1.一种碳包覆的钼酸钴网状纳米片阵列材料，其特征在于，由纳米碳膜、钼酸钴网状纳米片和泡沫镍组成，所述的钼酸钴纳米片相互交叉竖立生长在泡沫镍上，形成钼酸钴网状纳米片阵列；所述的纳米碳膜包覆于钼酸钴纳米片阵列的表面。
2.根据权利要求1所述的碳包覆的钼酸钴网状纳米片阵列材料，其特征在于，所述的钼酸钴纳米片的厚度为60～80nm。
3.根据权利要求1所述的碳包覆的钼酸钴网状纳米片阵列材料，其特征在于，所述的碳包覆的钼酸钴网状纳米片阵列材料中碳的质量含量为1％～30％。
4.根据权利要求1所述的碳包覆的钼酸钴网状纳米片阵列材料的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：
(1)将碳水化合物溶解于去离子水中，得到碳水化合物溶液；
(2)将表面生长钼酸钴网状纳米片阵列的泡沫镍浸入碳水化合物溶液中，并于110～130℃下水热反应4～6h，得到碳水化合物包覆的钼酸钴网状纳米片阵列；
(3)将碳水化合物包覆的钼酸钴网状纳米片阵列用去离子水洗净，于50～70℃下烘干；
(4)将烘干的碳水化合物包覆的钼酸钴网状纳米片阵列于氩气环境下300～500℃煅烧4～6h，得到碳包覆的钼酸钴网状纳米片阵列材料。
5.根据权利要求4所述的碳包覆的钼酸钴网状纳米片阵列材料的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述的碳水化合物为葡萄糖、蔗糖、麦芽糖、淀粉以及纤维素中的至少一种。
6.根据权利要求4所述的碳包覆的钼酸钴网状纳米片阵列材料的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述的碳水化合物溶液的质量百分数为0.01～1％。
7.根据权利要求4所述的碳包覆的钼酸钴网状纳米片阵列材料的制备方法，其特征在于，所述的表面生长钼酸钴网状纳米片阵列的泡沫镍的制备方法如下：
(a)将硝酸钴、钼酸钠溶解于去离子水中，得到混合溶液；
(b)将泡沫镍浸入混合溶液中，并于110～130℃下水热反应4～6h；得到表面生长钼酸钴网状纳米片阵列的泡沫镍；
(c)将表面生长钼酸钴网状纳米片阵列的泡沫镍用去离子水洗净，于50～70℃下烘干。
8.根据权利要求7所述的碳包覆的钼酸钴网状纳米片阵列材料的制备方法，其特征在于，在步骤(a)中，所述的硝酸钴和钼酸钠的摩尔比为0.99～1.01:1。
9.根据权利要求7所述的碳包覆的钼酸钴网状纳米片阵列材料的制备方法，其特征在于，在步骤(a)中，所述的混合溶液中硝酸钴的摩尔浓度为0.01～0.1mol L-1，所述的混合溶液中钼酸钠的摩尔浓度为0.01～0.1mol L-1。
10.根据权利要求1～3任一所述的碳包覆的钼酸钴网状纳米片阵列材料在制备超级电容器电极材料的应用。