之间的角在从约90度至约175度的范围内。
5.根据权利要求4所述的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，其中，所述外延结构还包括邻接所述第一表面的第二表面，并且所述第一表面和所述第二表面之间的交点高于所述隔离结构的顶面。
6.根据权利要求5所述的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，其中，所述第一表面和所述第二表面之间的角在从约10度至约175度的范围内。
7.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，其中，所述外延结构包括源极/漏极结构。
8.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，其 中，所述外延结构包括第一宽度，所述鳍结构具有第二宽度，并且所述第一宽度大于所述第二宽度。
9.一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，包括：
衬底；
隔离结构，形成在所述衬底上；
鳍结构，在所述衬底之上延伸，其中，所述鳍结构从所述隔离结构突出；以及
外延结构，形成在所述鳍结构上，其中，所述外延结构包括底面和邻接所述底面的第一表面，并且其中，所述底面和所述第一表面之间的角在从约90度至约175度的范围内。
10.一种形成鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构的方法，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成隔离结构；
在所述衬底之上形成鳍结构，其中，所述鳍结构嵌入在所述隔离结构中；
在所述鳍结构的顶面和侧壁上形成鳍侧壁间隔件；
去除所述鳍侧壁间隔件以暴露所述鳍结构；
使所述鳍结构的部分和所述隔离结构的部分凹进以在所述隔离结构中形成沟槽；以及
从所述沟槽外延生长外延结构，其中，在所述鳍结构上方形成所述外延结构，并且其中，所述外延结构和所述鳍结构之间的界面低于所述隔离结构的顶面。