具有Al‑Si3N4‑Ti/Ni/Ag结构的快恢复二极管的制作方法

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有Al-Si₃N₄-Ti/Ni/Ag结构的快恢复二极管。

背景技术：

现有的快恢复二极管工艺中，由于Ag的化学性质稳定，活跃性低，富延展性反光率极高，可达99％以上，导致在生产时与Si₃N₄接触时，粘附性不好，容易产生Si₃N₄脱落和断裂的现象，严重影响产品封装可靠性，不适合用于快恢复二极管芯片的批量生产。

技术实现要素：

为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供了一种具有Al-Si₃N₄-Ti/Ni/Ag结构的快恢复二极管，该二极管通过使用金属层置于钝化层上，解决了Si₃N₄易断裂的问题。

本发明解决技术问题所采用的技术方案如下：

具有Al-Si₃N₄-Ti/Ni/Ag结构的快恢复二极管，该二极管从下至上依次为：Si-SiO₂快恢复二极管、Al层、Si₃N₄和Ti/Ni/Ag金属层；采用蒸发或者溅射的方式在Si-SiO2快恢复二极管的P型Si上制作Al层后，淀积Si₃N₄保护层，最后在Al层对应的Si₃N₄保护层开口溅射Ti/Ni/Ag金属层。

本发明的有益效果是：本发明将Ti/Ni/Ag金属层置于钝化层Si₃N₄上，解决了由于Ag反光率高导致与Si₃N₄接触后容易产生Si₃N₄脱落和断裂的现象，从而实现批量生产。增加了Al在第一层，Al与P+、N+硅或多晶硅能形成低阻的欧姆接触，使得芯片的正向压降最小，而且与绝缘体SI₃N₄有良好的附着性，性能最优。

附图说明

图1本发明具有Al-Si₃N₄-Ti/Ni/Ag结构的快恢复二极管结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明做进一步详细说明。

如图1所示，最下层主要为Si-SiO₂结构的快恢复二极管基本结构，通过在N^-型Si上腐蚀图形，离子注入和推P型Si制作出PN结，在P型Si上制作一层SiO₂，覆盖N^-型Si，露出P型Si，在P型Si上制作多晶硅栅极。

在基本结构上为连接用的金属Al层，在上面为起到保护作用制作由Si₃N₄组成的钝化层，最顶端为封装使用的Ti/Ni/Ag金属层。

本发明中先使用蒸发或溅射的方式蒸渡Al，Al厚度理论值为1.5±0.3um，反射率理论值控制在180％-200％左右，此层金属厚度较薄与P型Si能形成低阻的欧姆接触，使得芯片的正向压降达到最小，之后使用PECVD淀积Si₃N₄，淀积厚度理论值为6000±300埃，折射率理论值2.1％±0.2％，最后在Si₃N₄上再次以溅射的方法蒸渡Ti/Ni/Ag金属层，金属层厚度通常在2000埃/2000埃/40000埃左右，以达到封装焊接的作用。