一种氮化铝陶瓷衰减片的制作方法

本发明涉及微波射频科技技术领域，具体为一种氮化铝陶瓷衰减片。

背景技术：

衰减材料通常是将半导体材料或易于极化的材料分散于介质基体内，依靠半导体材料的电荷载流子或极化材料的偶极子，在高频场中的移动或摆动来消耗高频能量，转化为热能释放出去，目前集成了多个膜状电阻为一体，通过电阻及线路不同设计的衰减片广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域。使用负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率，而使用衰减片在吸收反向输入的功率同时还能抽取需要的信号进行分析，并在高频电路上调整功率电平，去耦，对相关设备起到了保护作用。现有的衰减片系列少，衰减精度低，且比较集中不利于散热。

为了解决目前市场上所存在的缺点，急需改善射频元件的技术，能够更好的进行微波调节作业，促进射频衰减片行业的发展。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种氮化铝陶瓷衰减片，以解决上述背景技术中提出的衰减精度低，且比较集中不利于散热等问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种氮化铝陶瓷衰减片，包括法兰结构和第二引线，所述法兰结构上设置有凹槽、螺栓固定孔和陶瓷固定边，且凹槽内部固定有凸起固定杆，所述凹槽内放置有氮化铝陶瓷基体，所述氮化铝陶瓷基体上设置有底板和固定孔，所述底板上固定有第一引线，所述第一引线通过第二支导体连接有电阻r5、电阻r4和电阻r1，所述电阻r4与第二支导体和第一支导体相连接，所述第二引线通过第一支导体连接有电阻r2、电阻r3和电阻r4，所述电阻r1、电阻r2、电阻r3和电阻r5后部均连接有导体，且导体上设置有环氧树脂保护膜，所述氮化铝陶瓷基体上方盖有氮化铝陶瓷封盖，所述氮化铝陶瓷封盖由盖板和边条构成。

优选的，所述法兰结构、氮化铝陶瓷基体和氮化铝陶瓷封盖均为氮化铝陶瓷材料构成。

优选的，所述凹槽的深度大于氮化铝陶瓷基体和氮化铝陶瓷封盖和边条的周长相同。

优选的，所述电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r5和电阻r4均为氮化铝陶瓷专用电阻浆料材料制造而成。

优选的，所述固定孔和凸起固定杆均设置有四个，且固定孔和凸起固定杆一一对应安装。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：该氮化铝陶瓷衰减片，结构设置合理，都采用氮化铝陶瓷构成，减少热膨胀对设备的影响，同时采用支导体设置，使电阻进行分开，更好的进行散热工作，提高设备元件的使用寿命，同时采用环氧树脂保护膜设置，提高衰减精度的，同时提高了衰减片的稳定性，能够更好的进行微波调节作业，促进射频衰减片行业的发展。

附图说明

图1为本发明结构组装示意图；

图2为本发明结构法兰结构示意图；

图3为本发明结构氮化铝陶瓷基体示意图；

图4为本发明结构氮化铝陶瓷封盖示意图。

图中：1、法兰结构，2、氮化铝陶瓷基体，3、氮化铝陶瓷封盖，4、凹槽，5、凸起固定杆，6、螺栓固定孔，7、陶瓷固定边，8、第一引线，9、底板，10、环氧树脂保护膜，11、电阻r1，12、导体，13、电阻r2，14、第一支导体，15、第二引线，16、电阻r3，17、电阻r4，18、电阻r5，19、第二支导体，20、固定孔，21、盖板，22、边条。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1-4，本发明提供一种技术方案：一种氮化铝陶瓷衰减片，包括法兰结构1和第二引线15，法兰结构1上设置有凹槽4、螺栓固定孔6和陶瓷固定边7，且凹槽4内部固定有凸起固定杆5，凹槽4内放置有氮化铝陶瓷基体2，凹槽4的深度大于氮化铝陶瓷基体2和氮化铝陶瓷封盖3的高度和，且氮化铝陶瓷基体2和边条22的周长相同，氮化铝陶瓷基体2上设置有底板9和固定孔20，固定孔20和凸起固定杆5均设置有四个，且固定孔20和凸起固定杆5一一对应安装，底板9上固定有第一引线8，第一引线8通过第二支导体19连接有电阻r518、电阻r417和电阻r111，电阻r417与第二支导体19和第一支导体14相连接，电阻r111、电阻r213、电阻r316、电阻r518和电阻r417均为氮化铝陶瓷专用电阻浆料材料制造而成，第二引线15通过第一支导体14连接有电阻r213、电阻r316和电阻r417，电阻r111、电阻r213、电阻r316和电阻r518后部均连接有导体12，且导体12上设置有环氧树脂保护膜10，提高衰减精度的，同时提高了衰减片的稳定性，氮化铝陶瓷基体2上方盖有氮化铝陶瓷封盖3，氮化铝陶瓷封盖3由盖板21和边条22构成，法兰结构1、氮化铝陶瓷基体2和氮化铝陶瓷封盖3均为氮化铝陶瓷材料构成，减少热膨胀对设备的影响。

工作原理：在使用该氮化铝陶瓷衰减片时，首先将氮化铝陶瓷基体2放置在法兰结构1中，将氮化铝陶瓷封盖3盖上，电阻r111、电阻r213、电阻r316、电阻r518和电阻r417采用氮化铝陶瓷专用电阻浆料材料制造而成，增加了其散热的速度，从而提高其功率容量，在更小的尺寸获得了更大的功率，实现了元器件小型化的发展目标，同时因为尺寸变小，提高了生产效率，通过第一引线8输入射频信号，通过相对孤立的电阻体，进行一部分信号衰减，并将衰减后信号通过第二引线15输出，采用环氧树脂保护膜10印刷技术的应用，即使产品性能的一致性仍然得到了好的保证，同时也提高了产品微波性能的稳定性，这就是该氮化铝陶瓷衰减片工作的整个过程。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种氮化铝陶瓷衰减片，包括法兰结构和第二引线，所述法兰结构上设置有凹槽、螺栓固定孔和陶瓷固定边，且凹槽内部固定有凸起固定杆，所述凹槽内放置有氮化铝陶瓷基体，所述氮化铝陶瓷基体上设置有底板和固定孔，所述底板上固定有第一引线，所述电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R5后部均连接有导体，所述氮化铝陶瓷基体上方盖有氮化铝陶瓷封盖，所述氮化铝陶瓷封盖由盖板和边条构成。该氮化铝陶瓷衰减片，结构设置合理，采用支导体设置，使电阻进行分开，更好的进行散热工作，提高设备元件的使用寿命，同时采用环氧树脂保护膜设置，提高了衰减片的稳定性，能够更好的进行微波调节作业，促进射频衰减片行业的发展。

技术研发人员：刘江华;刘冠华;任洪波
受保护的技术使用者：青海圣诺光电科技有限公司
技术研发日：2016.11.13
技术公布日：2018.05.25