1.一种非挥发性存储器，包括：
基底，其中在所述基底中具有开口；
埋入式电荷存储晶体管，设置于所述基底中，其中所述埋入式电荷存储晶体管包括：
电荷存储结构，设置于所述开口中的所述基底上；以及
导体层，设置于所述电荷存储结构上，且填满所述开口；以及
选择晶体管，设置于所述埋入式电荷存储晶体管一侧的所述基底上，其中所述选择晶体管包括金属栅极结构。
2.如权利要求1所述的非挥发性存储器，还包括第一掺杂区，沿着所述开口设置于所述基底中。
3.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其中所述电荷存储结构包括电荷捕捉层。
4.如权利要求3所述的非挥发性存储器，其中所述电荷捕捉层的材料包括氮化硅或纳米点。
5.如权利要求3所述的非挥发性存储器，其中所述电荷存储结构还包括：
第一介电层，设置于所述电荷捕捉层与所述基底之间；以及
第二介电层，设置于所述电荷捕捉层与所述导体层之间。
6.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其中所述埋入式电荷存储晶体管还包括：
第二掺杂区与第三掺杂区，设置于所述导体层两侧的所述基底中，
所述选择晶体管还包括：
所述第二掺杂区与第四掺杂区，设置于所述金属栅极结构两侧的所述基底中，
所述埋入式电荷存储晶体管与所述选择晶体管共用所述第二掺杂区。
7.如权利要求6所述的非挥发性存储器，其中还包括多个金属硅化物层，分别设置于所述导体层上、所述第二掺杂区上、所述第三掺杂区上与所述第四掺杂区上。
8.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其中所述金属栅极结构包括：
高介电常数介电层、功函数金属层与金属栅极层，依序设置于所述基底 上。
9.如权利要求8所述的非挥发性存储器，其中所述金属栅极结构还包括：
栅介电层，设置于所述高介电常数介电层与所述基底之间。
10.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其中部分所述导体层凸出于所述基底的顶表面。
11.一种非挥发性存储器的制造方法，包括：
提供基底，其中在所述基底中具有开口；
在所述基底中形成埋入式电荷存储晶体管，其中所述埋入式电荷存储晶体管包括：
电荷存储结构，设置于所述开口中的所述基底上；以及
导体层，设置于所述电荷存储结构上，且填满所述开口；以及
在所述埋入式电荷存储晶体管一侧的所述基底上形成选择晶体管，其中所述选择晶体管包括金属栅极结构。
12.如权利要求11所述的非挥发性存储器的制造方法，其中还包括沿着所述开口于所述基底中形成第一掺杂区。
13.如权利要求11所述的非挥发性存储器的制造方法，其中所述电荷存储结构与所述导体层的形成方法包括：
在所述开口中形成共形的电荷存储结构层；
在所述电荷存储结构层上形成填满所述开口的导体材料层；以及
移除所述开口以外的所述导体材料层与所述电荷存储结构层。
14.如权利要求13所述的非挥发性存储器的制造方法，其中所述开口以外的所述导体材料层与所述电荷存储结构层的移除方法包括化学机械研磨法或组合使用化学机械研磨法与回蚀刻法。
15.如权利要求11所述的非挥发性存储器的制造方法，其中所述金属栅极结构的形成方法包括：
在所述基底上形成虚拟栅极结构，其中所述虚拟栅极结构包括：
高介电常数介电层，设置于所述基底上；
虚拟栅极，设置于所述高介电常数介电层上；以及
硬掩模层，设置于所述虚拟栅极上；
形成覆盖所述虚拟栅极结构的介电材料层；
移除部分所述介电材料层与所述硬掩模层，而暴露出所述虚拟栅极；
移除所述虚拟栅极，而形成栅极开口；以及
在所述栅极开口中依序形成功函数金属层与金属栅极层。
16.如权利要求15所述的非挥发性存储器的制造方法，其中所述金属栅极结构的形成方法还包括于所述虚拟栅极结构的侧壁上形成间隙壁。
17.如权利要求16所述的非挥发性存储器的制造方法，还包括：
在所述导体层两侧的所述基底中形成第二掺杂区与第三掺杂区；以及
在所述虚拟栅极结构两侧的所述基底中形成所述第二掺杂区与第四掺杂区，其中
所述埋入式电荷存储晶体管与所述选择晶体管共用所述第二掺杂区。
18.如权利要求17所述的非挥发性存储器的制造方法，其中还包括在移除所述硬掩模层之前，在所述导体层上、所述第二掺杂区上、所述第三掺杂区上与所述第四掺杂区上分别形成金属硅化物层。
19.如权利要求15所述的非挥发性存储器的制造方法，其中所述虚拟栅极结构还包括：
栅介电层，设置于所述高介电常数介电层与所述基底之间。
20.如权利要求15所述的非挥发性存储器的制造方法，其中所述功函数金属层与所述金属栅极层的形成方法包括：
在所述栅极开口中形成共形的功函数金属材料层；
在所述功函数金属材料层上形成填满所述栅极开口的金属栅极材料层；以及
移除所述栅极开口以外的所述金属栅极材料层与所述功函数金属材料层。