1.一种像素结构，包括：
基板；
第一绝缘层，形成于所述基板上；
氧化物半导体层，形成于所述第一绝缘层上；
像素电极，直接耦接至所述氧化物半导体层；
第二绝缘层，形成于所述像素电极上，所述第二绝缘层具有开口；以及
导电层，通过所述开口耦接至所述氧化物半导体层，其特征在于，所述像素电极与所述氧化物半导体层位于同平面。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述导电层为数据线且所述氧化物半导体层为氧化物通道。
3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述氧化物半导体层的材料选自氧化铟镓锌、氧化铟镓、氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化锗、氧化镍钴、氧化锌镁、氧化锡锑、氧化硒化锌与氧化锌锆中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该像素结构还包括金属层，其形成于所述基板与所述第一绝缘层之间。
5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极是源极、所述导电层是汲极以及所述金属层是闸极。
6.一种像素结构的制造方法，包括：
提供基板；
在所述基板上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成氧化物半导体层，所述氧化物半导体层具有第一部分与第二部分；
以激光将所述第一部分转换成第一导电层；
在所述第二部分上形成第二绝缘层；以及
在所述基板与所述第二绝缘层上形成第二导电层。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，该制造方法还包括于所述基板与所述第一绝缘层间形成金属层。
8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第一导电层是像素电极或共享电极。
9.一种像素结构的制造方法，包括：
提供基板；
在所述基板上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成第一氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层具有第一部分与第二部分；
在所述第二部分上形成第二绝缘层；
在所述基板与所述第二绝缘层上形成第二氧化物半导体层；以及
以激光将所述第一部分及所述第二氧化物半导体层转换成第一导电层及第二导电层。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，该制造方法还包括在所述第二绝缘层形成开口。