1.一种LTPS阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
提供具有半导体层的基体；
在所述半导体层表面形成第一缓冲层，所述第一缓冲层用于保证杂质离子注入到所述半导体层的表层；
透过所述第一缓冲层对所述基体上进行沟道掺杂，注入所述杂质离子到所述半导体中。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：
去除所述第一缓冲层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述半导体层表面形成第一缓冲层包括：
在所述半导体层表面形成氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层或者两者组合。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述半导体层表面形成氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层包括：
采用CVD工艺、等离子化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemicalvapor deposition,PECVD)、溅射、真空蒸镀或低压气相沉积在所述半导体层表面形成氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层或者两者结合。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供具有半导体层的基体包括：
提供衬底板材；
在所述衬底板材上形成第二缓冲层；
在所述第二缓冲层上形成TFT的漏极和源极、金属走线L，其中所述TFT包括NTFT和PTFT；
在所述漏极和所述源极上形成所述半导体层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述杂质离子为P型杂质离子。
7.一种LTPS阵列基板，其特征在于，包括：
依序层叠的衬底板材、半导体层；
所述半导体层包括杂质离子，所述杂质离子位于所述半导体层的远离所述衬底板材的区域。
8.根据权利要求7所述的LTPS阵列基板，其特征在于，
形成于所述半导体层的第一缓冲层。
9.根据权利要求7所述的LTPS阵列基板，其特征在于，进一步包括：
所述衬底板材与所述半导体层之间的第二缓冲层；
形成于所述第二缓冲层与所述半导体层间的TFT的漏极和源极、金属走线L，其中TFT包括NTFT和PTFT。
10.一种LTPS显示面板，其特征在于，包括：
相对设置的第一基体和第二基体，所述第二基体包括依序层叠的衬底板材、半导体层；
所述半导体层包括杂质离子，所述杂质离子位于所述半导体层的远离所述衬底板材的区域。