一种沟槽终端肖特基器件的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种肖特基器件，本发明的半导体器件具有沟槽终端结构，将结终端延伸结构引入到衬底层中。本发明简化了器件结构及制造流程，节省器件终端结构面积，将电荷补偿材料引入沟槽侧壁漂移层中，优化反向偏压下终端结构电场分布，提高器件反向阻断特性。

技术研发人员：朱江
受保护的技术使用者：朱江
技术研发日：2016.08.13
技术公布日：2018.02.23