技术总结
本发明公开一种非挥发性存储器及其制造方法。非挥发性存储器包括基底、埋入式电荷存储晶体管以及选择晶体管。在基底中具有开口。埋入式电荷存储晶体管设置于基底中。埋入式电荷存储晶体管包括电荷存储结构与导体层。电荷存储结构设置于开口中的基底上。导体层设置于电荷存储结构上，且填满开口。选择晶体管设置于埋入式电荷存储晶体管一侧的基底上，其中选择晶体管包括金属栅极结构。所述非挥发性存储器具有较佳的电荷存储能力。
技术研发人员：陈克基;王献德
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司
文档号码：201510724303
技术研发日：2015.10.30
技术公布日：2017.05.10