技术特征：
技术总结
本发明公开了一种互连结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述方法包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括：衬底；在所述衬底上的第一电介质层；和在所述衬底上贯穿所述第一电介质层的金属互连线；去除金属互连线两侧的第一电介质层以形成凹陷；在金属互连线暴露的表面上形成石墨烯层；沉积第二电介质层以填充所述凹陷并覆盖所述石墨烯层。本发明能够阻挡金属互连线中的金属向电介质层扩散。
技术研发人员：周鸣
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2016.08.01
技术公布日：2018.02.09