一种发光二极管座体结构，尤其是指一种提高反射杯结合力的发光二极管座体结构。
背景技术：
一般绝缘基板(例如：陶瓷基板…等)上，为了形成反射杯，都采用陶瓷共烧结或是点胶方式，在绝缘基板上形成为反射杯。然而，陶瓷共烧结的方式，成本较高，且工艺较复杂。而点胶方式，无法提供反射杯有效的反射面。
另一种反射杯成形方式，是将绝缘基板结合射出方式，在绝缘基板上射出成形有反射杯，但反射杯与绝缘基板表面的结合性差，容易造成反射杯的剥离，且水气易从绝缘基板与反射杯的接合面渗漏至反射杯内，降低了发光二极管的寿命。
为解决此一问题，故在绝缘基板上预先进行钻孔，但绝缘基板需通过激光钻孔方式，在绝缘基板上形成穿孔，进而才能使反射杯填入穿孔中，达到反射杯固定于绝缘基板的效果，以防止反射杯的剥离，然而在绝缘基板上进行激光钻孔，效率慢且成本高。
综上所述，可知先前技术中长期以来一直存在绝缘基板上反射杯固定工艺过于复杂或是工艺效率不足的问题，因此有必要提出改进的技术手段，来解决此一问题。
技术实现要素：
有鉴于先前技术存在绝缘基板上反射杯固定工艺过于复杂或是工艺效率不足的问题，本发明遂揭露一种发光二极管座体结构，其中：
本发明所揭露第一实施态样的发光二极管座体结构，其包含：绝缘基板、电性连接部、固定部以及反射杯。
其中，绝缘基板具有第一表面以及第二表面，且绝缘基板上具有多个贯穿第一表面以及第二表面的贯穿孔；电性连接部电性间隔设于第一表面上，并分别通过贯穿孔延伸至第二表面；固定部形成于绝缘基板的第一表面上，环设于电性连接部的外侧，并与电性连接部相互间隔，且固定部的顶部的截面积大于固定部的底部的截面积；反射杯形成于第一表面上，反射杯具有中空区域，且固定部埋入于反射杯内，电性连接部部分暴露于中空区域。
本发明所揭露第二实施态样的发光二极管座体结构，其包含：二个金属基板、二个固定部、第一电性连接部、第二电性连接部以及反射杯。
其中，二个金属基板彼此相互间隔；固定部分别形成于金属基板上，且固定部的顶部的截面积大于固定部的底部的截面积；第一电性连接部形成于金属基板其中之一的表面，并与固定部其中之一相互间隔；第二电性连接部形成于另一金属基板的表面，并与另一个固定部相互间隔；反射杯具有中空区域，反射杯包覆金属基板、固定部、第一电性连接部以及第二电性连接部以连接并绝缘金属基板，且第一电性连接部以及第二电性连接部部分暴露于中空区域。
本发明所揭露第三实施态样的发光二极管座体结构，其包含：二个金属基板、第一电性连接部、第二电性连接部、二个固定部以及反射杯。
二个金属基板彼此相互间隔；第一电性连接部形成于金属基板其中之一的表面；第二电性连接部形成于另一金属基板的表面；二个固定部分别形成于第一电性连接部以及第二电性连接部上，且固定部的顶部的截面积大于固定部的底部的截面积；反射杯具有中空区域，反射杯包覆第一电性连接部、第二电性连接部以及固定部以连接并绝缘金属基板，且第一电性连接部以及第二电性连接部部分暴露于中空区域。
本发明所揭露的结构如上，与先前技术之间的差异在于在绝缘基板上、金属基板上或是第一电性连接部以及第二电性连接部上分别形成固定部，固定部的顶部的截面积大于固定部的底部的截面积，在反射杯形成时，固定部埋入于反射杯内以提供反射杯的固定。
通过上述的技术手段，本发明可以达成通过固定部提高反射杯与基板间的结合力的技术功效。
附图说明
以下将配合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，由此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施，其中：
图1绘示为本发明第一实施态样发光二极管座体结构的剖面示意图。
图2绘示为本发明第一实施态样发光二极管座体结构的上视示意图。
图3a以及图3b绘示为本发明第一实施态样发光二极管座体结构的固定部剖面放大示意图。
图3c绘示为本发明第一实施态样发光二极管座体结构的第一电性连接部剖面放大示意图。
图3d绘示为本发明第一实施态样发光二极管座体结构的第二电性连接部剖面放大示意图。
图4绘示为本发明第二实施态样发光二极管座体结构的剖面示意图。
图5a以及图5b绘示为本发明第二实施态样发光二极管座体结构的固定部剖面放大示意图。
图5c绘示为本发明第二实施态样发光二极管座体结构的第一电性连接部剖面放大示意图。
图5d绘示为本发明第二实施态样发光二极管座体结构的第二电性连接部剖面放大示意图。
图6绘示为本发明第三实施态样发光二极管座体结构的剖面示意图。
图7a以及图7b绘示为本发明第三实施态样发光二极管座体结构的固定部剖面放大示意图。
具体实施方式
以下首先要说明本发明所揭露的第一实施态样的发光二极管座体结构，并请参考“图1”以及“图2”所示，“图1”绘示为本发明第一实施态样发光二极管座体结构的剖面示意图；“图2”绘示为本发明第一实施态 样发光二极管座体结构的上视示意图。
本发明所揭露第一实施态样的发光二极管座体结构，其包含：绝缘基板10、二个电性连接部20、固定部30以及反射杯40。
绝缘基板10具有第一表面11以及第二表面12，且绝缘基板10上具有多个贯穿第一表面11以及第二表面12的贯穿孔13。
电性连接部20是电性间隔设于绝缘基板10的第一表面11上，并分别通过绝缘基板10的贯穿孔13延伸至第二表面，以及于绝缘基板10的第一表面11上形成固定部30，固定部30环设于电性连接部20的外侧，并与电性连接部20相互间隔。
上述绝缘基板10包含氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板以及印刷电路板(printedcircuitboard，pcb)…等，在此仅为举例说明，并不以此局限本发明的应用范畴。
上述电性连接部20以及固定部30的材质为导电性良好的金属材质或是合金材质，例如：金、铁、铜、钢…等，在此仅为举例说明，并不以此局限本发明的应用范畴。
接着，通过挤压工艺方式将固定部30制成为固定部30的顶部31的截面积大于固定部30的底部32的截面积，并请请参考“图3a”以及“图3b”所示，“图3a”以及“图3b”绘示为本发明第一实施态样发光二极管座体结构的固定部剖面放大示意图。
如“图3a”所示，固定部30的顶部31的截面形状为凹凸状，如“图3b”所示，固定部30的顶部31的截面形状为w形状，在此仅为示意说明，并不以此局限本发明固定部30的顶部31的截面形状，本发明固定部30的顶部31的截面形状亦可为锯齿状、球状…等。
请再次参考“图1”所示，在绝缘基板10的第一表面11以射出成形方式制成反射杯40，反射杯40具有中空区域41，以使得固定部30埋入于反射杯40内，且使得电性连接部20部分暴露于反射杯40的中空区域41，通过固定部30的顶部31(请参考“图2a”或是“图2b”所示)的截面积大于固定部30的底部32(请参考“图2a”或是“图2b”所示)的截面积，以进一步提供反射杯40固定于绝缘基板10上的结合力，并制成本发明发光二极管座体结构。
上述反射杯40的材质可为聚碳酸酯(polycarbonate，pc)、聚邻苯二甲酰胺(polyphthalamide，ppa)或其他常用来作为发光二极管座体结构的反射杯的热塑性树脂、热固性树脂…等，在此仅为举例说明，并不以此局限本发明的应用范畴。
发光二极管芯片(图中未绘示)可以与电性连接部20其中之一固接，发光二极管芯片通过电性连接部20其中之一获得所需的一种电性极性，或是可以与其他电子装置(图中未绘示)进行电性连接。
发光二极管芯片与另一个电性连接部20通过打线接合(wirebonding)技术形成电性连接，在此仅为举例说明，并不以此局限本发明的应用范畴，发光二极管芯片通过另一个电性连接部20获得所需的另一种电性极性，或是可以与其他电子装置进行电性连接。
请参考“图3c”以及“图3d”所示，“图3c”绘示为本发明第一实施态样发光二极管座体结构的第一电性连接部剖面放大示意图；“图3d”绘示为本发明第一实施态样发光二极管座体结构的第二电性连接部剖面放大示意图。
如“图3c”所示，电性连接部20埋入于反射杯40内的部分更通过挤压工艺方式使电性连接部20埋入于反射杯40内的端部形成凹凸状，相对来说，另一个电性连接部20埋入于反射杯40内的部分亦可通过挤压工艺方式使电性连接部20埋入于反射杯40内的端部形成凹凸状。
如“图3d”所示，电性连接部20埋入于反射杯40内的部分更通过挤压工艺方式使电性连接部20埋入于反射杯40内的端部形成y形状，相对来说，另一个电性连接部20埋入于反射杯40内的部分亦可通过挤压工艺方式使电性连接部20埋入于反射杯40内的端部形成y形状。
上述电性连接部20埋入于反射杯40内的端部所形成的形状并不以上述说明为限制，本发明电性连接部20部分埋入于反射杯40内的部分所形成的形状亦可为锯齿状、球状…等。
通过将电性连接部20埋入于反射杯40内的部分制成凹凸状、锯齿状、y形状…等，更可以进一步提供反射杯40固定于绝缘基板10上的固定力。
接着，要说明本发明所揭露的第二实施态样的发光二极管座体结构，并请参考“图4”所示，“图4”绘示为本发明第二实施态样发光二极管座 体结构的剖面示意图。
本发明所揭露第二实施态样的发光二极管座体结构，其包含：二个金属基板50、二个固定部30、第一电性连接部60、第二电性连接部70以及反射杯40。
分别于彼此相互间隔的金属基板50上形成固定部30，于金属基板50其中之一的表面形成第一电性连接部60，于另一个金属基板50的表面形成第二电性连接部70。
上述金属基板50、固定部30、第一电性连接部60以及第二电性连接部70的材质为导电性良好的金属材质或是合金材质，例如：金、铁、铜、钢…等，在此仅为举例说明，并不以此局限本发明的应用范畴。
接着，通过挤压工艺方式将固定部30制成为固定部30的顶部31的截面积大于固定部30的底部32的截面积，并请请参考“图5a”以及“图5b”所示，“图5a”以及“图5b”绘示为本发明第二实施态样发光二极管座体结构的固定部剖面放大示意图。
如“图5a”所示，固定部30的顶部31的截面形状为凹凸状，如“图4b”所示，固定部30的顶部31的截面形状为w形状，在此仅为示意说明，并不以此局限本发明固定部30的顶部31的截面形状，本发明固定部30的顶部31的截面形状亦可为锯齿状、球状…等。
请再次参考“图4”所示，以射出成形方式制成具有中空区域41的反射杯40并使反射杯40包覆金属基板50、固定部30、第一电性连接部60以及第二电性连接部70以连接并绝缘金属基板50，且使得第一电性连接部60以及第二电性连接部70部分暴露于反射杯40的中空区域41，通过固定部30的顶部31(请参考“图5a”或是“图5b”所示)的截面积大于固定部30的底部32(请参考“图5a”或是“图5b”所示)的截面积，藉以进一步提供反射杯40固定于金属基板50上的固定力，并制成本发明发光二极管座体结构。
上述反射杯40的材质可为聚碳酸酯、聚邻苯二甲酰胺或其他常用来作为发光二极管座体结构的反射杯的热塑性树脂、热固性树脂…等，在此仅为举例说明，并不以此局限本发明的应用范畴。
发光二极管芯片(图中未绘示)可以与第一电性连接部60或是第二 电性连接部70固接，发光二极管芯片通过第一电性连接部60或是第二电性连接部70获得所需的一种电性极性，或是可以与其他电子装置(图中未绘示)进行电性连接。
发光二极管芯片与第二电性连接部70或是第一电性连接部60通过打线接合(wirebonding)技术形成电性连接，在此仅为举例说明，并不以此局限本发明的应用范畴，发光二极管芯片通过第二电性连接部70或是第一电性连接部60获得所需的另一种电性极性，或是可以与其他电子装置进行电性连接。
请参考“图5c”以及“图5d”所示，“5c图”绘示为本发明第二实施态样发光二极管座体结构的第一电性连接部剖面放大示意图；“图5d”绘示为本发明第二实施态样发光二极管座体结构的第二电性连接部剖面放大示意图。
如“图5c”所示，第一电性连接部60埋入于反射杯40内的部分更通过挤压工艺方式使第一电性连接部60埋入于反射杯40内的端部形成凹凸状，相对来说，第二电性连接部70埋入于反射杯40内的部分亦可通过挤压工艺方式使第二电性连接部70埋入于反射杯40内的端部形成凹凸状。
如“图5d”所示，第二电性连接部70埋入于反射杯40内的部分更通过挤压工艺方式使第二电性连接部70埋入于反射杯40内的端部形成y形状，相对来说，第一电性连接部60埋入于反射杯40内的部分亦可通过挤压工艺方式使第一电性连接部60埋入于反射杯40内的端部形成y形状。
上述第一电性连接部60以及第二电性连接部70埋入于反射杯40内的端部所形成的形状并不以上述说明为限制，本发明第一电性连接部60以及第二电性连接部70埋入于反射杯40内的端部所形成的形状亦可为锯齿状、球状…等。
通过将第一电性连接部60以及第二电性连接部70埋入于反射杯40内的部分制成凹凸状、锯齿状、y形状…等，更可以进一步提供反射杯40固定于绝缘基板10上的固定力。
接着，要说明本发明所揭露的第三实施态样的发光二极管座体结构，并请参考“图6”所示，“图6”绘示为本发明第三实施态样发光二极管座体结构的剖面示意图。
本发明所揭露第三实施态样的发光二极管座体结构，其包含：二个金属基板50、二个固定部30、第一电性连接部60、第二电性连接部70以及反射杯40。
分别于彼此相互间隔的金属基板50其中之一的表面形成第一电性连接部60以及于另一个金属基板50的表面形成第二电性连接部70，再分别于第一电性连接部60以及第二电性连接部70上形成固定部30。
上述金属基板50、固定部30、第一电性连接部60以及第二电性连接部70的材质为导电性良好的金属材质或是合金材质，例如：金、铁、铜、钢…等，在此仅为举例说明，并不以此局限本发明的应用范畴。
接着，通过挤压工艺方式将固定部30制成为固定部30的顶部31的截面积大于固定部30的底部32的截面积，并请请参考“图7a”以及“图7b”所示，“图7a”以及“图7b”绘示为本发明第三实施态样发光二极管座体结构的固定部剖面放大示意图。
如“图7a”所示，固定部30的顶部31的截面形状为凹凸状，如“图7b”所示，固定部30的顶部31的截面形状为w形状，在此仅为示意说明，并不以此局限本发明固定部30的顶部31的截面形状，本发明固定部30的顶部31的截面形状亦可为锯齿状、球状…等。
请再次参考“6图”所示，以射出成形方式制成具有中空区域41的反射杯40并使反射杯40包覆固定部30、第一电性连接部60以及第二电性连接部70以连接并绝缘金属基板50，且使得第一电性连接部60以及第二电性连接部70部分暴露于反射杯40的中空区域41，通过固定部30的顶部31(请参考“图7a”以及“图7b”所示)的截面积大于固定部30的底部32(请参考“图7a”以及“图7b”所示)的截面积，以进一步提供反射杯40固定于绝缘基板10上的结合力，并制成本发明发光二极管座体结构。
上述反射杯40的材质可为聚碳酸酯、聚邻苯二甲酰胺或其他常用来作为发光二极管座体结构的反射杯的热塑性树脂、热固性树脂…等，在此仅为举例说明，并不以此局限本发明的应用范畴。
发光二极管芯片(图中未绘示)可以与第一电性连接部60或是第二电性连接部70固接，发光二极管芯片通过第一电性连接部60或是第二电 性连接部70获得所需的一种电性极性，或是可以与其他电子装置(图中未绘示)进行电性连接。
发光二极管芯片与第二电性连接部70或是第一电性连接部60通过打线接合(wirebonding)技术形成电性连接，在此仅为举例说明，并不以此局限本发明的应用范畴，发光二极管芯片通过第二电性连接部70或是第一电性连接部60获得所需的另一种电性极性，或是可以与其他电子装置进行电性连接。
综上所述，可知本发明与先前技术之间的差异在于在绝缘基板上、金属基板上或是第一电性连接部以及第二电性连接部上分别形成固定部，固定部的顶部的截面积大于固定部的底部的截面积，在反射杯形成时，固定部埋入于反射杯内以提供反射杯的固定。
通过此一技术手段可以来解决先前技术所存在绝缘基板上反射杯固定工艺过于复杂或是工艺效率不足的问题，进而达成通过固定部提高反射杯与基板间的结合力的技术功效。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，惟所述的内容并非用以直接限定本发明的专利保护范围。任何本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作些许的更动。本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求范围所界定的为准。