技术特征：
技术总结
一种电容器件及其形成方法，所述电容器件包括：衬底，所述衬底包括有源区；位于所述衬底的有源区表面的主栅极结构、以及分别位于主栅极结构两侧的第一伪栅极结构；分别位于所述主栅极结构两侧的衬底有源区内的掺杂区，所述掺杂区位于相邻主栅极结构和第一伪栅极结构之间；分别位于所述主栅极结构两侧的第一导电结构，所述第一导电结构位于主栅极结构一侧的掺杂区表面和第一伪栅极结构表面。所述电容器的性能改善。
技术研发人员：李勇
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2016.02.03
技术公布日：2017.08.11