技术总结
本发明涉及多沟槽半导体装置。具有经改善RDSON及BV性能的MOSFET装置或整流器装置具有安置于半导体芯片中的场板沟槽的重复图案。所述半导体芯片包括经掺杂外延层，其中掺杂剂浓度从芯片表面的顶部朝向所述芯片的底部逐渐降低。所述经掺杂外延层可包括具有不同掺杂剂浓度的外延层的阶层且所述场板沟槽各自终止于所述阶层中的预定点处。
技术研发人员：顾昀浦;庄乔舜;黄正鑫
受保护的技术使用者：达尔科技股份有限公司
文档号码：201610009712
技术研发日：2016.01.07
技术公布日：2017.02.15