技术特征：
技术总结
本发明提供一种硅晶圆的研磨方法，其具备：第一研磨工序，一边将粗研磨用研磨液(224)供给至粗研磨用研磨布(223)的研磨面，一边对晶圆(W)的表面进行研磨；保护膜形成工序，紧接着所述第一研磨工序，对所述第一研磨工序结束后的所述粗研磨用研磨布(223)供给含有水溶性高分子的保护膜形成溶液(225)，使所述晶圆(W)的被研磨面接触所述保护膜形成溶液(225)，而在所述被研磨面形成保护膜(W1)；以及第二研磨工序，一边将精研磨用研磨液供给至不同于所述粗研磨用研磨布(223)的精研磨用研磨布的研磨面，一边对所述晶圆(W)的保护膜的形成面进行研磨。
技术研发人员：小佐佐和明;杉森胜久;小渊俊也
受保护的技术使用者：胜高股份有限公司
技术研发日：2015.05.13
技术公布日：2017.09.12