1.一种半导体发光装置，其特征在于包括：
发光体，包含：第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层以及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层；
衬底，配置在所述发光体层的所述第2半导体层侧；
第1金属层，在所述衬底与所述发光体之间电连接于所述第1半导体层及所述第2半导体层的任一层，且从所述衬底与所述发光体之间沿着所述衬底向所述发光体的外侧延伸；
导电层，覆盖位于所述发光体的外侧的所述第1金属层的延伸部，并延伸在所述发光体与所述第1金属层之间；以及
第2金属层，在所述衬底上与所述发光体并排设置，并隔着所述导电层设置在所述延伸部上；
所述发光体包括：第1面，包含所述第1半导体层的表面；第2面，包含所述第2半导体层的表面；以及侧面，包含所述第1半导体层的外缘；
所述发光体包括：在与所述第1面平行的方向上从所述侧面朝向内侧凹陷的凹部，
所述第2金属层设置在所述凹部，
所述凹部的侧壁经由曲面与所述侧面连接。
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
所述曲面具有0微米以上且小于30微米的曲率半径。
3.根据权利要求1或2所述的半导体发光装置，其特征在于：
所述发光体包括：
发光部，包含所述发光层；以及
非发光部，隔着从所述第2面到达所述第1半导体层的阶差而设置在所述发光部的周围；
所述第1金属层在所述非发光部电连接于所述第1半导体层。
4.根据权利要求1或2所述的半导体发光装置，其特征在于：
所述发光体包括从所述第2面到达所述第1半导体层的凹部，
所述第1半导体层经由所述凹部电连接于所述衬底，
所述第1金属层在所述第2面上电连接于所述第2半导体层。
5.根据权利要求1或2所述的半导体发光装置，其特征在于：
所述发光体的外缘与所述第2金属层之间的间隔为50微米以下。
6.根据权利要求1或2所述的半导体发光装置，其特征在于：
所述导电层包含：比所述第1金属层更具耐蚀刻性的金属、具有导电性的金属氧化物及具有导电性的金属氮化物中的至少任一种。
7.根据权利要求1或2所述的半导体发光装置，其特征在于：
还包括介电膜，所述介电膜设置在所述发光体与所述第1金属层的未与所述发光体相接的部分之间，
所述介电膜沿着所述导电层向所述发光体的外侧延伸，
所述第1金属层的延伸部在所述发光体的外侧未与所述介电膜相接。