技术总结
本发明涉及形成FINFET半导体装置的鳍片的方法及其半导体装置。具体涉及一种方法，包括在衬底上面形成多个鳍片，在多个鳍片上面及之间形成至少一个介电材料，以及在介电材料上面形成掩膜层。掩膜层中界定有开口。进行至少一个蚀刻程序以移除至少一个介电材料中被开口所曝露的一部分，以便曝露多个鳍片中至少一个鳍片的顶端表面部分及侧壁表面部分。至少一个介电材料留在衬底上面与至少一个鳍片相邻。进行蚀刻程序以移除至少一个鳍片。
技术研发人员：成敏圭;谢瑞龙
受保护的技术使用者：格罗方德半导体公司
文档号码：201610305806
技术研发日：2016.05.10
技术公布日：2016.11.23