技术总结
本发明提供一种绝缘体上III-V化合物衬底的制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有第一介质层，第一介质层中具有暴露衬底的第一沟槽；形成牺牲层和第二介质层，牺牲层填充第一沟槽，并覆盖至少部分第一介质层，第二介质层覆盖牺牲层；在第二介质层中形成开口，开口暴露牺牲层，去除牺牲层，第一介质层与第二介质层之间形成空腔；形成III-V化合物层，III-V化合物层填充第一沟槽以及空腔；去除第二介质层，去除第一沟槽及第二沟槽中的III-V化合物层，第二沟槽位于第一沟槽上方；在第一沟槽中填充第一介质层，在第二沟槽中填充所述III-V化合物层。本发明中，可制备大尺寸的绝缘体上III-V化合物衬底，并且，消除III-V化合物层中的缺陷。
技术研发人员：肖德元;张汝京
受保护的技术使用者：上海新昇半导体科技有限公司
文档号码：201510703722
技术研发日：2015.10.26
技术公布日：2017.05.03