技术总结
半导体器件包括衬底、至少两个栅极间隔件和栅极堆叠件。衬底具有多个半导体鳍。栅极间隔件设置在衬底上。栅极间隔件的至少一个具有面向另一个栅极间隔件的侧壁。栅极堆叠件设置在栅极间隔件之间。栅极堆叠件包括高k介电层和栅电极。高k介电层设置在衬底上并且覆盖半导体鳍的至少部分而保留至少一个栅极间隔件的侧壁未被覆盖。栅电极设置在高k介电层上。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。
技术研发人员：张哲诚;林志翰
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201610688858
技术研发日：2016.08.19
技术公布日：2017.05.10