1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底以及位于基底表面的第一介质层；
图形化所述第一介质层，形成贯穿所述第一介质层的开口；
形成填充满所述开口的第一金属层、以及位于第一金属层顶部表面的第二金属层，且所述第二金属层覆盖第一介质层部分顶部表面；
在所述第二金属层顶部表面和侧壁表面形成第一石墨烯层；
在所述第一介质层顶部表面、以及第一石墨烯层顶部表面和侧壁表面形成第二介质层；
研磨去除高于第二金属层顶部表面的第一石墨烯层以及第二介质层，直至暴露出第二金属层顶部表面；
在所述暴露出的第二金属层顶部表面形成第二石墨烯层。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用激光直写技术形成所述第一石墨烯层；采用激光直写技术形成所述第二石墨烯层。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一石墨烯层的工艺参数包括：激光功率为5毫瓦至500毫瓦，直写速率为100微米每秒至1000微米每秒。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括步骤：采用AuCl3对所述第一石墨烯层进行掺杂处理。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，所述第一石墨烯层的厚度为1埃至100埃；所述第二石墨烯层的厚度为1埃至100埃。
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一金属层的材料为铜；所述第二金属层的材料为铜。
7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一金属层和第二金属层的工艺步骤包括：形成填充满所述开口的金属膜，且所述金属膜还覆盖于第一介质层顶部表面；对所述金属膜进行平坦化处理；图形化所述平坦化处理后的金属膜，形成位于开口内的第一金属层、以及 位于第一金属层顶部表面的所述第二金属层。
8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一金属层和第二金属层的工艺步骤包括：形成填充满所述开口的第一金属膜；研磨去除高于第一介质层顶部表面的第一金属膜，形成填充满开口的第一金属层；在所述第一金属层顶部表面以及第一介质层顶部表面形成第二金属膜；图形化所述第二金属膜，形成位于第一金属层顶部表面以及部分第一介质层顶部表面的第二金属层。
9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺，研磨去除所述高于第二金属层顶部表面的第一石墨烯层以及第二介质层。
10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材料为氧化硅、低k介质材料或超低k介质材料；所述第二介质层的材料为氧化硅、低k介质材料或超低k介质材料。
11.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底以及位于所述基底表面的第一介质层；
位于所述第一介质层内且贯穿所述第一介质层的开口；
填充满所述开口的第一金属层、以及位于第一金属层顶部表面的第二金属层，且所述第二金属层覆盖第一介质层部分顶部表面；
位于所述第二金属层侧壁表面的第一石墨烯层；
位于所述第二金属层顶部表面的第二石墨烯层；
位于所述第一石墨烯层侧壁表面以及第一介质层顶部表面的第二介质层。
12.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述第一金属层的材料为铜；所述第二金属层的材料为铜。
13.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述第一石墨烯层的厚度为1埃至100埃；所述第二石墨烯层的厚度为1埃至100埃。
14.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底以及位于基底表面的第一介质层；
图形化所述第一介质层，形成贯穿所述第一介质层的开口；
形成填充满所述开口的第一金属层、以及位于第一金属层顶部表面的第二金属层，且所述第二金属层覆盖第一介质层部分顶部表面；
在所述第二金属层顶部表面和侧壁表面形成石墨烯层；
在所述石墨烯层顶部表面和侧壁表面、所述第一介质层顶部表面形成第二介质层；
刻蚀所述第二介质层，形成贯穿所述第二介质层的沟槽，且所述沟槽底部暴露出石墨烯层顶部表面。
15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用激光直写技术形成所述石墨烯层。
16.如权利要求15所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述石墨烯层的工艺参数包括：激光功率为5毫瓦至500毫瓦，直写速率为100微米每秒至1000微米每秒。
17.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括步骤：采用AuCl3对所述石墨烯层进行掺杂处理。
18.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述石墨烯层的厚度为1埃至100埃。
19.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一金属层和第二金属层的工艺步骤包括：形成填充满所述开口的金属膜，且所述金属膜还覆盖于第一介质层顶部表面；对所述金属膜进行平坦化处理；图形化所述平坦化处理后的金属膜，形成位于开口内的第一金属层、以及位于第一金属层顶部表面的所述第二金属层。
20.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底以及位于所述基底表面的第一介质层；
位于所述第一介质层内且贯穿所述第一介质层的开口；
填充满所述开口的第一金属层、以及位于第一金属层顶部表面的第二金属层，且所述第二金属层覆盖第一介质层部分顶部表面；
位于所述第二金属层顶部表面和侧壁表面的石墨烯层；
位于所述石墨烯层顶部表面和侧壁表面、以及所述第一介质层顶部表面的第二介质层；
位于所述第二介质层内且贯穿所述第二介质层的沟槽，且所述沟槽底部暴露出石墨烯层顶部表面。