半导体结构及其形成方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明提供了半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括衬底和在衬底上方形成的纳米线结构。此外，该纳米线结构包括第一部分、第二部分和第三部分。该半导体结构还包括在纳米线结构的第三部分周围形成的栅极结构和在纳米线结构的第一部分中形成的源极区域。此外，纳米线结构中的耗尽区的长度长于栅极结构的长度并且没有与源极区域接触。

技术研发人员：让-皮埃尔·科林格
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.10.21
技术公布日：2017.08.11