1.一种半导体器件耐压结构，包括用于布置高压互联线的高压互联区域，且所述高压互联区域下方依次为金属层、介质层、场氧化层、漂移区除有源区之外的区域，其特征在于，所述半导体器件耐压结构还包括若干导体场板、若干半绝缘电阻场板；
所述导体场板位于所述半绝缘电阻场板上方，且所述导体场板处于所述介质层中；所有所述半绝缘电阻场板均与所述场氧化层相邻；所述导体场板与所述半绝缘电阻场板构成若干电容器，且任一所述电容器至少能与另一所述电容器传送能量。
2.根据权利要求1所述的半导体器件耐压结构，其特征在于，所述导体场板位于第一层，所述半绝缘电阻场板位于第二层；最接近用于连接高压互联线的电极的导体场板与所述电极用导体连接；在与任一所述半绝缘电阻场板最接近的两个所述导体场板中，靠近用于接高压互联线的电极的所述导体场板与所述半绝缘电阻场板通过导体连接，而另一所述导体场板与所述半绝缘场板构成电容器。
3.根据权利要求1所述的半导体器件耐压结构，其特征在于，所述半绝缘电阻场板位于第一层、所述导体场板至少位于两层；任一所述导体场板至少与相邻层中的另一所述导体场板构成电容器；在与任一所述半绝缘电阻场板最接近的两个所述导体场板中，靠近用于接高压互联线的电极的所述导体场板与所述半绝缘电阻场板通过导体连接，而另一所述导体场板与所述半绝缘场板构成电容器。
4.根据权利要求3所述的半导体器件耐压结构，其特征在于，同一层中的各所述导体场板大小相同且按相同的间隔依次排列。
5.根据权利要求3所述的半导体器件耐压结构，其特征在于，将所有所述导体场板、半绝缘电阻场板投影至所述漂移区表面后，在形成的投影图形中，在对应所述漂移区除有源区之外的表面区域上没有空隙。
6.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的半导体器件耐压结构，其特征在于，各所述半绝缘电阻场板大小相同并按相同的间隔依次排列。
7.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的半导体器件耐压结构，其特 征在于，所有所述半绝缘电阻场板构成的区域大小或等于所述漂移区除有源区之外的区域。
8.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的半导体器件耐压结构，其特征在于，任意相邻的两个所述半绝缘电阻场板之间的距离均介于0.3至0.8微米之间。
9.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的半导体器件耐压结构，其特征在于，所述导体场板为金属场板。
10.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的半导体器件耐压结构，其特征在于，所述半绝缘电阻场板为多晶硅场板。