技术特征：
技术总结
本发明实施例提供一种氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法。该方法包括：在硅衬底的表面上依次生长GaN介质层、AlGaN介质层和HfO2介质层；对HfO2介质层进行刻蚀；在露出的AlGaN介质层和剩余的HfO2介质层上表面沉积第一金属层；沿着露出的HfO2介质层的表面的预定区域向下进行干法刻蚀；在栅极接触孔中沉积第二金属层作为栅介质。本发明实施例在氮化铝镓AlGaN介质层上表面铺设氧化铪HfO2介质层，利用AlGaN介质层和HfO2介质层介电常数的差距，有效地从半导体表面传输或提取电通量，缓解器件失效，从而减小了逆压电效应。
技术研发人员：刘美华;孙辉;林信南;陈建国
受保护的技术使用者：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
技术研发日：2016.03.25
技术公布日：2017.10.03