技术特征：
技术总结
本发明提供一种氮化镓高电子迁移率晶体管的制备方法，通过在氮化镓外延片的表面沉淀介质层；依次制备晶体管的欧姆接触电极和栅极；在晶体管的表面上沉积绝缘层；刻蚀绝缘层形成栅场板孔，淀积形成与栅极相连的栅场板。从而通过介质层有效地从栅极的表面传输和提取电通量，起到了降低晶体管表面电场的效果，还通过设置与栅极相连的栅场板，实现对电流崩塌的抑制作用，改善了晶体管器件的击穿特性，解决现有技术中由于绝缘层容易被提前击穿从而使得晶体管器件失效的问题。
技术研发人员：刘美华;孙辉;林信南;陈建国
受保护的技术使用者：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
技术研发日：2016.03.25
技术公布日：2017.10.03