技术总结
本发明公开了一种复合高k绝缘层薄膜晶体管结构及其制备方法，属于平板显示器制造技术领域。复合高k绝缘层薄膜晶体管的结构包括沉积在基板上的栅电极，在栅电极上连续沉积三层复合绝缘层薄膜，然后在绝缘层上再溅射沟道层薄膜和源漏电极，沟道宽度为20～100μm。该复合高k绝缘层薄膜晶体管为底栅极结构，该复合绝缘层可以在保证绝缘耐压性能的前提下，降低绝缘层厚度，提高其介电常数，进而降低器件的开启电压和饱和电压，应用于TFT‑LCD中可以缩短响应时间，降低功耗，提高工作效率。
技术研发人员：吴胜利;王若铮;李欣予;张劲涛
受保护的技术使用者：西安交通大学
文档号码：201610512028
技术研发日：2016.07.01
技术公布日：2017.02.15