技术总结
本发明公开了一种GaSbGe相变化存储器材料、基于该相变化存储器材料的高密度存储器装置及该高密度存储器装置的制造方法。该相变化存储器材料包括GaxSbyGez，其中Ga原子百分比x在20％至45％的范围内、Sb原子百分比y在25％至40％的范围内，以及Ge原子百分比z在25％至55％的范围内，其中此材料具有大于360℃的结晶转移温度Tx。添加杂质包括一或多个选自Si、C、O以及N的元素，可以增加结晶转移温度Tx以大于400℃，也可以降低复位电流。
技术研发人员：郑怀瑜;龙翔澜
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
文档号码：201510981999
技术研发日：2015.12.24
技术公布日：2016.12.28