异方性导电胶膜的去除方法与流程

本发明涉及显示设备制造技术领域，尤其是涉及一种异方性导电胶膜的去除方法。

背景技术：

随着显示技术的不断进步，有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light emitting diode，AMOLED)显示屏的应用越来越广泛。AMOLED显示屏主要使用异方性导电胶膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)将覆晶薄膜(Chip On Flex/Chip On Film，COF)驱动芯片粘合在显示面板的芯片结合区上。由于现有的COF粘结制程良品率较低，不良品返工重做的情况也越来越多，介于COF芯片和显示面板成本较高，提高返工的质量显得尤为重要。返工过程中，如何在不损坏芯片结合区的情况下去除已固化并粘结在芯片结合区上的异方性导电胶膜是提高返工成功率最关键的一环。

现有技术中，利用清洗溶液浸泡不良品的异方性导电胶膜后使用刮胶棒刮除异方性导电胶膜，由于异方性导电胶膜固化后较硬，较难刮除干净，如果用力刮磨，容易刮伤芯片结合区的线路，无法用于返工重新粘结COF芯片。

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题是提供一种异方性导电胶膜的去除方法，用以解决现有技术中用力刮磨异方性导电胶膜，容易刮伤芯片结合区的线路，无法用于返工重新粘结COF芯片的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种异方性导电胶膜的去除方法，包括：

激光照射显示面板的芯片结合区上的所述异方性导电胶膜，使所述异方性导电胶膜碳化；

在所述异方性导电胶膜上涂布清洗溶液；

使用刮胶棒刮除所述异方性导电胶膜。

进一步，所述“激光照射显示面板的芯片结合区上的所述异方性导电胶膜，使所述异方性导电胶膜碳化”步骤包括：所述激光以不大于200mm/s的速度沿直线扫描所述异方性导电胶膜。

进一步，所述激光的功率不大于10W，以保证所述异方性导电胶膜被碳化而不至于损坏显示面板。

进一步，在所述激光扫描过程中，对所述异方性导电胶膜表面持续施加保护气体，用于防止扫描过程中产生的烟雾阻碍所述激光照射于所述异方性导电胶膜上。

进一步，所述保护气体为氮气。

进一步，所述激光照射于所述异方性导电胶膜上的光斑为圆形，以得到能量集中的所述激光。

进一步，所述光斑的直径为10um～308um。

进一步，所述激光照射于所述异方性导电胶膜上的光斑为长条形，以提高所述激光的扫描效率。

进一步，所述激光波长为355nm或532nm或1064nm，以提高所述异方性导电胶膜对所述激光的吸收率。

进一步，所述清洗溶液为酒精或异丙醇溶液。

本发明的有益效果如下：激光照射不良品的异方性导电胶膜，利用激光能量密度高的特点使异方性导电胶膜碳化，降低异方性导电胶膜的附着力，再使用清洁溶液清洗及刮胶棒刮除异方性导电胶膜，在不刮伤芯片结合区的情况下较容易的去除异方性导电胶膜，对不良品的原材损坏小，提高不良品的返工成功率，降低AMOLED显示屏的生产成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的明显变形方式。

图1为本发明实施例提供的异方性导电胶膜的去除方法的流程图。

图2为激光照射异方性导电胶膜过程的侧面示意图。

图3为激光照射异方性导电胶膜过程的正面示意图。

图4为涂布清洗溶液过程示意图。

图5为刮除异方性导电胶膜过程示意图。

图6为刮胶棒形状的示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1为本发明实施例提供的异方性导电胶膜的去除方法的流程图，如图所示，异方性导电胶膜的去除方法包括如下步骤：

S101、激光照射显示面板的芯片结合区上的异方性导电胶膜，使异方性导电胶膜碳化。

激光能够将极高的能量迅速地聚集在较小的作用区域上，即激光能量密度高，使被照射的异方性导电胶膜迅速升温，进而碳化。碳化后的异方性导电胶膜对显示面板的附着力减小，便于后续刮除。

一并参阅图2和图3，显示面板的基板20设有用于连接驱动芯片的芯片结合区30，芯片结合区30沿直线排列成一排，异方性导电胶膜10铺设于芯片结合区30上并覆盖各芯片结合区30。具体的，各芯片结合区30之间间隔约26um。激光头40发出激光照射异方性导电胶膜10，激光照射于异方性导电胶膜10表面上的位置形成光斑402，调节激光头40与异方性导电胶膜10表面的距离可以改变光斑402的大小。激光头40与异方性导电胶膜10表面的距离越接近焦距，则光斑402尺寸越小，光斑402上聚集的能量密度越高，当光斑402处于焦点位置处时，光斑402最小，且能量密度最大。激光头40通过使用不同的聚焦镜片可以得到不同形状的光斑402，一种实施方式中，光斑402的形状为圆形，圆形光斑402易于得到，且能量分布均匀，对异方性导电胶膜10的碳化效果好，具体的，圆形光斑402采用直径为10um～308um时效果最佳；其他实施方式中，光斑402也可以为长条形，由于芯片结合区30表面一般为矩形，长条形光斑402对芯片结合区30的覆盖面积大，激光扫描效率高。

本实施例中，激光头40沿直线方向水平匀速移动，激光匀速扫描异方性导电胶膜10表面，即光斑402沿水平方向匀速移动，使异方性导电胶膜10每个部分被激光照射的时间长度相同，故异方性导电胶膜10每个部分受热情况相同，碳化程度均匀，利于后续被刮除。具体的，激光头40移动速度不大于200mm/s，激光功率不大于10W，该激光扫描速度与激光功率使异方性导电胶膜10可以接收到足够的热量而碳化，又不至于由于热量过大损坏基板20，得到异方性导电胶膜10的最佳碳化效果。

优选的，本实施例采用直径为50um的圆形光斑402，激光扫描速度为200mm/s，激光功率设置为10W。进一步的，激光扫描过程包括以下步骤：1、激光器输出激光，激光以第一方向沿直线从异方性导电胶膜10表面的第一端102向第二端104扫描；2、激光器停止输出激光，激光头40以第二方向沿直线位移40um～50um；3、激光器输出激光，激光以与第一方向相反的方向沿直线从异方性导电胶膜10表面的第二端104向第一端102扫描；4、激光器停止输出激光，激光头40以第二方向沿直线位移40um～50um；5、重复以上步骤，直至异方性导电胶膜10全部表面均被激光扫描完毕。激光沿以上轨迹均匀扫描异方性导电胶膜10，扫描面积覆盖异方性导电胶膜10的全部表面，且异方性导电胶膜10各部分受热均匀，碳化效果较佳。

本实施例中，激光扫描过程中，同时对异方性导电胶膜10表面持续施加保护气体，用于防止扫描过程中产生的烟雾阻碍激光照射于异方性导电胶膜10上。激光照射于异方性导电胶膜10时，异方性导电胶膜10被碳化的同时表面会产生烟雾漂浮在异方性导电胶膜10与激光头40之间，保护气体将异方性导电胶膜10与激光头40之间的烟雾吹走，防止激光光束穿过烟雾的过程中部分能量被烟雾吸收而导致异方性导电胶膜10得到的激光能量不足或不均匀，提高激光利用率，降低加工成本。进一步的，保护气体使用氮气，氮气化学性质稳定，不易与异方性导电胶膜10发生反应，不影响碳化异方性导电胶膜10，且氮气成本低，从而降低加工过程整体成本。

激光照射异方性导电胶膜10，利用激光能量密度高的特点使异方性导电胶膜10碳化，降低异方性导电胶膜10的附着力，利于后续刮除异方性导电胶膜10。

本实施例中，使用固体激光器作为激光源，固体激光器体积小、使用方便、光束质量好，固体激光器与数控机床装配组成加工系统，数控机床的夹具固定显示面板，设置显示面板的移动速度或激光头的移动速度使激光扫描异方性导电胶膜10以碳化异方性导电胶膜10。固体激光器作为扫描异方性导电胶膜10的激光源，可控性强，激光功率和激光光束质量满足碳化异方性导电胶膜10的要求，碳化效果好，且固体激光器体积小而方便组成加工系统，去除异方性导电胶膜10的步骤易于实现。

进一步的，使用激光的波长为355nm或532nm或1064nm，异方性导电胶膜10对该波长的激光反射率小，吸收率大，故升温快，能量利用率高，降低加工成本，且碳化效果好。

S102、在异方性导电胶膜10上涂布清洗溶液50。

结合图4，将清洗溶液50均匀的涂布在碳化的异方性导电胶膜10上，清洗溶液50部分溶解碳化的异方性导电胶膜10，方便后续刮除异方性导电胶膜10。具体的，清洗溶液50使用酒精或异丙醇(IPA)溶液。酒精和IPA溶液对异方性导电胶膜10的溶解能力强，方便后续刮除异方性导电胶膜10。

激光照射后被碳化的异方性导电胶膜10附着力下降，再使用清洁溶液清洗溶解碳化的异方性导电胶膜10后，异方性导电胶膜10容易在不刮伤芯片结合区30的情况下被刮除干净。

S103、使用刮胶棒60刮除异方性导电胶膜10。

结合图5，刮胶棒60与基板20呈45度，刮胶棒60的顶端600插入异方性导电胶膜10与芯片结合区30之间，从异方性导电胶膜10的一端刮除异方性导电胶膜10。进一步的，刮胶棒60的结构如图6，刮胶棒60包括相连的手持部分602与刮擦部分604，手持部分602为截面为圆形或方形的直杆，便于操作者手持；刮擦部分604为顶端600扁平且锋利的锥形，利于将顶端600插入异方性导电胶膜10与芯片结合区30之间刮除异方性导电胶膜10。激光照射和清洗溶液50溶解后的异方性导电胶膜10在芯片结合区30上的附着力大大降低，刮胶棒60将异方性导电胶膜10彻底的刮除干净，且不损坏芯片结合区30，被去除异方性导电胶膜10的显示面板可直接用于再次涂覆新的异方性导电胶膜10进行COF粘结制程，重新制作AMOLED显示屏。

激光照射异方性导电胶膜10，利用激光能量密度高的特点使异方性导电胶膜10碳化，降低异方性导电胶膜10的附着力，再使用清洁溶液清洗及刮胶棒60刮除异方性导电胶膜10，在不刮伤芯片结合区30的情况下较容易的去除异方性导电胶膜10，提高不良品的返工成功率，降低AMOLED显示屏的生产成本。

以上所揭露的仅为本发明几种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。