1.一种异方性导电胶膜的去除方法，其特征在于，包括：
激光照射显示面板的芯片结合区上的所述异方性导电胶膜，使所述异方性导电胶膜碳化；
在所述异方性导电胶膜上涂布清洗溶液；
使用刮胶棒刮除所述异方性导电胶膜。
2.根据权利要求1所述的异方性导电胶膜的去除方法，其特征在于，所述“激光照射显示面板的芯片结合区上的所述异方性导电胶膜，使所述异方性导电胶膜碳化”步骤包括：所述激光以不大于200mm/s的速度沿直线扫描所述异方性导电胶膜。
3.根据权利要求2所述的异方性导电胶膜的去除方法，其特征在于，所述激光的功率不大于10W，以保证所述异方性导电胶膜被碳化而不至于损坏显示面板。
4.根据权利要求3所述的异方性导电胶膜的去除方法，其特征在于，在所述激光扫描过程中，对所述异方性导电胶膜表面持续施加保护气体，用于防止扫描过程中产生的烟雾阻碍所述激光照射于所述异方性导电胶膜上。
5.根据权利要求4所述的异方性导电胶膜的去除方法，其特征在于，所述保护气体为氮气。
6.根据权利要求2所述的异方性导电胶膜的去除方法，其特征在于，所述激光照射于所述异方性导电胶膜上的光斑为圆形，以得到能量集中的所述激光。
7.根据权利要求6所述的异方性导电胶膜的去除方法，其特征在于，所述光斑的直径为10um～308um。
8.根据权利要求2所述的异方性导电胶膜的去除方法，其特征在于，所述激光照射于所述异方性导电胶膜上的光斑为长条形，以提高所述激光的扫描效率。
9.根据权利要求1所述的异方性导电胶膜的去除方法，其特征在于，所述激光波长为355nm或532nm或1064nm，以提高所述异方性导电胶膜对所述激光的吸收率。
10.根据权利要求1所述的异方性导电胶膜的去除方法，其特征在于，所述清洗溶液为酒精或异丙醇溶液。