技术总结
一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构的形成方法包括：提供基底以及位于基底表面的第一介质层；形成贯穿第一介质层的开口；形成填充满开口的第一金属层、以及位于第一金属层顶部表面的第二金属层；在第二金属层顶部表面和侧壁表面形成第一石墨烯层；在第一介质层顶部表面、以及第一石墨烯层顶部表面和侧壁表面形成第二介质层；研磨去除高于第二金属层顶部表面的第一石墨烯层以及第二介质层，直至暴露出第二金属层顶部表面；在暴露出的第二金属层顶部表面形成第二石墨烯层。本发明降低了半导体结构的电阻，改善了半导体结构的电学性能。
技术研发人员：张海洋;张城龙
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
文档号码：201510465541
技术研发日：2015.07.31
技术公布日：2017.02.15