用于半导体发光器件的框架的制作方法

文档序号:12066151阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种用于半导体发光器件的框架,该框架用以接纳半导体发光芯片,所述框架包括:

侧壁;以及

底部,所述底部连接到所述侧壁,并且具有用于接纳半导体发光芯片的至少一个孔。

2.根据权利要求1所述的用于半导体发光器件的框架,其中,在所述侧壁的内表面和所述底部的上表面中的至少一个处形成有反射层。

3.根据权利要求2所述的用于半导体发光器件的框架,其中,所述反射层形成在所述底部的整个所述上表面的上方。

4.根据权利要求3所述的用于半导体发光器件的框架,其中,所述反射层是金属层。

5.根据权利要求1所述的用于半导体发光器件的框架,该框架包括接合部,所述接合部设置在所述底部的下表面处,所述接合部位于远离所述底部中的所述孔的一距离处。

6.根据权利要求5所述的用于半导体发光器件的框架,其中,所述接合部由金属制成。

7.根据权利要求1所述的用于半导体发光器件的框架,其中,所述侧壁具有比所述底部的长度大的高度。

8.根据权利要求1所述的用于半导体发光器件的框架,其中,形成有多个孔,并且在所述孔之间布置有阻隔件。

9.根据权利要求1所述的用于半导体发光器件的框架,其中,所述孔具有倾斜的侧表面。

10.根据权利要求1所述的用于半导体发光器件的框架,其中,所述侧壁具有伸出部。

11.根据权利要求1所述的用于半导体发光器件的框架,该框架包括至少一个加强构件,所述至少一个加强构件设置在所述底部处,按照与所述底部中的所述孔不交叠的方式来布置所述至少一个加强构件。

12.根据权利要求11所述的用于半导体发光器件的框架,其中,所述加强构件位于所述底部的上表面和下表面之间。

13.根据权利要求11所述的用于半导体发光器件的框架,其中,所述加强构件位于所述底部的下表面处。

14.根据权利要求11所述的用于半导体发光器件的框架,其中,所述加强构件包括保护元件。

15.根据权利要求11所述的用于半导体发光器件的框架,其中,所述底部包括保护元件,并且所述保护元件的电极按照短路状态设置在所述加强构件上。

16.根据权利要求1所述的用于半导体发光器件的框架,其中,所述底部的上表面具有凹部和凸部中的至少一个。

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