1.一种薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，包括在基板上形成层叠设置的第一薄膜晶体管的过程以及第二薄膜晶体管的过程，其中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管共用一个栅极；
所述形成第一薄膜晶体管的过程具体为：
在基板上依次形成缓冲层以及第一有机半导体层；
对所述第一有机半导体层进行刻蚀工艺，以形成所述第一薄膜晶体管的导电沟道；
在所述第一有机半导体层上形成第一绝缘层；
对所述第一绝缘层进行刻蚀工艺，以形成第一通孔以及第二通孔；
在所述第一绝缘层上形成第一金属层；
对所述第一金属层进行刻蚀工艺，以形成所述第一薄膜晶体管的源极、漏极以及栅极，其中，所述第一薄膜晶体管的源、漏极分别通过所述第一通孔以及所述第二通孔与所述第一薄膜晶体管的导电沟道连接；
在所述第一金属层上形成第二绝缘层；
所述形成第二薄膜晶体管的过程具体为：
在所述第二绝缘层上形成第二有机半导体层；
对所述第二有机半导体层进行蚀刻工艺，以形成所述第二薄膜晶体管的导电沟道；
在所述第二有机半导体层上形成第三绝缘层；
对所述第三绝缘层进行刻蚀工艺，以形成第三通孔以及第四通孔；
在所述第三绝缘层上形成第二金属层；
对所述第二金属层进行刻蚀工艺，以形成所述第二薄膜晶体管的源极以及漏极，其中，所述第二薄膜晶体管的源、漏极分别通过所述第三通孔以及所述第四通孔与所述第二薄膜晶体管的导电沟道连接；
在所述第二金属层上形成第四绝缘层；
在所述第四绝缘层上形成第一像素电极以及第二像素电极；所述第一像素电极与所述第一薄膜晶体管的漏极连接，所述第二像素电极与所述第二薄膜晶体管的漏极连接。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，所述第二薄膜晶体管的源、漏极在所述基板上的投影区域位于所述第一薄膜晶体管的源、漏极在所述基板上的投影区域内。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，所述第二薄膜晶体管的导电沟道在所述基板上的投影区域位于所述第一薄膜晶体管的导电沟道在所述基板上的投影区域内。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管结构的制作方法，所述第一薄膜晶体管的第一有机半导体层和所述第二薄膜晶体管的第二有机半导体层的材料为非晶硅、多晶硅或半导体氧化物。
6.一种薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，包括在基板上形成层叠设置的第一薄膜晶体管的过程以及第二薄膜晶体管的过程，其中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管共用一个栅极；
所述形成第一薄膜晶体管的过程具体为：
在基板上依次形成缓冲层以及第一有机半导体层；
对所述第一有机半导体层进行刻蚀工艺，以形成所述第一薄膜晶体管的导电沟道；
在所述第一有机半导体层上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成第一金属层；
对所述第一金属层进行刻蚀工艺，以形成所述第一薄膜晶体管的栅极；
在所述第一金属层上形成第二绝缘层；
对所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层进行刻蚀工艺，以形成第一通孔以及第二通孔；
在所述第一绝缘保护层上形成第二金属层；
对所述第二金属层进行刻蚀工艺，以形成所述第一薄膜晶体管的源、漏极以及所述第二薄膜晶体管的导电沟道区域，其中，所述第一薄膜晶体管的源、漏极分别通过所述第一通孔以及所述第二通孔与所述第一薄膜晶体管的导电沟道连接；
所述形成第二薄膜晶体管的过程具体为：
在所述导电沟道区域上形成第二有机半导体层，以形成所述第二薄膜晶体管的导电沟道；
在所述第二金属层以及所述第二有机半导体层上形成第三绝缘层；
对所述第三绝缘层进行刻蚀工艺，以形成第三通孔以及第四通孔；
在所述第三绝缘层上形成第三金属层；
对所述第三金属层进行刻蚀工艺，以形成所述第二薄膜晶体管的源、漏极，其中，所述第二薄膜晶体管的源、漏极分别通过所述第三通孔以及所述第四通孔与所述第二薄膜晶体管的导电沟道连接；
在所述第三金属层上形成第四绝缘层；
在所述第四绝缘层上形成第一像素电极以及第二像素电极；所述第一像素电极与所述第一薄膜晶体管的漏极连接，所述第二像素电极与所述第二薄膜晶体管的漏极连接。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。
8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，所述第二薄膜晶体管的源、漏极在所述基板上的投影区域位于所述第一薄膜晶体管的源、漏极在所述基板上的投影区域内。
9.根据权利要求6所述的薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，所述第二薄膜晶体管的导电沟道在所述基板上的投影区域位于所述第一薄膜晶体管的导电沟道在所述基板上的投影区域内。
10.根据权利要求6所述的薄膜晶体管结构的制作方法，所述第一薄膜晶体管的第一有机半导体层和所述第二薄膜晶体管的第二有机半导体层的材料为非晶硅、多晶硅或半导体氧化物。